全面改善當(dāng)前閃存的可靠性、耐久度及成本

北京2013年9月4日電/美通社/--LSI公司(NASDAQ：LSI)發(fā)布其最新LSI SandForce閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù)，并在近期舉行的美國(guó)加州閃存存儲(chǔ)器峰會(huì)上進(jìn)行了演示。

LSISandForce閃存控制器的新技術(shù)包括LSISHIELDTM技術(shù)。這是一種高級(jí)的糾錯(cuò)方法，即便同時(shí)使用出錯(cuò)率較高的廉價(jià)閃存存儲(chǔ)器也能實(shí)現(xiàn)企業(yè)級(jí)的SSD耐久度和數(shù)據(jù)完整性。SHIELD是低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)代碼與數(shù)字信號(hào)處理(DSP)的一種獨(dú)特實(shí)現(xiàn)，其將用于新一代SandForce閃存控制器。該技術(shù)完美融合硬判決、軟判決和DSP，可提供面向閃存存儲(chǔ)器的最優(yōu)化綜合糾錯(cuò)碼(ECC)解決方案。

LSISHIELD技術(shù)與現(xiàn)有的LDPC實(shí)現(xiàn)方式相比具有多種優(yōu)勢(shì)，并集合了如下特性：

·自適應(yīng)編碼速率：在SSD生命周期內(nèi)動(dòng)態(tài)地平衡性能與可靠性；

·智能處理瞬態(tài)噪聲：降低總體LDPC延遲，改善ECC效率；

·多級(jí)ECC模式：適時(shí)地應(yīng)用更高級(jí)別的ECC，實(shí)現(xiàn)延遲最小化，同時(shí)保持最佳閃存性能。

LSI副總裁兼閃存組件部總經(jīng)理Huibert Verhoeven表示：“雖然 NAND閃存存儲(chǔ)器的價(jià)值得以提升，且不斷推動(dòng)閃存存儲(chǔ)解決方案的普及率，但必須考慮的是，現(xiàn)今產(chǎn)品制造尺寸的縮小會(huì)帶來(lái)可靠性降低和使用壽命縮短等問(wèn)題。LSISHIELD技術(shù)能憑借專門針對(duì)SSD進(jìn)行優(yōu)化的高級(jí)糾錯(cuò)功能解決這些難題，并將最新NAND閃存存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)化為更加穩(wěn)健的存儲(chǔ)解決方案?！?/p>

最新技術(shù)亮點(diǎn)：

·SHIELD技術(shù)：演示過(guò)程中將根據(jù)閃存的各種原始比特差錯(cuò)率(RBER)對(duì)三種技術(shù)進(jìn)行比較，用以展示SHIELD技術(shù)與現(xiàn)有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)代碼相比在糾錯(cuò)方面所具備的優(yōu)勢(shì)。

·DuraW riteTMVirtual Capacity(DVC)：是一種獨(dú)特的SandForce閃存控制器功能，可在底層閃存存儲(chǔ)器物理容量的基礎(chǔ)上擴(kuò)大典型數(shù)據(jù)的可用存儲(chǔ)容量。通過(guò)增加相同物理閃存存儲(chǔ)器容量，DVC可幫助降低每GB的用戶存儲(chǔ)成本。LSI利用典型數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用進(jìn)行的內(nèi)部測(cè)試表明，DVC可將用戶數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)容量提升三倍多。演示DVC功能的過(guò)程中展示了該技術(shù)的多種應(yīng)用。

· 東芝先進(jìn) 19nm閃存：LSI SandForce SF-2000閃存控制器現(xiàn)已支持東芝第二代先進(jìn)19nm NAND閃存存儲(chǔ)器(A19nm)，使SSD制造商能夠制造出成本更低的SSD產(chǎn)品。本演示將展示設(shè)置為二級(jí)驅(qū)動(dòng)器的東芝A19nm閃存技術(shù)SSD，介紹典型文件傳輸操作。