電源學報
寬禁帶功率電子器件及其應用專輯 (2016年04期)
- 選擇區(qū)域外延槽柵結構GaN常關型MOSFET的研究
- 適用于電動汽車的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究
- 改進型碳化硅MOSFETs Spice電路模型
- 1 200 V碳化硅MOSFET與硅IGBT器件特性對比性研究
- SiC MOSFET特性及其應用的關鍵技術分析
- 基于碳化硅功率器件的寬輸入電壓雙管正激式直流電源研究
- SiC MOSFET在航空靜止變流器中的應用研究
- 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因數(shù)校正器
- 基于GaN FETs的高頻半橋諧振變換器分析與設計
- 基于GaN器件Buck電路死區(qū)功耗分析與優(yōu)化
- 基于GaN器件LLC諧振變換器的平面變壓器優(yōu)化設計
- 基于封裝集成技術的高功率密度碳化硅單相逆變器
- 共源極電感對SiC MOSFET開關損耗影響的研究
- 寬禁帶器件在電動汽車中的研究和應用
- 耐高溫變換器研究進展及綜述
- 高壓SiC器件在FREEDM系統(tǒng)中的應用
- 雙饋風電機組并網(wǎng)次同步振蕩研究
- 寬禁帶功率電子器件及其應用專輯特邀主編述評