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      高溫銀漿表面金屬化研究

      2014-11-10 13:49:57鄭志勤易發(fā)成王哲
      科技創(chuàng)新導(dǎo)報 2014年8期

      鄭志勤+易發(fā)成+王哲

      摘 要:通過掃面電鏡和能譜分析技術(shù)研究了燒結(jié)保溫時間對中溫銀漿和高溫銀漿的金屬化層形貌的影響。采用絲網(wǎng)印刷工藝將兩種電子銀漿料均勻分布在氧化鋁陶瓷板表面,通過調(diào)整不同燒結(jié)保溫時間探究不同金屬化層的微觀形貌及遷移情況,最佳燒結(jié)保溫時間是20 min?;趯?shí)驗(yàn)結(jié)果,在銀金屬化層與氧化鋁陶瓷基板界面處提出了銀金屬化層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和玻璃的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)相互交錯的模型。

      關(guān)鍵詞:絲網(wǎng)印刷 陶瓷金屬化 高溫銀漿

      中圖分類號:TG146 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1674-098X(2014)03(b)-0005-02

      表面金屬化后的陶瓷廣泛應(yīng)用在電池,集成電路,切削工具,特別是能源行業(yè)[1].因此,近幾十年陶瓷科研工作者已為實(shí)現(xiàn)陶瓷的表面金屬化做出了顯著的努力。在這些金屬化工藝中,采用絲網(wǎng)印刷費(fèi)厚膜金屬化工藝因其簡便和廉價的實(shí)驗(yàn)工藝成為廣闊應(yīng)用的工藝之一[2-3].通常,采用絲網(wǎng)印刷的陶瓷表面金屬化可以通過玻璃相遷移過程實(shí)現(xiàn)[4]。

      1 實(shí)驗(yàn)部分

      燒結(jié)銀金屬化層前,陶瓷基板兩側(cè)的銀漿均通過孔徑為200目的絲網(wǎng)印刷成直徑15 mm,厚0.8 mm的形狀.在600 ℃下燒結(jié)保溫時間是10 min,20 min,30 min燒結(jié),陶瓷基板分別10wt%,20wt%,30wt%的氫氧化鈉濃度腐蝕。腐蝕后的基板均分別印刷上銀漿,燒結(jié)保溫20 min。

      2 結(jié)果與討論

      圖1為600 ℃保溫20 min燒結(jié)下不同濃度氫氧化鈉預(yù)處理的斷口形貌圖,其中(a)無預(yù)處理,(b)10%氫氧化鈉預(yù)處理,(c)20%氫氧化鈉預(yù)處理,(d)30%氫氧化鈉預(yù)處理,分析對比,(a)斷口金屬化層與陶瓷已有脫落,可以看到裂縫的存在;(b)金屬化層與陶瓷表面也有部分脫落;但是(c)(d)兩個斷口金屬化層仍結(jié)合在陶瓷上,并且所用的粘結(jié)劑有機(jī)膠也沒有被拉下。

      圖2為銀金屬化層與陶瓷基板間的連接體模型。銀漿剛絲網(wǎng)印刷上陶瓷基板后,銀粉和玻璃粉體是隨機(jī)分布的如圖2(a)。伴隨燒結(jié)溫度超過玻璃粉體的軟化溫度,玻璃粉體變成液態(tài)攜帶著銀粉流動并潤濕填充在陶瓷基板上的微裂紋間如圖2(b)。隨后的冷卻過程中,銀金屬化層逐漸形成如圖2(c)。因?yàn)樵诹鲃拥牟Aw中銀離子分散速度快于銀原子,燒結(jié)過程中形成了穩(wěn)定的內(nèi)嵌網(wǎng)狀銀的玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖2(d)。兩種網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)間的化學(xué)和物理鍵合增強(qiáng)了連接層。陶瓷基板表面,晶粒間被浸潤在一層玻璃相中如圖2(e)。在連接層區(qū)域,填充的玻璃相起到了非常關(guān)鍵的作用,如增加對陶瓷基板的腐蝕程度提高了玻璃相的潤濕性進(jìn)而增強(qiáng)了附著力強(qiáng)度。

      3 結(jié)語

      研究了燒結(jié)時間和基板腐蝕情況氧化鋁陶瓷銀金屬化的影響:陶瓷基板的腐蝕程度會顯著影響氧化鋁陶瓷銀金屬化效果;基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),提出了表面金屬化過程中連接層形成的模型;部分銀離子在流動玻璃體的幫助下遷移至氧化鋁陶瓷基板內(nèi);燒結(jié)速率和機(jī)理除了燒結(jié)氣氛、溫度、保溫時間和表面張力等變量決定外,還與粉體粒徑分布、顆粒比表面、填充效率、玻璃粉粘度等變量決定。

      參考文獻(xiàn)

      [1] Fernie J A,Drew R A L, Knowles K M.Joining of engineering ceramics[J].International Materials Reviews,2009(54):283-331.

      [2] Ionkin A S,F(xiàn)ish B M,Li Z R,Lewittes M,et al.Screen-printable silver pastes with metallic nano-zinc and nano-zinc alloys for crystalline silicon photovoltaic cells[J].ACS Applied Materials & Interfaces,2011(3):606-611.

      [3] Vechembre J B,F(xiàn)ox G R.Sintering of screen-printed platinum thick film for electrode applications [J].Journal of Materials Research,2001(16):922-931.

      [4] Huh J Y,Hong K K,Cho S B, et al.Effect of oxygen partial pressure on Ag crystallite formation at screen-printed Pb-free Ag contacts of Si solar cells[J].Materials Chemistry and Physics,2011(131):113-119.

      [5] Khanna V K.Adhesion–delamination phenomena at the surfaces and interfaces in microelectronics and MEMS structures and packaged devices [J].Journal of Physics D:Applied Physics,2011(44):034004.endprint

      摘 要:通過掃面電鏡和能譜分析技術(shù)研究了燒結(jié)保溫時間對中溫銀漿和高溫銀漿的金屬化層形貌的影響。采用絲網(wǎng)印刷工藝將兩種電子銀漿料均勻分布在氧化鋁陶瓷板表面,通過調(diào)整不同燒結(jié)保溫時間探究不同金屬化層的微觀形貌及遷移情況,最佳燒結(jié)保溫時間是20 min?;趯?shí)驗(yàn)結(jié)果,在銀金屬化層與氧化鋁陶瓷基板界面處提出了銀金屬化層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和玻璃的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)相互交錯的模型。

      關(guān)鍵詞:絲網(wǎng)印刷 陶瓷金屬化 高溫銀漿

      中圖分類號:TG146 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1674-098X(2014)03(b)-0005-02

      表面金屬化后的陶瓷廣泛應(yīng)用在電池,集成電路,切削工具,特別是能源行業(yè)[1].因此,近幾十年陶瓷科研工作者已為實(shí)現(xiàn)陶瓷的表面金屬化做出了顯著的努力。在這些金屬化工藝中,采用絲網(wǎng)印刷費(fèi)厚膜金屬化工藝因其簡便和廉價的實(shí)驗(yàn)工藝成為廣闊應(yīng)用的工藝之一[2-3].通常,采用絲網(wǎng)印刷的陶瓷表面金屬化可以通過玻璃相遷移過程實(shí)現(xiàn)[4]。

      1 實(shí)驗(yàn)部分

      燒結(jié)銀金屬化層前,陶瓷基板兩側(cè)的銀漿均通過孔徑為200目的絲網(wǎng)印刷成直徑15 mm,厚0.8 mm的形狀.在600 ℃下燒結(jié)保溫時間是10 min,20 min,30 min燒結(jié),陶瓷基板分別10wt%,20wt%,30wt%的氫氧化鈉濃度腐蝕。腐蝕后的基板均分別印刷上銀漿,燒結(jié)保溫20 min。

      2 結(jié)果與討論

      圖1為600 ℃保溫20 min燒結(jié)下不同濃度氫氧化鈉預(yù)處理的斷口形貌圖,其中(a)無預(yù)處理,(b)10%氫氧化鈉預(yù)處理,(c)20%氫氧化鈉預(yù)處理,(d)30%氫氧化鈉預(yù)處理,分析對比,(a)斷口金屬化層與陶瓷已有脫落,可以看到裂縫的存在;(b)金屬化層與陶瓷表面也有部分脫落;但是(c)(d)兩個斷口金屬化層仍結(jié)合在陶瓷上,并且所用的粘結(jié)劑有機(jī)膠也沒有被拉下。

      圖2為銀金屬化層與陶瓷基板間的連接體模型。銀漿剛絲網(wǎng)印刷上陶瓷基板后,銀粉和玻璃粉體是隨機(jī)分布的如圖2(a)。伴隨燒結(jié)溫度超過玻璃粉體的軟化溫度,玻璃粉體變成液態(tài)攜帶著銀粉流動并潤濕填充在陶瓷基板上的微裂紋間如圖2(b)。隨后的冷卻過程中,銀金屬化層逐漸形成如圖2(c)。因?yàn)樵诹鲃拥牟Aw中銀離子分散速度快于銀原子,燒結(jié)過程中形成了穩(wěn)定的內(nèi)嵌網(wǎng)狀銀的玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖2(d)。兩種網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)間的化學(xué)和物理鍵合增強(qiáng)了連接層。陶瓷基板表面,晶粒間被浸潤在一層玻璃相中如圖2(e)。在連接層區(qū)域,填充的玻璃相起到了非常關(guān)鍵的作用,如增加對陶瓷基板的腐蝕程度提高了玻璃相的潤濕性進(jìn)而增強(qiáng)了附著力強(qiáng)度。

      3 結(jié)語

      研究了燒結(jié)時間和基板腐蝕情況氧化鋁陶瓷銀金屬化的影響:陶瓷基板的腐蝕程度會顯著影響氧化鋁陶瓷銀金屬化效果;基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),提出了表面金屬化過程中連接層形成的模型;部分銀離子在流動玻璃體的幫助下遷移至氧化鋁陶瓷基板內(nèi);燒結(jié)速率和機(jī)理除了燒結(jié)氣氛、溫度、保溫時間和表面張力等變量決定外,還與粉體粒徑分布、顆粒比表面、填充效率、玻璃粉粘度等變量決定。

      參考文獻(xiàn)

      [1] Fernie J A,Drew R A L, Knowles K M.Joining of engineering ceramics[J].International Materials Reviews,2009(54):283-331.

      [2] Ionkin A S,F(xiàn)ish B M,Li Z R,Lewittes M,et al.Screen-printable silver pastes with metallic nano-zinc and nano-zinc alloys for crystalline silicon photovoltaic cells[J].ACS Applied Materials & Interfaces,2011(3):606-611.

      [3] Vechembre J B,F(xiàn)ox G R.Sintering of screen-printed platinum thick film for electrode applications [J].Journal of Materials Research,2001(16):922-931.

      [4] Huh J Y,Hong K K,Cho S B, et al.Effect of oxygen partial pressure on Ag crystallite formation at screen-printed Pb-free Ag contacts of Si solar cells[J].Materials Chemistry and Physics,2011(131):113-119.

      [5] Khanna V K.Adhesion–delamination phenomena at the surfaces and interfaces in microelectronics and MEMS structures and packaged devices [J].Journal of Physics D:Applied Physics,2011(44):034004.endprint

      摘 要:通過掃面電鏡和能譜分析技術(shù)研究了燒結(jié)保溫時間對中溫銀漿和高溫銀漿的金屬化層形貌的影響。采用絲網(wǎng)印刷工藝將兩種電子銀漿料均勻分布在氧化鋁陶瓷板表面,通過調(diào)整不同燒結(jié)保溫時間探究不同金屬化層的微觀形貌及遷移情況,最佳燒結(jié)保溫時間是20 min。基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果,在銀金屬化層與氧化鋁陶瓷基板界面處提出了銀金屬化層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和玻璃的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)相互交錯的模型。

      關(guān)鍵詞:絲網(wǎng)印刷 陶瓷金屬化 高溫銀漿

      中圖分類號:TG146 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1674-098X(2014)03(b)-0005-02

      表面金屬化后的陶瓷廣泛應(yīng)用在電池,集成電路,切削工具,特別是能源行業(yè)[1].因此,近幾十年陶瓷科研工作者已為實(shí)現(xiàn)陶瓷的表面金屬化做出了顯著的努力。在這些金屬化工藝中,采用絲網(wǎng)印刷費(fèi)厚膜金屬化工藝因其簡便和廉價的實(shí)驗(yàn)工藝成為廣闊應(yīng)用的工藝之一[2-3].通常,采用絲網(wǎng)印刷的陶瓷表面金屬化可以通過玻璃相遷移過程實(shí)現(xiàn)[4]。

      1 實(shí)驗(yàn)部分

      燒結(jié)銀金屬化層前,陶瓷基板兩側(cè)的銀漿均通過孔徑為200目的絲網(wǎng)印刷成直徑15 mm,厚0.8 mm的形狀.在600 ℃下燒結(jié)保溫時間是10 min,20 min,30 min燒結(jié),陶瓷基板分別10wt%,20wt%,30wt%的氫氧化鈉濃度腐蝕。腐蝕后的基板均分別印刷上銀漿,燒結(jié)保溫20 min。

      2 結(jié)果與討論

      圖1為600 ℃保溫20 min燒結(jié)下不同濃度氫氧化鈉預(yù)處理的斷口形貌圖,其中(a)無預(yù)處理,(b)10%氫氧化鈉預(yù)處理,(c)20%氫氧化鈉預(yù)處理,(d)30%氫氧化鈉預(yù)處理,分析對比,(a)斷口金屬化層與陶瓷已有脫落,可以看到裂縫的存在;(b)金屬化層與陶瓷表面也有部分脫落;但是(c)(d)兩個斷口金屬化層仍結(jié)合在陶瓷上,并且所用的粘結(jié)劑有機(jī)膠也沒有被拉下。

      圖2為銀金屬化層與陶瓷基板間的連接體模型。銀漿剛絲網(wǎng)印刷上陶瓷基板后,銀粉和玻璃粉體是隨機(jī)分布的如圖2(a)。伴隨燒結(jié)溫度超過玻璃粉體的軟化溫度,玻璃粉體變成液態(tài)攜帶著銀粉流動并潤濕填充在陶瓷基板上的微裂紋間如圖2(b)。隨后的冷卻過程中,銀金屬化層逐漸形成如圖2(c)。因?yàn)樵诹鲃拥牟Aw中銀離子分散速度快于銀原子,燒結(jié)過程中形成了穩(wěn)定的內(nèi)嵌網(wǎng)狀銀的玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖2(d)。兩種網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)間的化學(xué)和物理鍵合增強(qiáng)了連接層。陶瓷基板表面,晶粒間被浸潤在一層玻璃相中如圖2(e)。在連接層區(qū)域,填充的玻璃相起到了非常關(guān)鍵的作用,如增加對陶瓷基板的腐蝕程度提高了玻璃相的潤濕性進(jìn)而增強(qiáng)了附著力強(qiáng)度。

      3 結(jié)語

      研究了燒結(jié)時間和基板腐蝕情況氧化鋁陶瓷銀金屬化的影響:陶瓷基板的腐蝕程度會顯著影響氧化鋁陶瓷銀金屬化效果;基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),提出了表面金屬化過程中連接層形成的模型;部分銀離子在流動玻璃體的幫助下遷移至氧化鋁陶瓷基板內(nèi);燒結(jié)速率和機(jī)理除了燒結(jié)氣氛、溫度、保溫時間和表面張力等變量決定外,還與粉體粒徑分布、顆粒比表面、填充效率、玻璃粉粘度等變量決定。

      參考文獻(xiàn)

      [1] Fernie J A,Drew R A L, Knowles K M.Joining of engineering ceramics[J].International Materials Reviews,2009(54):283-331.

      [2] Ionkin A S,F(xiàn)ish B M,Li Z R,Lewittes M,et al.Screen-printable silver pastes with metallic nano-zinc and nano-zinc alloys for crystalline silicon photovoltaic cells[J].ACS Applied Materials & Interfaces,2011(3):606-611.

      [3] Vechembre J B,F(xiàn)ox G R.Sintering of screen-printed platinum thick film for electrode applications [J].Journal of Materials Research,2001(16):922-931.

      [4] Huh J Y,Hong K K,Cho S B, et al.Effect of oxygen partial pressure on Ag crystallite formation at screen-printed Pb-free Ag contacts of Si solar cells[J].Materials Chemistry and Physics,2011(131):113-119.

      [5] Khanna V K.Adhesion–delamination phenomena at the surfaces and interfaces in microelectronics and MEMS structures and packaged devices [J].Journal of Physics D:Applied Physics,2011(44):034004.endprint

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