肖君,魏聰,孔祥鵬,蘇鵬,楊輔軍,陳曉琴
(湖北大學(xué)物理學(xué)與電子技術(shù)學(xué)院,湖北 武漢430062)
多鐵材料的性質(zhì)有鐵電性、鐵磁性及鐵彈性,尤其是存在于這些物理性質(zhì)間的耦合,使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、自旋閥、自旋電子學(xué)以及傳感器的制備上具有潛在的應(yīng)用前景[1-4].作為現(xiàn)代材料學(xué)的研究前沿,學(xué)術(shù)界一直致力于研發(fā)新型的既具有鐵電性又具有鐵磁性的單相多鐵化合物.至今,BiFeO3(BFO)是唯一能夠在室溫以上同時(shí)表現(xiàn)出鐵電性和磁性的單相多鐵材料,居里溫度TC為830℃,尼爾溫度TN為370℃[5],是目前研究較為廣泛的一種單相多鐵材料.但由于BFO中的Bi易揮發(fā),導(dǎo)致Fe的化合價(jià)發(fā)生改變,材料成分偏離化學(xué)計(jì)量比和存在各種雜相等原因,BFO具有很大的漏導(dǎo)電流.盡管稀土摻雜改性、與其他鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鐵電材料固溶等方法被用來(lái)改善BFO的性能,然而改善后的具有低漏導(dǎo)的BFO,雖具有鐵電應(yīng)用前景,但作為多鐵材料開(kāi)發(fā)應(yīng)用,還需解決弱的磁電耦合問(wèn)題.
有研究表明,對(duì)鈣鈦礦鐵電體進(jìn)行磁摻雜,可以將單純的鐵電體轉(zhuǎn)換為多鐵體,并可在部分材料中觀察到磁電耦合現(xiàn)象.Palkar等人發(fā)現(xiàn),用Fe離子部分替代PbTiO3中的Ti離子,可在保留PbTiO3材料鐵電性的同時(shí),為PbTiO3帶來(lái)室溫鐵磁性;不僅如此,他們還通過(guò)測(cè)試陶瓷樣品制備態(tài)和磁化態(tài)(磁場(chǎng)大小為2T)的電滯回線(xiàn)、制備態(tài)和極化態(tài)(電場(chǎng)大小為10kV/cm)的磁滯回線(xiàn),發(fā)現(xiàn)在Fe摻雜的PbTiO3體系中,發(fā)生了磁電耦合[6].華東師范大學(xué)的石旺舟小組系統(tǒng)研究了Fe摻雜BaTiO3體系的相關(guān)問(wèn)題,包括Fe的摻雜濃度、燒結(jié)氣氛和磁性元素的共摻雜對(duì)樣品磁性能的影響[7-9].清華大學(xué)的南策文,林元華小組采用PLD方法制備了Co摻雜的BaTiO3外延薄膜,發(fā)現(xiàn)了樣品的磁性能隨薄膜厚度的變化規(guī)律[10].然而,目前相關(guān)的磁摻雜致多鐵性的研究,在三層鈣鈦礦BTO研究領(lǐng)域還鮮見(jiàn)報(bào)道.Watanabe等人曾提出關(guān)于BTO鐵電材料的“位置工程學(xué)”理論[11],這一理論是基于在BTO材料中共同取代A和B位的部分離子.同時(shí)在 A位摻 Nd,B位摻Fe/Co,將合成相應(yīng)的成分(Bi3.15Nd0.85)(Ti2Fe0.5Co0.5)O11.5(BNTFC).本文中采用改進(jìn)的固相反應(yīng)法制備了 BNTFC陶瓷,并對(duì)陶瓷樣品進(jìn)行了多鐵性能表征.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在室溫下,BNTFC陶瓷不僅具有鐵電性,同時(shí)也表現(xiàn)出了鐵磁性,磁場(chǎng)對(duì)介電頻譜的影響證實(shí)了鐵磁序和鐵電序之間的耦合.
BNTFC陶瓷樣品的制備分為兩個(gè)步驟:1)采用改進(jìn)的固相反應(yīng)法制備Bi2Ti2O7粉末.按照化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取最初原料Bi2O3(分析純)和TiO2(光譜純),并充分研磨(Bi2O3過(guò)量15%(wt)用于彌補(bǔ)多次煅燒和高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中Bi的損失量).混合物在去離子水溶劑中球磨12h,分別在500、540、580℃下煅燒8h.2)將制備好的Bi2Ti2O7粉末同Nd2O3、Fe2O3、Co2O3和Bi2O3藥劑充分混合,其化學(xué)式配比為Bi2 Ti2O7∶Nd2O3∶Fe2O3∶Co2O3∶Bi2O3=1.000∶0.425∶0.250∶0.250∶0.575.將混合物球磨12h,并且在640℃溫度下,煅燒8h后,再將其球磨12h.最終,該粉末被壓成片狀,并將其在置于820℃的溫度下燒結(jié)4h,直至冷卻至室溫.
采用日本理學(xué)D/MAX-ⅢC全自動(dòng)X線(xiàn)衍射儀進(jìn)行樣品的物相分析.采用日本電子掃描電子顯微鏡(型號(hào)JSM6510)進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)分析.使用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)測(cè)試鐵磁性能.使用鐵電測(cè)試儀系統(tǒng)精密工作站(Precision LC型,Radiant Technologies公司生產(chǎn))測(cè)試室溫下的剩余極化曲線(xiàn).使用阻抗分析儀(型號(hào)WK-6420)測(cè)試介電頻譜.
圖1為BNTFC陶瓷樣品的X線(xiàn)衍射圖,圖中的衍射峰根據(jù)Bi3.15Nd0.85Ti3O12標(biāo)準(zhǔn)卡片(PDF#36-1486)標(biāo)定,同時(shí)也探測(cè)到焦綠石相的衍射峰.有報(bào)道表明,Bi的缺乏會(huì)導(dǎo)致焦綠石相的出現(xiàn)[12],因此,制備單相結(jié)構(gòu)的樣品,必須要添加更多的Bi過(guò)量.
圖1 BNTFC陶瓷的XRD圖譜
圖2為在室溫下BNTFC樣品的電滯回線(xiàn),盡管回線(xiàn)還未達(dá)到飽和狀態(tài),但依然可以明顯地看到鐵電性的存在.在最大電場(chǎng)165kV/cm的作用下,剩余極化(2Pr)和矯頑電場(chǎng)(2Ec)分別約為1.7μC/cm2和39kV/cm.圖2插圖所示為2Pr、2Ec和外加電場(chǎng)的關(guān)系,隨著外加電場(chǎng)的增大,2Pr和2Ec均逐步增大.圖3為BNTFC陶瓷表面的掃描電子顯微照片,可以看出,樣品的晶粒呈片狀,致密度不是很高,存在少量微孔.結(jié)合圖1和圖3的結(jié)果,我們認(rèn)為,導(dǎo)致樣品弱鐵電性的原因如下:首先,微孔的存在使得樣品的擊穿電壓很低,這樣就很難對(duì)樣品施加高電場(chǎng),從而導(dǎo)致弱的鐵電性;其次,樣品中的焦綠石相,將使樣品產(chǎn)生較大的漏流,從而惡化鐵電性.這兩個(gè)因素組合在一起,將削弱摻雜Nd離子改善鐵電性的作用.因此,進(jìn)一步改善樣品的制備工藝,提高樣品的致密度,消除焦綠石相是下一步需要進(jìn)行的工作.
圖2 不同外電場(chǎng)下的BNTFC電滯回線(xiàn),插圖為2Pr、2Ec與電場(chǎng)關(guān)系曲線(xiàn)
圖3 BNTFC陶瓷在掃描電子顯微鏡下的表面形貌圖
圖4為采用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)測(cè)試的BNTFC樣品的室溫磁滯回線(xiàn),從圖中可以看出,樣品的磁滯回線(xiàn)飽和,其剩余磁化強(qiáng)度(2Mr)和矯頑力(2Hc)分別為77memu/g和330Oe.我們認(rèn)為以下原因可能導(dǎo)致鐵磁性增大:1)從層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的角度考慮,人們往往認(rèn)為Fe—O—Fe鏈容易導(dǎo)致反鐵磁超交換作用.然而當(dāng)Fe3+與Co3+的比率為1∶1,八面體Fe—O和Co—O比較容易毗鄰出現(xiàn),所以直接的Fe—O—Co交互作用成為了可能,而Fe—O—Co交換作用有益于增強(qiáng)鐵磁性.2)Bi3+和Nd3+離子的半徑差約4.6%,所以用Nd3+取代部分Bi3+,可能使隨機(jī)分布的Fe—O和Co—O八面體發(fā)生畸變.3)除此外,Co3+與Fe3+離子半徑的差別同樣將導(dǎo)致鈣鈦礦中八面體扭曲變形.以上2)、3)點(diǎn)中由離子半徑差所導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)畸變,都可能使處在反鐵磁狀態(tài)的樣品釋放出巨大的鐵磁性.因此,本文中認(rèn)為不論是直接的Fe—O—Co交換作用,還是結(jié)構(gòu)畸變所釋放的巨大潛在磁矩,亦或是兩者的協(xié)同效應(yīng),都對(duì)BNTFC陶瓷的巨大磁性起著至關(guān)重要的作用.但是,以上的結(jié)論只是初步推斷,后期還需更多的試驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證磁性增強(qiáng)的機(jī)制.
圖4 BNTFC陶瓷的磁滯回線(xiàn)
圖5 相對(duì)介電常數(shù)εr與頻率的關(guān)系曲線(xiàn),插圖是Δεr與頻率的關(guān)系曲線(xiàn)
圖6 介電損耗tanδ與頻率的關(guān)系曲線(xiàn),插圖是Δtanδ與頻率的關(guān)系
多鐵性研究的關(guān)鍵是磁電耦合效應(yīng).為了驗(yàn)證樣品是否具有磁電耦合效應(yīng),本實(shí)驗(yàn)中利用阻抗分析儀(WK-6420)在外加磁場(chǎng)B=0T和B=1T時(shí),測(cè)量了相對(duì)介電常數(shù)εr、介電損耗tanδ和頻率的關(guān)系,分別如圖5和圖6所示.可以看出,B=0T和B=1T的曲線(xiàn)從低頻率開(kāi)始分開(kāi),隨著頻率的增加,兩條曲線(xiàn)又慢慢合并.從圖5、圖6的插圖(Δεr和Δtanδ隨頻率變化的關(guān)系曲線(xiàn)),可以更明顯地觀察到這一現(xiàn)象.這種現(xiàn)象與極化有關(guān),而極化又是電偶極子隨外電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)定向排列產(chǎn)生的.在低頻區(qū)時(shí),其中未加磁場(chǎng)的陶瓷介質(zhì)中電場(chǎng)只受外部電場(chǎng)誘發(fā),而施加1T磁場(chǎng)的陶瓷介質(zhì)中電場(chǎng)不僅受外電場(chǎng)作用,還受1T磁場(chǎng)的作用.因此在低頻區(qū),兩條介電常數(shù)曲線(xiàn)明顯分離.隨著頻率的增加,電偶極子逐漸跟不上電場(chǎng)的翻轉(zhuǎn),此時(shí)介質(zhì)內(nèi)部電場(chǎng)主要受外電場(chǎng)的作用,因此兩條曲線(xiàn)的介電常數(shù)差別逐漸縮小.
本文中采用改進(jìn)的固相反應(yīng)法制備了(Bi3.15Nd0.85)(Ti2Fe0.5Co0.5)O11.5陶瓷,其鐵電性和磁性的測(cè)試,驗(yàn)證了BNTFC陶瓷的室溫多鐵性.此外,介電頻譜和介電損耗譜都清晰地反映出磁電耦合效應(yīng).
致謝 筆者在此非常感謝國(guó)家自然科學(xué)基金(51002047)和(11274101)的資助.
[1]Spaldin N A,F(xiàn)iebig M.The renaissance of magnetoelectric multiferroics[J].Science,2005,309(5733):391-392.
[2]Eerenstein W,Mathur N D,Scott J F.Multiferroic and magnetoelectric materials[J].Nature,2006,442:759-765.
[3]Fiebig M J.Revival of the magnetoelectric effect[J].Journal of Physics D:Applied Physics,2005,38(8):R123-R152.
[4]Nan C W,Bichurin M I,Dong S X,et al.Multiferroic magnetoelectric composites:historical perspective,status,and future directions[J].Journal of Applied Physics,2008,103(3):031101-1-5.
[5]Thrall M,F(xiàn)reer R,Martin C.An in situ study of the formation of multiferroic bismuth ferrite using high resolution synchrotron X-ray powder diffraction[J].Journal of European Ceramics Society,2008,28:2567-2571.
[6]Palkar V R,Malik S K.Observation of magnetoelectric behavior at room temperature in Pb(FexTi1-x)O3[J].Solid State Communication,2005,134:783-785.
[7]Lin F T,Jiang D M,Ma X M,et al.Influence of doping concentration on room-temperature ferromagnetism for Fedoped BaTiO3ceramics[J].Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2008,320:691.
[8]Lin F T,Jiang D M,Ma X M,et al.Effect of annealing atmosphere on magnetism for Fe-doped BaTiO3ceramic[J].Physica B,2008,403:2525-2529.
[9]Lin F T,Shi W Z.Magnetic properties of transition-metal-codoped BaTiO3systems[J].Journal of Alloys and Compounds,2009,475:64-68.
[10]Lin Y H,Zhang S Y,Deng C Y,et al.Magnetic behavior and thickness dependence in Co-doped BaTiO3thin films[J].Applied Physics Letters,2008,92:112501-1-3.
[11]Watanabe T,F(xiàn)unakubo H,Osada M,et al.Effect of cosubstitution of La and V in Bi4Ti3O12thin films on the lowtemperature deposition[J].Applied Physics Letters,2002,80(1):100-102.
[12]Sedlar M,Sayer M.Structural and electrical properties of ferroelectric bismuth titanate thin films prepared by the sol gel method[J].Ceramics International,1996,22(3):241-247.