美高森美使用英特爾22 nm Tri-Gate晶體管技術(shù)進行開發(fā)，預計于2014年底到2015年初提供產(chǎn)品

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布利用英特爾公司(INTC)業(yè)界領先的onshore代工技術(shù)和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術(shù)，開發(fā)先進的高性能數(shù)字集成電路(IC)和系統(tǒng)級芯片(SoC)解決方案。

這項于2013年1月簽署的協(xié)議與美高森美的戰(zhàn)略相一致，將充分利用公司廣泛的高技術(shù)產(chǎn)品爭取更高性能和更高價值的機會。英特爾的Tri-Gate晶體管提供了空前的性能和功效組合，使得美高森美能夠開發(fā)出用于高性能計算、網(wǎng)絡加速和信號處理應用的數(shù)字IC產(chǎn)品。目前美高森美正在與客戶接洽，并且開始使用英特爾22 nm工藝節(jié)點進行設計，預計將于2014年底到2015年初提供產(chǎn)品。

美高森美集成電路集團執(zhí)行副總裁Paul Pickle表示：“我們所瞄準的高價值應用兼?zhèn)洫毺氐男阅芎蛷碗s的功能特性的解決方案，通過使用英特爾的創(chuàng)新工藝技術(shù)和經(jīng)過硅產(chǎn)品驗證的IP，能夠為通信和國防市場提供性能較高、功率較低的數(shù)字IC產(chǎn)品，擴大所在服務市場的機會。”

(美高森美公司供稿)