溫度自適應(yīng)性ＤＲＡＭ刷新時鐘電路
2009-09-30 09:04:48曾鋒任明明易茂祥張昭勇
現(xiàn)代電子技術(shù) 2009年15期
關(guān)鍵詞：功耗
曾 鋒 任明明 易茂祥 張昭勇
摘要：動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗，設(shè)計一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閩值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時鐘電路，使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求，仿真實驗結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
關(guān)鍵詞：刷新；動態(tài)存儲器；溫度適應(yīng)性；功耗
中圖分類號：TN402文獻標(biāo)識碼：A文章編號：1004－373X(2009)15－181－03
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