李興國
(天津工業(yè)大學 電氣工程與自動化學院,天津300387)
目前,激光脈沖測距法具有探測距離遠、對光源相干性要求低等優(yōu)點,被廣泛應用于各個領域。它利用激光脈沖持續(xù)時間極短、能量相對集中、瞬時功率大的特點,在平均光功率相同的條件下,能夠?qū)崿F(xiàn)長距離測量。但是,如果要求滿足一定激光脈沖測距的精度,例如精確到ps級,這就對電子技術提出了更高要求。市場提供的高精度激光傳感器雖然可以實現(xiàn),但是造價太高,不能廣泛應用。隨著集成電路技術的發(fā)展,Microchip公司推出了可以識別脈沖之間精確時間的技術。根據(jù)Microchip公司的集成新技術CTMU(Charge Time Measurement Unit),我們采用一片帶CTMU 的PIC單片機來實現(xiàn)激光脈沖測距儀的所有功能,大大降低了設計難度,縮短了開發(fā)周期,降低了功耗和成本,實現(xiàn)了高精度、遠距離的動態(tài)測量。
充電時間測量單元CTMU 是一個靈活的模擬模塊,它提供脈沖源之間的精確時間差測量及異步脈沖生成。CTMU 可與其他片上模擬模塊一起,用于精確測量時間、電容、電容的相對變化,或生成具有特定延時的輸出脈沖。該模塊主要有以下特性:
◆最多16路通道,可用于電容或時間測量輸入;
◆具有片上精確電流源;
◆具有4個邊沿輸入觸發(fā)源;
◆可實現(xiàn)高精度時間測量;
◆具有與系統(tǒng)時鐘異步的外部或內(nèi)部信號的延時。
CTMU與A/D轉(zhuǎn)換器配合工作,根據(jù)具體器件和可用的A/D轉(zhuǎn)換通道數(shù)進行時間或電荷測量。如果配置為產(chǎn)生延時,那么CTMU 連接到其中一個模擬比較器。電平輸入邊沿源可以從4個源中選擇:兩個外部輸入、Timer1和輸出比較模塊1(OCAP1)。CTMU結構框圖如圖1所示。
CTMU 的工作方式是使用固定電流源來對電路進行充電。電路的類型取決于要進行測量的類型。在進行電荷測量的情況下,電流是固定的,向電路施加電流的時間也是固定的。這樣只要通過A/D轉(zhuǎn)換測得電壓就可以測得電路的電容。在進行時間測量的情況下,電流和電路的電容都是恒定的,這種情況下,由A/D轉(zhuǎn)換讀取的電壓可以代表從電流源開始對電路進行充電到停止充電經(jīng)過的時間。如果CTMU 用于產(chǎn)生延時,那么電容和電流源,以及向比較器電路提供的電壓都是固定的,信號的延時由將電壓充電到比較器門限電壓所需的時間決定。
圖1 CTMU結構框圖
簡單地說,CTMU 是一個片上恒流源,周圍的數(shù)字電路用于精確控制它的操作。該電流源可在0.55~550μA的4個數(shù)值均相差十倍的范圍下工作。
1.2.1 恒流源
CTMU 的核心是高精度電流源,旨在提供用于測量的恒定基準。范圍為0.55μA、5.5μA、55μA 和550μA 電流源,在每個范圍中,可按2%的步幅進行輸出微調(diào),最高可調(diào)至±62%。利用CTMU 電荷測量可以產(chǎn)生小于1ns的時間測量分辨率,CTMU 電流源工作原理如圖2所示。
電流源通過外部或內(nèi)部觸發(fā)源觸發(fā),具有Timer1、輸出比較、輸入捕獲、軟件觸發(fā)和兩個外部引腳的任意組合等特性;具有4個邊沿輸入觸發(fā)源;具有每個邊沿源的極性控制、邊沿順序控制和控制對邊沿的響應。
圖2 CTMU電流源工作原理圖
1.2.2 PIC單片機的CTMU與ADC單元
CTMU 可以與ADC單元連接實現(xiàn)對電容的電壓值采樣。PIC MCU A/D轉(zhuǎn)換與CTMU 接口電路如圖3所示。
CTMU 用于測量初始發(fā)送脈沖和其反射的返回信號之間的往返時間,由此可確定測量距離,精確到1 英尺。激光脈沖傳輸時間測距是通過準確測量激光脈沖發(fā)射和接收時刻來實現(xiàn)的,光電探測器件將發(fā)射脈沖的小部分激光及探測到的激光回波信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺謩e觸發(fā)測距計數(shù)器開始和結束計時,由此獲得光脈沖傳輸時間。經(jīng)數(shù)據(jù)計算得到距離值z=C·ΔT/2。其中,C表示真空中的光速,ΔT 表示激光往返時間。
圖4是利用CTMU 進行脈沖激光測距的具體原理圖。當發(fā)出激光脈沖時,電流源對電容CAD進行充電,當接到返回脈沖后,停止充電。
圖3 CTMU與ADC接口圖
圖4 CTMU測量時間原理圖
圖4中,電容總和C=CAD+CPIN+CSTRAY。其中CPIN為引腳電容,CSTRAY為偏差電容。
時間測量的工作原理基于以下基本公式。
電容中的瞬時電流為I=C·(dv/dt),I和C是常量,所以重新調(diào)整公式得dt=(C/I)·dv。積分之后,T=(C/I)·V+K(通常K 為0)。
CTMU 模塊提供了恒定、已知的電流源。A/D 轉(zhuǎn)換器用于測量公式中的電壓V,電容C為電容總和,因此,T與V 成正比。
如果使用的是PIC24F 系列單片機,其內(nèi)部ADC 為10位(1 024個計數(shù))。
假設:I=55μA,C=CAD+CPIN+CSTRAY=15pF,A/D轉(zhuǎn)換參考電壓VREF=VDD。
如果VDD=3.0V,則1個A/D 轉(zhuǎn)換計數(shù)V=3.0V/1 024=2.93 mV,CTMU 時間分辨率為T=(15pF/55 μA)×2.93mV=0.799ns。
因此,分辨率可達到<1ns。光每米的傳播時間為6.6ns,所以該電路的分辨率為12 mm。若想提高分辨率,還可以選擇精度更高的A/D 轉(zhuǎn)換器。激光脈沖測距的動態(tài)范圍:0.799ns·1 024=818.176ns,因此,選用15 pF的電容可測量120m 的距離。
為了獲得更高的分辨率,可以使用PIC24FJGA310單片機,其內(nèi)部ADC 為12位(4 096 個計數(shù)),若取I=550 μA,C=CAD=4.4pF,VREF=VDD,且VDD=3.0V,則1個A/D計數(shù)V=3.0V/4 096=0.732 4mV,則CTMU 時間分辨率為T=(4.4pF/550μA)×0.732 4mV=0.006ns。因此,分辨率可達到<10ps。
提高分時間辨率的方法包括:降低A/D轉(zhuǎn)換VREF;使用內(nèi)部CTMU 通道(無外部引腳連接);使用外部高分辨率ADC。
為了維持恒流,CTMU 電流源需要一個很小的電壓開銷通常為VDD-0.5V,如圖5所示。
圖5 CTMU電壓開銷示意圖
為了維持恒流,CTMU 電流源需要一個很小的電壓開銷,通常為VDD-0.5 V=2.8 V。將動態(tài)范圍限制為ADC輸入范圍的85%,即2.8 V,或使用外部參考電壓VREF=2.5V,這將允許100%的ADC輸入范圍。CTMU電壓開銷示意圖如圖5所示。
根據(jù)設計,校準之后CTMU 電流源的精度為1%。
假設:I=55μA,C=CAD+CPIN+CSTRAY=15pF,A/D轉(zhuǎn)換VREF=外部2.5V,動態(tài)范圍T=(15pF/55μA)×2.5V=682ns,則線性工作范圍內(nèi)的精度為1%×682ns=6.8ns
通常的方法是增大電容和降低電流,在兩種情況下,電容C的充電時間都會變長,延長了時間測量的周期,但是,這兩種方法都會降低分辨率。因此,我們使用粗粒度時間和細粒度時間組合的計算方法,就可以實現(xiàn)既擴大CTMU 動態(tài)范圍而又不損失分辨率。
將CTMU 與輸入捕捉(ICAP)、輸出比較(OCMP)或Timer1組合使用。基于指令時鐘周期TCY 提供“粗粒度”的同步時間間隔(例如,對于PIC24FJGA310,以16 MIPS工作時,指令時鐘周期為62.5ns)。CTMU 用于測量“細粒度”的異步時間間隔。
測量總時間=粗粒度時間+細粒度時間,CTMU 和ICAP組合長時間測量示例圖如圖6所示。其中,TICAP=TCY×(8 002-2)+(T1-T2)=500μs+(T1-T2)。
圖6 CTMU和ICAP組合長時間測量示例圖
粗粒度測量的精度取決于晶振,晶振的精度一般為0.02%。細粒度測量500ns 范圍內(nèi)CTMU 的精度為1%,即為1%×(0.500μs/500μs)=0.001%,因此,總精度=粗粒度+細粒度=0.02%+0.001%=0.021%,由上可知測量時間的精度主要由晶振精度決定。
本文基于PIC單片機的CTMU 技術,提出了一種高精度測距的實現(xiàn)方法。該設計只要一片PIC單片機,無需復雜電路就可實現(xiàn)激光脈沖測距,簡化了設計,提高了數(shù)據(jù)采集的精度,測程遠,精度高,價格合理,操作簡便,在實際測量中將發(fā)揮重要作用。隨著汽車電子技術的發(fā)展,這種測量方法為汽車的自適應巡航控制(Adaptive Cruise Control,ACC)系統(tǒng)等應用提供了新的設計思路。
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