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      基于單片機(jī)的光電檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

      2014-08-14 05:25唐繁張吉左
      電腦知識(shí)與技術(shù) 2014年19期
      關(guān)鍵詞:單片機(jī)

      唐繁 張吉左

      摘要:該文介紹在單片機(jī)最小系統(tǒng)基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了光電檢測(cè)系統(tǒng)。該檢測(cè)系統(tǒng)外圍電路主要有指示二極管、發(fā)光二極管、光敏三極管組成。該文利用軟硬件相結(jié)合的方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。為了驗(yàn)證設(shè)計(jì)的可行性,在設(shè)計(jì)中利用Protues進(jìn)行仿真分析,仿真結(jié)果顯示電路結(jié)構(gòu)正確,達(dá)到設(shè)計(jì)的目的。

      關(guān)鍵詞:?jiǎn)纹瑱C(jī);發(fā)光二極管;光敏三極管

      中圖分類號(hào):TN702 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1009-3044(2014)19-4586-03

      近年來(lái),自動(dòng)控制技術(shù)及生產(chǎn)自動(dòng)化在國(guó)家工業(yè)建設(shè)中發(fā)揮了非常重要的角色。光電檢測(cè)在自動(dòng)控制和自動(dòng)生產(chǎn)中起著不可替代的作用。早起自動(dòng)化生產(chǎn),一般采用機(jī)械化方式,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和集成電路的出現(xiàn),自動(dòng)化生產(chǎn)越來(lái)越多的采用電器方式,光電檢測(cè)是電器方式自動(dòng)化經(jīng)常采用的技術(shù)之一。

      1 半導(dǎo)體二極管

      二極管的核心是PN結(jié),與PN結(jié)一樣,二極管具有單向?qū)щ娦裕?,由于二極管存在體電阻和引線電阻,二極管的伏安特性與PN結(jié)的伏安特性略有不同,在正向電壓相同的情況下,二極管的正向電流小于PN結(jié)的正向電流;在反向偏置相同的情況下,由于二極管存在表面漏電流,二極管的反向電流大于PN結(jié)的反向電流,在近似分析時(shí),PN結(jié)電流統(tǒng)一采用公式(1) 。

      [i=IS(euUT-1)] (1)

      測(cè)量二極管的伏安特性時(shí)發(fā)現(xiàn),只有在正向電壓足夠大時(shí),正向電流才從零隨端電壓按指數(shù)規(guī)律增大。使二極管開始導(dǎo)通的臨界電壓稱為開啟電壓Uon ,不同的材料制成的二極管,開啟電壓不同,相應(yīng)的導(dǎo)通電壓、反向飽和電流也不同,如圖1和表1。所示。本次設(shè)計(jì)用的是硅晶體二極管 [4]。

      圖1 二極管的伏安特性

      表1 兩種材料二極管對(duì)比

      [材料\&開啟電壓UOn/V\&導(dǎo)通電壓U/V\&反向飽和電流IS/μA\&硅(Si)\&≈0.5\&0.6-0.8\&<0.1\&鍺(Ge)\&≈0.1\&0.1-0.3\&幾十\&]

      發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED,由鎵(Ga)與砷(As)、磷(P)、氮(N)、銦(In)的化合物制成的二極管,當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出光波,因而可以用來(lái)制成各種發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光,銦鎵氮二極管發(fā)藍(lán)光。

      發(fā)光二極管把電能轉(zhuǎn)化成光能。當(dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)電子和空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射的光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同,當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量不同,發(fā)出的光波長(zhǎng)不同。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。這里我們選用紅色發(fā)光二極管。發(fā)光二極管原理與普通二極管一樣,不過(guò)它的開啟電壓比普通二極管的大,紅色的在1.6-1.8V之間,綠色的約為2V。正向電流愈大,發(fā)光愈強(qiáng)。

      2 光敏三極管

      光敏三極管一般有光敏二極管和三極管組成。光敏二極管也叫光電二極管。光敏二極管與半導(dǎo)體二極管在結(jié)構(gòu)上是類似的,其管芯是一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié),當(dāng)光線照射PN結(jié)時(shí),可以使PN結(jié)中產(chǎn)生電子一空穴對(duì),使少數(shù)載流子的密度增加,不過(guò)光敏二極管利用的是反向特性,工作時(shí)需加上反向電壓,當(dāng)受到光照時(shí), 載流子在反向電壓下漂移,反向飽和電流發(fā)生變化,它隨入射光強(qiáng)度的變化而變化,因此可以利用光照強(qiáng)弱來(lái)改變電路中的電流。

      光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件,和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上與普通二極管不同,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量做的小一些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。

      光敏三極管是有光敏二極管與普通三極管組合而成的,光敏二極管把光照轉(zhuǎn)化成電流傳遞給三極管基極,三極管把基極電流通過(guò)放大機(jī)理轉(zhuǎn)化成集電極電流實(shí)現(xiàn)放大。在protus環(huán)境中,發(fā)光二極管和光敏三極管組合在一起,如圖2所示。光敏三極管的輸出特性曲線如圖3所示。輸出特性曲線滿足公式(2) 。

      [iC=f(uCE)IB=常數(shù)] (2)

      圖2 光敏三極管

      圖3 光敏三極管輸出特性曲線

      3 主控單元

      單片機(jī)性能價(jià)格比高,體積小,重量輕,抗干擾能力強(qiáng),環(huán)境要求不高,可靠性高,靈活性好,開發(fā)較為容易。由于具有上述優(yōu)點(diǎn),單片機(jī)廣泛應(yīng)用在工業(yè)自動(dòng)化控制、自動(dòng)檢測(cè)、智能儀器儀表、家用電器等各個(gè)方面。該文采用AT89C51,AT89C51單片機(jī)是美國(guó)Atmel公司生產(chǎn)低電壓,高性能CMOS 8位單片機(jī)。AT89C51單片機(jī)主要由微處理器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、程序存儲(chǔ)器、4個(gè)8位并行I/O口、1個(gè)串行口、2個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、中斷系統(tǒng)、特殊功能寄存器等八個(gè)功能部件組成[7]。

      單片機(jī)的4個(gè)8位并行I/O口為P0、P1、P2、P3口。該文中只用到P1、P3口,下面簡(jiǎn)單介紹這兩個(gè)端口的特點(diǎn)。

      P1口:P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口。P1口鎖存器寫入1后,CMOS管截止,這時(shí)可用作輸入,P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。該文利用了P1.7管腳。當(dāng)有物體遮住光電檢測(cè)電路時(shí),P1.7管腳所接的發(fā)光二極管發(fā)光。

      P3口:由于單片機(jī)引腳數(shù)目有限,因此在P3口電路中增加了引腳的第二功能。P3口的某一引腳可以作為通用I/O使用,又可以根據(jù)需要,使用它的第二功能。該文利用了管腳P3.2的第二功能,也就是外部中斷。P3.2管腳平時(shí)高電平,當(dāng)有物體通過(guò)發(fā)光二極管和光敏三極管中間時(shí),P3.2管腳平時(shí)低電平,單片機(jī)檢測(cè)到電平由高電平變化到低電平時(shí),執(zhí)行中斷程序,發(fā)光二極管發(fā)光,給出指示。中斷程序框圖如圖4所示。

      當(dāng)有物體通過(guò)光電檢測(cè)電路時(shí),發(fā)光二極管發(fā)光, R6 為 ? 181 限流電阻。如圖5所示:

      圖5 發(fā)光電路

      光電檢測(cè)電路如圖6所示。當(dāng)開關(guān)物體通過(guò)時(shí)時(shí),發(fā)光二極管不會(huì)發(fā)光,此時(shí)光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)低電平,單片機(jī)檢測(cè)到低電平,執(zhí)行中斷程序,點(diǎn)亮發(fā)光二極管。當(dāng)沒(méi)有物體通過(guò)時(shí),光敏三極管接收到發(fā)光二極管發(fā)出的光,光敏三極管導(dǎo)通,電路中的三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)高電平,單片機(jī)處于等待狀態(tài)。

      圖6 光電檢測(cè)電路

      光電檢測(cè)整體電路如圖7所示。本電路結(jié)構(gòu)利用單片機(jī)的最小系統(tǒng),單片機(jī)的很多接口處于空閑狀態(tài),這為增加光電檢測(cè)電路功能提供了可能。因?yàn)樵诜抡鏁r(shí),無(wú)法模擬物體通過(guò)光電檢測(cè)系統(tǒng),在電路結(jié)構(gòu)中,以開關(guān)代替是否有物體通過(guò),當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),代表沒(méi)有物體通過(guò),當(dāng)開關(guān)打開時(shí)代表有物體通過(guò)。

      圖7 光電檢測(cè)整體電路

      4 結(jié)論

      本文利用單片機(jī)最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)了光電檢測(cè)電路,由仿真結(jié)果分析,本設(shè)計(jì)可以進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)計(jì)數(shù)、工業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控等。由

      于單片機(jī)的很多接口處于空閑狀態(tài),所以本系統(tǒng)可以增加其它檢測(cè)功能。本設(shè)計(jì)目的是檢驗(yàn)所學(xué)的理論知識(shí),為以后的工程設(shè)計(jì)打下基本技能。

      參考文獻(xiàn):

      [1] 雷玉堂.光電檢測(cè)技術(shù)[M].北京:中國(guó)計(jì)量出版社,1995.

      [2] 呂海寶.激光光電檢測(cè)[M].北京:國(guó)防科技大學(xué)出版社,2000.

      [3] 王清正,胡渝.光電探測(cè)技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1994.

      [4] 童詩(shī)白.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].4版.北京:高等教育出版社,2000.

      [5] 何利民.單片機(jī)高級(jí)教程[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,2000.

      [6] 李朝青.單片機(jī)原理與接口技術(shù)[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,1999.

      [7] 唐繼賢.《51單片機(jī)工程應(yīng)用實(shí)例》硬件部分[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社出版,2003.

      當(dāng)有物體通過(guò)光電檢測(cè)電路時(shí),發(fā)光二極管發(fā)光, R6 為 ? 181 限流電阻。如圖5所示:

      圖5 發(fā)光電路

      光電檢測(cè)電路如圖6所示。當(dāng)開關(guān)物體通過(guò)時(shí)時(shí),發(fā)光二極管不會(huì)發(fā)光,此時(shí)光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)低電平,單片機(jī)檢測(cè)到低電平,執(zhí)行中斷程序,點(diǎn)亮發(fā)光二極管。當(dāng)沒(méi)有物體通過(guò)時(shí),光敏三極管接收到發(fā)光二極管發(fā)出的光,光敏三極管導(dǎo)通,電路中的三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)高電平,單片機(jī)處于等待狀態(tài)。

      圖6 光電檢測(cè)電路

      光電檢測(cè)整體電路如圖7所示。本電路結(jié)構(gòu)利用單片機(jī)的最小系統(tǒng),單片機(jī)的很多接口處于空閑狀態(tài),這為增加光電檢測(cè)電路功能提供了可能。因?yàn)樵诜抡鏁r(shí),無(wú)法模擬物體通過(guò)光電檢測(cè)系統(tǒng),在電路結(jié)構(gòu)中,以開關(guān)代替是否有物體通過(guò),當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),代表沒(méi)有物體通過(guò),當(dāng)開關(guān)打開時(shí)代表有物體通過(guò)。

      圖7 光電檢測(cè)整體電路

      4 結(jié)論

      本文利用單片機(jī)最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)了光電檢測(cè)電路,由仿真結(jié)果分析,本設(shè)計(jì)可以進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)計(jì)數(shù)、工業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控等。由

      于單片機(jī)的很多接口處于空閑狀態(tài),所以本系統(tǒng)可以增加其它檢測(cè)功能。本設(shè)計(jì)目的是檢驗(yàn)所學(xué)的理論知識(shí),為以后的工程設(shè)計(jì)打下基本技能。

      參考文獻(xiàn):

      [1] 雷玉堂.光電檢測(cè)技術(shù)[M].北京:中國(guó)計(jì)量出版社,1995.

      [2] 呂海寶.激光光電檢測(cè)[M].北京:國(guó)防科技大學(xué)出版社,2000.

      [3] 王清正,胡渝.光電探測(cè)技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1994.

      [4] 童詩(shī)白.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].4版.北京:高等教育出版社,2000.

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      [6] 李朝青.單片機(jī)原理與接口技術(shù)[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,1999.

      [7] 唐繼賢.《51單片機(jī)工程應(yīng)用實(shí)例》硬件部分[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社出版,2003.

      當(dāng)有物體通過(guò)光電檢測(cè)電路時(shí),發(fā)光二極管發(fā)光, R6 為 ? 181 限流電阻。如圖5所示:

      圖5 發(fā)光電路

      光電檢測(cè)電路如圖6所示。當(dāng)開關(guān)物體通過(guò)時(shí)時(shí),發(fā)光二極管不會(huì)發(fā)光,此時(shí)光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)低電平,單片機(jī)檢測(cè)到低電平,執(zhí)行中斷程序,點(diǎn)亮發(fā)光二極管。當(dāng)沒(méi)有物體通過(guò)時(shí),光敏三極管接收到發(fā)光二極管發(fā)出的光,光敏三極管導(dǎo)通,電路中的三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)高電平,單片機(jī)處于等待狀態(tài)。

      圖6 光電檢測(cè)電路

      光電檢測(cè)整體電路如圖7所示。本電路結(jié)構(gòu)利用單片機(jī)的最小系統(tǒng),單片機(jī)的很多接口處于空閑狀態(tài),這為增加光電檢測(cè)電路功能提供了可能。因?yàn)樵诜抡鏁r(shí),無(wú)法模擬物體通過(guò)光電檢測(cè)系統(tǒng),在電路結(jié)構(gòu)中,以開關(guān)代替是否有物體通過(guò),當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),代表沒(méi)有物體通過(guò),當(dāng)開關(guān)打開時(shí)代表有物體通過(guò)。

      圖7 光電檢測(cè)整體電路

      4 結(jié)論

      本文利用單片機(jī)最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)了光電檢測(cè)電路,由仿真結(jié)果分析,本設(shè)計(jì)可以進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)計(jì)數(shù)、工業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控等。由

      于單片機(jī)的很多接口處于空閑狀態(tài),所以本系統(tǒng)可以增加其它檢測(cè)功能。本設(shè)計(jì)目的是檢驗(yàn)所學(xué)的理論知識(shí),為以后的工程設(shè)計(jì)打下基本技能。

      參考文獻(xiàn):

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      [2] 呂海寶.激光光電檢測(cè)[M].北京:國(guó)防科技大學(xué)出版社,2000.

      [3] 王清正,胡渝.光電探測(cè)技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1994.

      [4] 童詩(shī)白.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].4版.北京:高等教育出版社,2000.

      [5] 何利民.單片機(jī)高級(jí)教程[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,2000.

      [6] 李朝青.單片機(jī)原理與接口技術(shù)[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,1999.

      [7] 唐繼賢.《51單片機(jī)工程應(yīng)用實(shí)例》硬件部分[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社出版,2003.

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