楊 娟，胡 兵，沈翰寧

(桂林電子科技大學(xué)，廣西 桂林 541004)

無(wú)線通信系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸方式多種多樣，不同網(wǎng)絡(luò)的傳輸協(xié)議也各有不同，這些傳輸方式以及傳輸協(xié)議的區(qū)別導(dǎo)致了數(shù)據(jù)傳輸速率存在著較大差異。這種差異將會(huì)導(dǎo)致通信系統(tǒng)接收端各路數(shù)據(jù)間的相互干擾，產(chǎn)生數(shù)據(jù)處理失真等問(wèn)題。同時(shí)數(shù)據(jù)在無(wú)線信道中傳輸由于傳輸路徑的差異，多徑干擾也是不可避免的。通常解決這一系列問(wèn)題的方法是在射頻接收端的各個(gè)節(jié)點(diǎn)采用模擬延時(shí)器，對(duì)數(shù)據(jù)速率進(jìn)行適配，以達(dá)到同步接收，減小數(shù)據(jù)處理的失真。但是模擬延時(shí)器具有數(shù)據(jù)處理速度慢，精度低，工程造價(jià)高，且很難隨時(shí)調(diào)整等缺陷。

針對(duì)模擬延時(shí)器存在的問(wèn)題，本文提出了一種新型的射頻延時(shí)器，它采用模數(shù)結(jié)合數(shù)字處理的方式對(duì)射頻接收數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)延調(diào)整。測(cè)試結(jié)果表明，系統(tǒng)數(shù)據(jù)處理速度快，精度最高可以達(dá)到納秒級(jí)，且能夠隨時(shí)通過(guò)可編程模塊對(duì)射頻延時(shí)器進(jìn)行調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)射頻接收端對(duì)各種網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的同步接收。

該系統(tǒng)可編程模塊采用SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)作為存儲(chǔ)主體，所選用的SDRAM芯片數(shù)據(jù)處理速率最高可達(dá)133 Mbit/s，能夠?qū)?shù)據(jù)進(jìn)行高速讀寫(xiě)操作。

1 射頻延時(shí)器的結(jié)構(gòu)和工作原理

射頻延時(shí)器結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 射頻延時(shí)器結(jié)構(gòu)圖

射頻延時(shí)器的結(jié)構(gòu)如下:包括上下變頻濾波模塊，中頻增益控制模塊，可編程模塊，高速模數(shù)及數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊。參考時(shí)鐘與鎖相環(huán)模塊組成標(biāo)準(zhǔn)鎖相環(huán)電路產(chǎn)生本振信號(hào)?；鶞?zhǔn)時(shí)間為t0的射頻接收信號(hào)FM接入下變頻濾波模塊，輸入信號(hào)在這里與本振信號(hào)進(jìn)行1次或多次混頻，通過(guò)濾波取出信號(hào)邊帶，下變頻濾波模塊連接中頻增益控制模塊，中頻增益控制模塊是用于消除傳輸鏈路的信號(hào)不穩(wěn)定的影響，得到信號(hào)功率恒定的中頻信號(hào)。中頻增益控制模塊連接著高速模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊，將中頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)fm，輸入可編程模塊?？删幊棠K將數(shù)據(jù)通過(guò)緩存送入SDRAM存儲(chǔ)，并根據(jù)程序設(shè)定的延時(shí)Δt將信號(hào)轉(zhuǎn)換為fm+Δt，可編程模塊將延時(shí)后的數(shù)據(jù)與高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器相連接，產(chǎn)生基帶模擬信號(hào)，經(jīng)過(guò)上變頻變成中頻信號(hào)。中頻信號(hào)在頻域上與延時(shí)前中頻信號(hào)保持一致，但是時(shí)域上已經(jīng)產(chǎn)生了延時(shí)，將此中頻信號(hào)通過(guò)上變頻濾波模塊，經(jīng)過(guò)一次或多次混頻，通過(guò)濾波取出邊帶，形成經(jīng)過(guò)延時(shí)后的射頻信號(hào)FM/(t0+Δt)，如果設(shè)備固有延時(shí)是Δta，延時(shí)后的最終射頻信號(hào)為FM/(t0+Δt+Δta)，從而完成了射頻信號(hào)的延時(shí)調(diào)整。

通信系統(tǒng)接收端數(shù)據(jù)由于傳輸鏈路的差異和多徑干擾的影響，各接收節(jié)點(diǎn)的傳輸時(shí)延也不相同，此時(shí)假設(shè)各接收節(jié)點(diǎn)接收數(shù)據(jù)時(shí)延，分別為 t1，t2，t3，…，tm，各節(jié)點(diǎn)射頻接收信號(hào)分別為FM/(t1+t0)，F(xiàn)M/(t2+t0)，F(xiàn)M/(t3+t0)，…，F(xiàn)M/(tm+t0)。t0為基準(zhǔn)時(shí)間，tn大于等于接收時(shí)延的最大值。各接收端節(jié)點(diǎn)信號(hào)通過(guò)射頻延時(shí)器以后，附加時(shí)延分別為 tn－t1，tn－t2，tn－t3，…，tn－tm，各節(jié)點(diǎn)最終得到的信號(hào)都為FM/(tn+t0)，經(jīng)延時(shí)調(diào)整后，接收端實(shí)現(xiàn)信號(hào)的同步接收。

2 射頻延時(shí)器可編程模塊的設(shè)計(jì)

2.1 可編程模塊的結(jié)構(gòu)和工作原理

可編程模塊結(jié)構(gòu)如下:包括SDRAM，SDRAM控制器，射頻延時(shí)器主控制器模塊，接收/發(fā)射端FIFO讀寫(xiě)控制模塊，接收/發(fā)射端FIFO緩存模塊等?？删幊棠K采用分層狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)模式，實(shí)現(xiàn)主狀態(tài)機(jī)與具體操作控制狀態(tài)機(jī)的分離，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行高效的讀寫(xiě)操作，結(jié)構(gòu)清晰，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，也使程序具有更高的通用性和可讀性。射頻延時(shí)器可編程模塊系統(tǒng)狀態(tài)跳轉(zhuǎn)如圖2所示。

圖2 射頻延時(shí)器可編程模塊系統(tǒng)狀態(tài)跳轉(zhuǎn)圖

系統(tǒng)上電后開(kāi)始工作，主控制器跳轉(zhuǎn)到初始化模式，SDRAM控制器接收初始化命令分別對(duì)SDRAM的各種參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。初始化完畢以后，主控制器模塊跳轉(zhuǎn)到寫(xiě)模式，進(jìn)入寫(xiě)模式后，地址計(jì)算模塊，將根據(jù)用戶寫(xiě)入的延時(shí)，對(duì)SDRAM初始寫(xiě)地址進(jìn)行計(jì)算，并向接收端FIFO讀寫(xiě)控制模塊發(fā)送命令，使接收端FIFO開(kāi)始接收數(shù)據(jù)。當(dāng)接收端FIFO讀寫(xiě)控制模塊，返回響應(yīng)信號(hào)時(shí)，主控制器模塊對(duì)SDRAM控制器發(fā)送寫(xiě)命令，SDRAM控制器將FIFO傳入的數(shù)據(jù)以突發(fā)模式寫(xiě)入SDRAM中。完成一次突發(fā)寫(xiě)以后，主控制器跳轉(zhuǎn)至讀模式，SDRAM控制器從SDRAM首地址開(kāi)始將數(shù)據(jù)以突發(fā)讀模式讀出，并將數(shù)據(jù)打入發(fā)送端FIFO中。完成這一系列的操作后，主控制器又跳轉(zhuǎn)至寫(xiě)模式，并判斷接收機(jī)FIFO是否發(fā)出響應(yīng)信號(hào)，如果檢測(cè)到該信號(hào)，主控制器對(duì)SDRAM控制器發(fā)出寫(xiě)命令，否則主控制器將跳轉(zhuǎn)至空閑模式繼續(xù)等待響應(yīng)信號(hào)，如此反復(fù)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫(xiě)操做。

接收端FIFO讀寫(xiě)控制模塊接收到主控制器發(fā)送的標(biāo)志位以后，F(xiàn)IFO開(kāi)始工作，這個(gè)標(biāo)志位將與AD采樣數(shù)據(jù)的使能信號(hào)同時(shí)作用成為接收端FIFO的寫(xiě)使能信號(hào)。收到寫(xiě)使能信號(hào)的接收端FIFO讀寫(xiě)控制模塊將跳轉(zhuǎn)至寫(xiě)狀態(tài)，當(dāng)讀寫(xiě)地址狀態(tài)滿足條件，讀寫(xiě)控制模塊跳轉(zhuǎn)至讀狀態(tài)，將數(shù)據(jù)存入SDRAM中，完成讀進(jìn)程后，讀寫(xiě)控制模塊判斷是否收到主控制模塊發(fā)送的刷新標(biāo)志位，如果有則進(jìn)入等待狀態(tài)，直至刷新標(biāo)志位復(fù)位，否則再次進(jìn)入寫(xiě)狀態(tài)，完成前端數(shù)據(jù)的接收。

發(fā)送端的讀寫(xiě)控制模塊的實(shí)現(xiàn)相對(duì)簡(jiǎn)單，F(xiàn)IFO的寫(xiě)使能由前端接收數(shù)據(jù)使能提供，控制模塊將保持緩存處于半滿狀態(tài)，否則當(dāng)接收數(shù)據(jù)使能較為密集時(shí)，SDRAM正處于刷新進(jìn)程中，此時(shí)有可能導(dǎo)致發(fā)送端FIFO輸出端口讀空。

SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)是該設(shè)計(jì)的另一個(gè)主要部分，SDRAM控制器主要包括命令監(jiān)控，命令譯碼以及數(shù)據(jù)傳遞等幾部分，SDRAM控制器根據(jù)接收到的命令，將數(shù)據(jù)、地址分別送入相應(yīng)模塊進(jìn)行處理。

2.2 SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

2.2.1 SDRAM的結(jié)構(gòu)和工作原理

該設(shè)計(jì)采用MT48LC64M4A2芯片，容量為256 Mbyte，最高工作頻率為133 MHz，包含16位數(shù)據(jù)總線，4個(gè)L－bank(Logic bank)，每個(gè)L－bank的行地址尋址范圍為8 k，存儲(chǔ)單元內(nèi)可存放4 bit，8 bit，16 bit三種位寬的數(shù)據(jù)，此設(shè)計(jì)所采用的是16 bit位寬存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，行地址尋址范圍為512。

SDRAM內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，結(jié)構(gòu)類(lèi)似一個(gè)表格，指定了表格的行和列就能夠確定指定的單元格的地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元是由三極管和電容組成的，電容充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，同時(shí)放電也會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失，因此需要隔一段固定時(shí)間對(duì)SDRAM進(jìn)行預(yù)刷新操作，MT48LC64M4A2芯片需要在64 ms內(nèi)實(shí)現(xiàn)8192次預(yù)刷新以保證數(shù)據(jù)不丟失。SDRAM的地址是分時(shí)復(fù)用的，在不同時(shí)間段內(nèi)分別送出行地址(A［12:0］范圍:0～8 k)，列地址(A［8:0］范圍:0～256)。MT48LC64M4A2芯片54個(gè)引腳包括以下重要的控制信號(hào)引腳:寫(xiě)使能信號(hào)WE;行地址選通脈沖RAS;列地址選通脈沖CAS;L－bank選擇信號(hào)BA0，BA1;掩碼DQM;地址信號(hào) A［12:0］;數(shù)據(jù)信號(hào) DQ［15:0］［3］。

2.2.2 SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

SDRAM控制器由時(shí)鐘模塊、命令監(jiān)控模塊、命令譯碼模塊、數(shù)據(jù)傳遞模塊等幾部分組成，支持1，2，4，8和全頁(yè)突發(fā)等突發(fā)模式。SDRAM狀態(tài)轉(zhuǎn)移如圖3所示。

圖3 SDRAM狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖

系統(tǒng)上電后對(duì)SDRAM進(jìn)行初始化，等待100 μs獲得穩(wěn)定的電源和時(shí)鐘，然后對(duì)所有L－bank進(jìn)行預(yù)充電以及預(yù)刷新命令。最后通過(guò)LMR命令向模式寄存器中寫(xiě)入0x033，以支持8 bit突發(fā)長(zhǎng)度的讀寫(xiě)操作。

系統(tǒng)完成初始化以后，進(jìn)入idle狀態(tài)，等待刷新命令、寫(xiě)命令、讀命令的到來(lái)。主控制器根據(jù)需要，向SDRAM控制器發(fā)出各種操作命令，命令優(yōu)先級(jí)為正在執(zhí)行的命令最高，其次為預(yù)刷新命令，然后是其他命令。根據(jù)這種優(yōu)先級(jí)機(jī)制能有效地減少命令沖突，提高SDRAM的工作效率［4］。

讀寫(xiě)操作是SDRAM要進(jìn)行的主要操作，該設(shè)計(jì)所采用的是8 bit突發(fā)讀寫(xiě)模式，當(dāng)接收FIFO接收到8個(gè)AD采樣數(shù)據(jù)以后，主控制器向SDRAM控制器發(fā)起突發(fā)寫(xiě)命令，開(kāi)始執(zhí)行寫(xiě)進(jìn)程，發(fā)送ACTIVE命令，激活要操作單元的行，發(fā)送寫(xiě)命令同時(shí)激活相應(yīng)列，ACTIVE命令和寫(xiě)命令之間要等待tRCD時(shí)間，寫(xiě)命令發(fā)起的初始地址由主控制模塊生成，用戶在PC機(jī)界面上輸入要延時(shí)的數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)，主控制器根據(jù)這個(gè)長(zhǎng)度自動(dòng)計(jì)算出初始寫(xiě)地址，由SDRAM讀寫(xiě)地址差來(lái)實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的延時(shí)。

當(dāng)寫(xiě)進(jìn)程執(zhí)行完畢以后，控制器跳轉(zhuǎn)至讀進(jìn)程，與寫(xiě)進(jìn)程類(lèi)似，在ACTIVE命令之后發(fā)起讀命令，數(shù)據(jù)將在CAS Latency個(gè)周期后出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。關(guān)閉當(dāng)前使用的行，有兩種方式:一種是發(fā)起precharge命令，一種是發(fā)起burst terminate命令。當(dāng)需要對(duì)同一個(gè)bank中的不同行進(jìn)行操作的時(shí)候，需要發(fā)起precharge命令，來(lái)關(guān)閉當(dāng)前使用行。

需要注意的是，當(dāng)操作行地址和突發(fā)長(zhǎng)度設(shè)定以后，以突發(fā)長(zhǎng)度個(gè)列組成一個(gè)模塊，這個(gè)操作模塊的設(shè)定由地址線A［8:3］完成，地址線A［2:0］指定讀寫(xiě)操作在這個(gè)模塊中的初始列地址，讀或?qū)懖僮鞫紝⒃谶@個(gè)模塊中執(zhí)行，直到指定下一次操作的具體地址。

3 硬件平臺(tái)及測(cè)試結(jié)果

在Altera公司的開(kāi)發(fā)工具quartusII環(huán)境下完成了射頻延時(shí)器可編程模塊的設(shè)計(jì)，可編程模塊采用的是Altera公司的Cyclone III EP3C120F484C8的FPGA芯片和Micron公司的MT48LC64M4A2芯片，系統(tǒng)在搭建的硬件平臺(tái)上進(jìn)行測(cè)試。軟件測(cè)試結(jié)果如圖4所示。

圖4 測(cè)試結(jié)果

圖4中，datain為射頻延時(shí)器A/D變換后的射頻接收數(shù)據(jù)，dataout為經(jīng)可編程模塊后的輸出數(shù)據(jù);delay為延時(shí)數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)，可以看出，當(dāng)延時(shí)數(shù)設(shè)為408，數(shù)據(jù)在經(jīng)過(guò)延時(shí)器控制后，相對(duì)于沒(méi)有延時(shí)(delay為0)的情況，數(shù)據(jù)延時(shí)了408個(gè)數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的延時(shí)調(diào)整。

4 結(jié)論

測(cè)試結(jié)果表明，SDRAM的高速處理速率能夠滿足高速實(shí)時(shí)處理數(shù)據(jù)的要求，射頻延時(shí)器數(shù)據(jù)延時(shí)精度最高可達(dá)納秒級(jí)，從而保證設(shè)計(jì)穩(wěn)定可靠，符合設(shè)計(jì)要求，射頻延時(shí)器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)有效地降低了因傳輸速率不同和多徑干擾所造成的數(shù)據(jù)間相互干擾，避免了因此而造成的數(shù)據(jù)處理失真等問(wèn)題。

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