黃武
(中國電子科技集團公司第41研究所 安 徽 蚌 埠 2 33010)
3GPP組織在LTE系統(tǒng)中定義了3類跳頻方式:調(diào)度決定頻域位置的跳頻、分段的偽隨機化跳頻和鏡像跳頻。在LTE寬帶系統(tǒng)中,跳頻技術(shù)在上行的數(shù)據(jù)傳輸中被采用。LTE系統(tǒng)支持兩種跳頻方式,一個是子幀間跳頻,一個是子幀內(nèi)跳頻。兩種方式的區(qū)別在于跳頻的時間間隔。
在LTE-Advanced中,由于引入了增強MIMO和載波聚合等先進技術(shù),對接收機的帶寬要求達到100 MHz的量級,隨著帶寬的增加,勢必影響接收機的諸多性能,特別是干擾、雜散等指標將進一步惡化,從而影響數(shù)字調(diào)制測量參數(shù)如EVM等指標的降低,這也大大損害了接收機的整機性能。所以,在大帶寬測量時,往往采取在不改變分析帶寬的前提下,通過本振的多次跳變來進行大測量帶寬的擬合,保證了大帶寬下的接收機的測量指標。
跳頻速度的高低直接反映跳頻系統(tǒng)的性能,跳頻越高抗干擾的性能越好,軍用的跳頻系統(tǒng)可以達到每秒上萬跳。實際上第二代移動通信GSM系統(tǒng)也是跳頻系統(tǒng),其規(guī)定的跳頻為每秒217跳。出于成本的考慮,商用跳頻系統(tǒng)跳速都較慢,一般在50跳/秒以下。由于慢跳頻系統(tǒng)實現(xiàn)簡單,因此低速無線局域網(wǎng)產(chǎn)品常常采用這種技術(shù)。
LTE的幀結(jié)構(gòu)(TDD)如圖l所示。一個10 ms的無線幀由兩個半楨構(gòu)成,每個半幀5 ms,每個半幀由上行子幀、下行子幀和特殊子幀構(gòu)成。每個子幀長度為1 ms,由兩個長度為0.5ms的時隙構(gòu)成,特殊子幀包含3個部分:DwPTS(下行導(dǎo)頻時隙)、GP(保護間隔)、UpPTS(上行導(dǎo)頻時隙),其中 GP 是用作上下行子幀轉(zhuǎn)換的保護間隔。DwPTS可以發(fā)送下行數(shù)據(jù),而GP和UpPTS則不能發(fā)送數(shù)據(jù)。
圖1 TD-LTE幀格式結(jié)構(gòu)Fig.1 Configuration of frame for TD-LTE
LTE上行鏈路通常采用跳頻傳輸方式,即用戶在一個子幀的2個時隙中占用不同的頻帶,并可為LTE上行鏈路提供額外的頻率分集和干擾分集,但是,跳頻傳輸方式也會導(dǎo)致相差法失效。因此,LTE上行鏈路中的跳頻應(yīng)用也受到一定的限制,要求跳頻速度在20 μs以內(nèi),才能有效地確保鏈路最大頻偏在其估計范圍以內(nèi)。
近年來,隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展和各種新技術(shù)的應(yīng)用,出現(xiàn)了很多頻率合成方案,相應(yīng)的帶來了跳頻技術(shù)的快速發(fā)展,目前歸納起來,實現(xiàn)跳頻頻率合成的基本方法有三種:直接頻率合成法、鎖相頻率合成法和直接數(shù)字合成法。其中直接頻率合成法所用模擬器件多,實現(xiàn)過程中用到大量的開關(guān)、混頻器和濾波器,帶來了體積、功耗、屏蔽措施、制作工藝等相關(guān)要求,所以大規(guī)模集成較為困難,特別是體積和重量的限制,在90年代有被淘汰的趨勢,現(xiàn)今隨著工藝的進步又出現(xiàn)生機;直接數(shù)字合成法(DDS)的特點是可獲得極高的頻率分辨率,頻率切換時間極短,便于集成;缺點是合成頻段較低,輸出帶寬也受到限制,且輸出雜散難以解決[1]。目前代表產(chǎn)品有AD公司的AD9858、AD9910等產(chǎn)品,其輸入最高時鐘頻率達到2GHz,輸出最高合成頻率在450 MHz左右。綜上所述,目前研究最深、應(yīng)用最廣的跳頻頻率合成方式仍是鎖相頻率合成法[2]。
鎖相跳頻頻率合成關(guān)注的技術(shù)指標有:輸出頻率范圍、輸出頻率分辨率、頻率雜散、相位噪聲與跳頻速度等。針對這些參數(shù)分別采用不同技術(shù)來達到設(shè)計要求,在環(huán)路中采用可編程分頻器,提高輸出頻率;采用小數(shù)分頻技術(shù)解決分辨率問題;改變環(huán)路帶寬,利用環(huán)路的窄帶濾波特性,來抑制相位噪聲和雜散,提高信號的頻譜純度[3]。本文主要討論通過改變環(huán)路的特性參數(shù),加快環(huán)路的鎖定時間,從而提高頻率切換時間,滿足TD-LTE綜合測試儀的跳頻要求。
鎖相環(huán)環(huán)路相位模型如圖2所示,根據(jù)鎖相環(huán)理論,可推得二階環(huán)的開環(huán)傳遞函數(shù)為[1]:
圖2 鎖相環(huán)環(huán)路相位模型Fig.2 Model of phase for pll
其中 φi為參考輸入相位,φo為輸出相位,φe為鑒相輸出相位差,φb為反饋相位,Kd為鑒相器增益,F(xiàn)(s)為環(huán)路濾波器傳遞函數(shù),N為分頻器分頻比,Ko/S為VCO的線性模型。
其閉環(huán)傳遞函數(shù)為:
ωn和ξ是環(huán)路的兩個重要參數(shù),與鎖相環(huán)的鎖定時間相關(guān),由閉環(huán)傳遞函數(shù)公式通過拉普拉斯變換的終值定理可以推出環(huán)路鎖定時間的表達式。
設(shè)頻率從發(fā)f1跳到f2,通過拉普拉斯反變換得到頻率階躍響應(yīng)為:
從上式可以看出,環(huán)路鎖定時間與頻率跳變范圍、阻尼系數(shù)和環(huán)路固有頻率相關(guān),與頻率跳變范圍成正比,與成反比關(guān)系。
可見,在可調(diào)的參數(shù)范圍內(nèi),鎖相環(huán)頻率合成器的跳頻速度主要由其帶寬決定,如何增加環(huán)路帶寬而又不降低其他指標,成為提高其跳頻速度的主要方法。與其對應(yīng),變帶寬技術(shù)在頻率合成和鎖相技術(shù)中被大量的探討。如果一味地增加環(huán)路帶寬,將勢必損害輸入信號頻譜純度,變帶寬雖然可以通過改變環(huán)路中任何一部分來實現(xiàn),但主要是由鑒相器和環(huán)路濾波器來完成。改進鑒相特性,增加鑒頻功能,可擴展環(huán)路的捕捉帶寬,有利于縮短頻率捕獲時間。當(dāng)環(huán)路未鎖時,增加環(huán)路帶寬,使頻率切換時間減小,同時縮小鑒相時的頻差,縮小環(huán)路的捕獲時間,加快了跳頻時間。一般當(dāng)環(huán)路鎖定后,恢復(fù)或減小環(huán)路帶寬以抑制相位噪聲和雜散[4-5]。
本方案在基本鎖相環(huán)的基礎(chǔ)上增加跳頻預(yù)置電路,如圖3所示。當(dāng)LTE綜測儀工作在非跳頻狀態(tài)下,本振工作在鎖相狀態(tài),保證寄生、雜散等指標;當(dāng)LTE綜測儀工作在跳頻狀態(tài)時,本振切換增加跳頻預(yù)置電路,來改善環(huán)路參數(shù)提高跳頻速度。
圖3 鎖相環(huán)跳頻預(yù)置原理圖Fig.3 Pll frequency hopping preset schematics
根據(jù)鎖相環(huán)理論,鎖相環(huán)頻率合成器的頻率切換過程,分為頻率捕獲與相位跟蹤兩階段。頻率捕獲時間與初始頻差有關(guān)。相位跟蹤時間由環(huán)路參數(shù)決定,實際運算可知,頻率捕獲時間遠大于相位跟蹤時間[6],增加預(yù)調(diào)DAC,就是通過減小初始頻差來縮短占據(jù)頻率切換過程主要時長的頻率捕獲時間,相當(dāng)于微波電路中YTO的預(yù)置一樣,拉近了初始頻差。當(dāng)LTE綜測儀工作在跳頻狀態(tài)時,在開始跳頻前,LTE綜測儀增加了一個跳頻學(xué)習(xí)過程,即在每一個跳頻頻率點,由跳頻碼尋址,獲得其在環(huán)路鎖定狀態(tài)下相對應(yīng)的預(yù)調(diào)電壓值,經(jīng)CPU存入跳頻RAM中,在跳頻過程中,強迫VCO在新的頻率附近振蕩,這樣就達到了減小頻差,提高跳頻速度的要求[7]。
本方案應(yīng)用于某TD-LTE綜合測試儀中的跳頻合成器中可達到如下指標:在合成器的單頻段頻率跳變時間的典型值為16 μs;而整個合成器的頻率切換時間還受到調(diào)制帶寬的限制,跳頻的快慢與載波頻率高低有關(guān)??珙l段頻率跳變時間的典型值為100 μs。圖4為本裝置在設(shè)置4個跳頻點進行頻率跳變時,用實時頻譜儀實測的跳頻速度值,3個時間間隔測量值為46 μs,即每兩點之間的跳頻時間約為16 μs。滿足LTE綜測儀對跳頻速度的設(shè)計要求。
圖4 跳頻速度測量Fig.4 Hopping speed measurement
本文提出了一種改善鎖相環(huán)路參數(shù),提高頻率切換速度的方法,該方法是通過增加跳頻前的預(yù)置,動態(tài)調(diào)整VCO的預(yù)置電壓,從而得到改善環(huán)路的鎖定的牽引條件、縮短環(huán)路頻率捕獲的鎖定時間,提高頻率合成器跳頻速度指標。通過實驗表明,該方案實現(xiàn)的LTE綜測儀頻率切換速度達到了16 μs的量級,與國外先進的跳頻儀表相當(dāng),完全可以滿足TD-LTE綜合測試儀對跳頻速度的要求。
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