張 勇
西部超導(dǎo)材料科技術(shù)有限公司制造五廠,陜西西安 710018
感應(yīng)加熱電源廣泛應(yīng)用于金屬熱處理、淬火、透熱、熔煉、焊接、熱套、電真空器件去氣加熱、半導(dǎo)體材料煉制、塑料熱合、烘烤和提純等場合,利用在高頻磁場作用下產(chǎn)生的感應(yīng)電流引起導(dǎo)體自身發(fā)熱而進行加熱。感應(yīng)加熱與氣體燃燒加熱或者通電加熱相比,具有顯著節(jié)能、非接觸、速度快、效率高、工序簡單、容易實現(xiàn)自動化等顯著優(yōu)點。
感應(yīng)加熱電源主要由逆變器、諧振單元、變壓器和感應(yīng)器組成。其中逆變器是一個交-直-交的變流器,將工頻交流電能變換成為幾千至幾百千赫茲的高頻電能。諧振單元和變壓器一端連接逆變器,另一端連接感應(yīng)器,將高壓變成隔離的低壓并進行阻抗匹配。加熱時,感應(yīng)器中流過強大的高頻電流,在導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流,因此導(dǎo)體迅速被加熱。
雖然采用IGBT取代晶閘管和電子管已經(jīng)取得了很大的進步,但目前大多數(shù)生產(chǎn)廠商研制生產(chǎn)的感應(yīng)加熱電源設(shè)備仍然存在一些普遍問題,這些問題主要表現(xiàn)為:效率較低、電能和冷卻水消耗大;功率元件IGBT容易損壞;輸出變壓器容易損壞;冷卻水回路故障較多;功率因數(shù)較低、諧波污染大;設(shè)備可靠連續(xù)運行性能欠佳。
一種新型高頻感應(yīng)加熱電源主回路如下圖所示,該產(chǎn)品為全數(shù)字式控制結(jié)構(gòu),在中央處理器DSP的控制下,功率器件IGBT工作在零電流開關(guān)狀態(tài);且直流側(cè)也采用IGBT斬波電路,這有效提高了設(shè)備功率因數(shù)、減少輸入諧波;此外,該產(chǎn)品通過多種措施降低系統(tǒng)損耗、提高效率,使得設(shè)備可以采用全空冷結(jié)構(gòu),并消除設(shè)備來自水系統(tǒng)的故障;基于這種結(jié)構(gòu),設(shè)備的工作頻率為1KHz~100KHz。
高頻感應(yīng)加熱電源一般均采用諧振軟開關(guān)控制,可以大為降低IGBT開關(guān)損耗,且實現(xiàn)自動跟蹤諧振頻率。
有的產(chǎn)品直流側(cè)沒有IGBT斬波電路,這是一種軟開通硬關(guān)斷電路,或者是帶緩沖的硬關(guān)斷電路。這種電路的關(guān)斷損耗較大。采用直流側(cè)IGBT斬波電路后,可以實現(xiàn)完全的軟開通軟關(guān)斷,并將開通損耗和關(guān)斷損耗均降至最低。
傳統(tǒng)控制電路采用鎖相環(huán)跟蹤系統(tǒng)諧振頻率,但諧振頻率較高時,影響頻率跟蹤的離散參數(shù)比較突出,頻率較高時,鎖相環(huán)精度不夠,容易出現(xiàn)脫離軟開關(guān)的狀態(tài),因此開關(guān)損耗增大,嚴重時導(dǎo)致IGBT損壞。
舉例說明:如果在信號傳輸回路中產(chǎn)生1uS的誤差,高頻狀態(tài)下就會產(chǎn)生非常大的開關(guān)損耗,如輸出頻率為40KHz,輸出電流180A RMS時,1uS的時間加上0.75uS的死區(qū)時間的實際角度為25.2度,此時硬開關(guān)電流為108A,查IGBT性能曲線表,在40KHz的開關(guān)頻率下,IGBT損耗將在1200W左右,與準確的軟開關(guān)相比,損耗增加1倍以上,因此,在這種情況下,IGBT容易損壞。
因此,提高控制的準確度是保證IGBT安全運行的前提條件。
新型高頻感應(yīng)加熱電源采用DSP進行跟蹤控制,憑借DSP的快速處理能力,可根據(jù)不同工況進行跟蹤補償,使系統(tǒng)準確度大幅度提高,諧振頻率和相位的跟蹤誤差大為降低。此外,系統(tǒng)采用的快速IGBT驅(qū)動電路也有助于更準確快速的高頻軟開關(guān)電路的實現(xiàn)。
在新型高頻感應(yīng)加熱電源中,DSP的作用舉足輕重,不但要保證準確可靠的過零開關(guān)IGBT逆變,還有比較多的事務(wù)需實時處理:采集各種信號用于控制;顯示操作界面處理;提供各種運行控制方式;在各種工況下均保證完善的限制保護措施;用戶接口,包括通訊的處理;參數(shù)設(shè)置、事件和事故的管理。
因此,合理分配資源,制定一定的優(yōu)先級別,才能保證各項任務(wù)有序地執(zhí)行。
雖然IGBT工作在過零開關(guān)狀態(tài),但高頻工作時,仍需盡量提高IGBT開關(guān)速度,降低損耗,因此電路的dv/dt和di/dt均很高,其電磁干擾很大。微處理器電路和快速信號處理電路對電磁干擾也相當敏感,快速準確的頻率與相位跟蹤也對EMI提出更高要求。因此,在高頻感應(yīng)加熱電源中,尤其對于全數(shù)字式產(chǎn)品,提高控制電路的抗EMI能力是系統(tǒng)穩(wěn)定運行的保障。
項目 電子管式 晶閘管式 MOSFET式 IGBT式綜合可靠性 較低 一般 較高 較高裝置效率(包括變壓器)50%以下 90%左右 90%左右 95%左右功率因數(shù) 較高 較低 較高 高維護 復(fù)雜 較復(fù)雜 較簡單 簡單適用場合頻率100KHz以上頻率5KHz以下,大功率頻率500KHz以下,小功率頻率1-100KHz,功率0-1000KW各種場合
傳統(tǒng)感應(yīng)加熱電源產(chǎn)品存在損耗大、功率因數(shù)低、系統(tǒng)故障多、運行可靠性不高等缺陷。
新型數(shù)字式IGBT逆變感應(yīng)加熱電源通過采取IGBT軟開關(guān)等措施降低系統(tǒng)損耗,提高了效率;通過采用DSP實現(xiàn)全數(shù)字式控制,不僅提高了系統(tǒng)跟蹤和控制準確度,而且系統(tǒng)的可靠性和先進性也得以提高;通過直流側(cè)IGBT斬波電路結(jié)構(gòu),不僅實現(xiàn)了逆變IGBT的過零開通和過零關(guān)斷,而且提高了裝置的功率因數(shù)。
[1]王兆安,劉進軍主編.電力電子技術(shù)[M].5版.機械工業(yè)出版社,2009-7-1.
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[3][澳]霍姆斯(Holmes,D.G.),[美]利波(Lipo,T.A.)著.電力電子變換器PWM技術(shù)原理與實踐周克亮,譯.人民郵電出版社,2010-01-25.