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      單晶硅太陽電池的溫度特性及溫度對其影響研究

      2014-12-13 02:28:05劉丹娟
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2014年35期
      關(guān)鍵詞:短路電流溫度影響

      摘 要:為提高單晶硅太陽電池的輸出性能,加強單晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換功效,這需要人們進(jìn)一步了解單晶硅太陽電池各方面的特性,抓住對單晶硅太陽電池產(chǎn)生最大影響的因素。經(jīng)實驗測試發(fā)現(xiàn)溫度是單晶硅太陽電池功效的最主要影響因素,文章從單晶硅太陽電池的溫度特性分析入手,進(jìn)而探究溫度對單晶硅太陽電池各方面(開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)的影響。

      關(guān)鍵詞:單晶硅太陽電池;溫度;開路電壓;短路電流;填充因子;影響

      引言

      當(dāng)前,單晶硅太陽電池是一種發(fā)展最快、應(yīng)用最廣的太陽能電池。雖說單晶硅太陽電池的輸出性能會受到多方面因素的影響,不過最主要的影響因素還是溫度,當(dāng)其他條件都相同而溫度不同時,溫度會對單晶硅太陽電池的開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生極大的影響,進(jìn)而造成電池的輸出功率發(fā)生很大變化,最終影響電池將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的功效。

      1 單晶硅太陽電池的溫度特性

      Voc(開路電壓)、ISC(短路電流)、FF(填充因子)、?濁(轉(zhuǎn)換效率)這些分別是組成單晶硅太陽電池的主要特征參數(shù),公式:

      ?濁=■,E:光強,A:太陽電池面積(1)

      可以表現(xiàn)各特征參數(shù)之間的關(guān)系。

      根據(jù)公式(1)假設(shè)E=1000W/m2,溫度與ISC、VOC、、FF、?濁這四個參數(shù)則呈現(xiàn)出一個線性關(guān)系,運用線性擬合能夠得出各參數(shù)的溫度變化率。溫度對單晶硅太陽電池的ISC、VOC、、FF、?濁具有一定的影響,這4個參數(shù)都會隨著溫度的變化而發(fā)生變化,進(jìn)而表現(xiàn)出單晶硅太陽電池的溫度特性。因此,了解單晶硅太陽電池的溫度特性,把握溫度對單晶硅太陽電池的各種影響,這更利于提高單晶硅太陽電池的功效。

      2 溫度對單晶硅太陽電池的影響分析

      2.1 溫度對開路電壓的影響

      假設(shè)在開路條件下,輸出電壓V=VOC,J=0(VOC:開路電壓,J:電流)若,Jo

      由公式(2)可得出,Jo與Jph決定著Voc的變化,則可用三項電流之和來表示e與Jo,即

      Jo=JT+JI+JD,JT:熱離子發(fā)射電流,JI:依賴于雜質(zhì)離子、表面密度、能量的復(fù)合電流,JD:一小的電漏電量,通常視為常數(shù)(3)

      JD=D,由隧道效應(yīng)等引起的電流(4)

      JT=A*T2exp(-?準(zhǔn)B/kT),A*:查德常數(shù),?準(zhǔn)B:勢壘高度(5)

      JI=Cexp(-EI/?資T),C:與雜質(zhì)濃度有關(guān)的常數(shù),EI:雜質(zhì)或表面態(tài)能級(6)

      依據(jù)等效電路可知,JD與Rsh(分流電阻)相關(guān),不過溫度的變化對其影響不大可忽略,而JT與JI和Z(非線性阻抗)相關(guān),于是JT與JI隨溫度的變化會影響到Jo的溫度變化,而VOC的溫度效應(yīng)又由Jo所引起。

      下面分析JT與JI在不同溫度條件下所發(fā)揮的作用,若JI先發(fā)生作用,可得到:

      VOC=InA-In(A*T2)■+■ (2-6)

      如果在某一溫度條件下InA-In(A*T2)<0,那么當(dāng)該溫度變化之后,VOC則會逐漸下降。

      根據(jù)上述分析可知,在一定溫度范圍之內(nèi),隨著溫度的升高單晶硅太陽電池的開路電壓(VOC)會呈現(xiàn)下降趨勢。

      2.2 溫度對短路電流的影響

      單晶硅太陽電池的工作原理相當(dāng)于一個二極管特性結(jié)控制一個光激發(fā)的電流產(chǎn)生器,Z(二極管非線性阻抗)、Rsh(分流電阻)、RS(串聯(lián)電阻)這些參量都影響著電流輸出特性及光伏效應(yīng)。當(dāng)處于工作負(fù)載環(huán)境下,輸出電流與電壓關(guān)系的公式是:

      由公式9可分別得出2組關(guān)系,即輸出電流與Rsh、Rs的關(guān)系;輸出電壓與Rsh、Rs的關(guān)系,公式表示如下:

      若處于理想條件時,JSC=Jph,且通常狀態(tài)下Jph隨溫度呈上升趨勢,公式表示如:

      ,A:常數(shù),Ea:光導(dǎo)體激活能(12)

      雖然Jph隨溫度呈上升趨勢,不過卻沒有呈指數(shù)形式,原因在于光電流流過Rs時會產(chǎn)生一定的壓降,測量短路電流時會在Rsh處流失部分電流,Rsh與Rs對Jph的影響力會因電流的增大而加大,以此壓制Jph的升高。

      2.3 溫度對填充因子的影響

      根據(jù)單晶硅太陽電池的溫度特性可知,溫度對FF(填充因子)的影響在于其隨溫度的升高而降低,究其原因主要是因受制于并聯(lián)內(nèi)阻、串聯(lián)內(nèi)阻的控制,若處于弱光狀態(tài)則并聯(lián)內(nèi)阻的影響力會加大。假設(shè)n在溫度變化中成恒定狀態(tài),則能得到串聯(lián)內(nèi)阻與溫度的關(guān)系,即溫度的升高會引起串聯(lián)內(nèi)阻的增大。根據(jù)物理機制可知,在溫度高于室溫時接觸電阻與基區(qū)電阻影響力、貢獻(xiàn)力很小可忽略不計,主要影響來自擴散層的薄層電阻,其會因溫度的升高而增加,由此可得填充因子會因串聯(lián)內(nèi)阻的增大而下降。假設(shè)理想因子是1,則在這一溫度范圍中填充因子會出現(xiàn)一個最大值,進(jìn)而推導(dǎo)出填充因子(FF)隨溫度的變化而變化,成反比的影響關(guān)系。

      2.4 溫度對轉(zhuǎn)換效率的影響

      根據(jù)開路電壓(VOC)、短路電流(ISC)、填充因子(FF)的溫度特性值的相對大小及公式(1)可得,溫度對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的影響呈反比關(guān)系,溫度的升高會引起轉(zhuǎn)換效率(?濁)的下降。經(jīng)過實驗測試得出結(jié)論,若標(biāo)準(zhǔn)條件下單晶硅太陽電池的工作狀態(tài)良好,但實際應(yīng)用的散熱效果不好時,光強相同,溫度在45℃工作條件下,單晶硅太陽電池效率會下降1.5%,電池效率損失非常嚴(yán)重。所以,為保證單晶硅太陽電池的高效率,需要在較低溫度條件下進(jìn)行,在這一溫度范圍內(nèi)會各自出現(xiàn)一個最大值與最小值,且變化方向相反,那么太陽電池輸出功率最大的范圍在305K左右。

      3 結(jié)束語

      通過實驗測試,在290-325T(K)范圍內(nèi)溫度對單晶硅太陽電池的開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率會產(chǎn)生一定的影響,這4個參數(shù)會因溫度的變化而變化,進(jìn)而可以得出的結(jié)論有:開路電壓會隨溫度的升高而下降,呈反比關(guān)系;短路電流會隨溫度的升高而增大,呈正比關(guān)系;填充因子會隨溫度的升高而降低,呈反比關(guān)系,會出現(xiàn)一個極大值的填充因子;轉(zhuǎn)換效率會隨溫度的升高而下降,呈反比關(guān)系,會出現(xiàn)一個極大值和極小值的轉(zhuǎn)換功率。

      參考文獻(xiàn)

      [1]李永超,崔景光.不同折射率對N型單晶硅太陽電池電性能的影響[J].科技風(fēng),2011(17).

      [2]李劍,汪義川,李華,等.單晶硅太陽電池組件的熱擊穿[J].太陽能學(xué)報,2011,32(5):690-693.

      作者簡介:劉丹娟(1979,9-),女,漢族,湖南岳陽人,新余學(xué)院電氣與電子工程學(xué)院講師,研究方向:電路與系統(tǒng),學(xué)歷:碩士研究生。

      摘 要:為提高單晶硅太陽電池的輸出性能,加強單晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換功效,這需要人們進(jìn)一步了解單晶硅太陽電池各方面的特性,抓住對單晶硅太陽電池產(chǎn)生最大影響的因素。經(jīng)實驗測試發(fā)現(xiàn)溫度是單晶硅太陽電池功效的最主要影響因素,文章從單晶硅太陽電池的溫度特性分析入手,進(jìn)而探究溫度對單晶硅太陽電池各方面(開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)的影響。

      關(guān)鍵詞:單晶硅太陽電池;溫度;開路電壓;短路電流;填充因子;影響

      引言

      當(dāng)前,單晶硅太陽電池是一種發(fā)展最快、應(yīng)用最廣的太陽能電池。雖說單晶硅太陽電池的輸出性能會受到多方面因素的影響,不過最主要的影響因素還是溫度,當(dāng)其他條件都相同而溫度不同時,溫度會對單晶硅太陽電池的開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生極大的影響,進(jìn)而造成電池的輸出功率發(fā)生很大變化,最終影響電池將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的功效。

      1 單晶硅太陽電池的溫度特性

      Voc(開路電壓)、ISC(短路電流)、FF(填充因子)、?濁(轉(zhuǎn)換效率)這些分別是組成單晶硅太陽電池的主要特征參數(shù),公式:

      ?濁=■,E:光強,A:太陽電池面積(1)

      可以表現(xiàn)各特征參數(shù)之間的關(guān)系。

      根據(jù)公式(1)假設(shè)E=1000W/m2,溫度與ISC、VOC、、FF、?濁這四個參數(shù)則呈現(xiàn)出一個線性關(guān)系,運用線性擬合能夠得出各參數(shù)的溫度變化率。溫度對單晶硅太陽電池的ISC、VOC、、FF、?濁具有一定的影響,這4個參數(shù)都會隨著溫度的變化而發(fā)生變化,進(jìn)而表現(xiàn)出單晶硅太陽電池的溫度特性。因此,了解單晶硅太陽電池的溫度特性,把握溫度對單晶硅太陽電池的各種影響,這更利于提高單晶硅太陽電池的功效。

      2 溫度對單晶硅太陽電池的影響分析

      2.1 溫度對開路電壓的影響

      假設(shè)在開路條件下,輸出電壓V=VOC,J=0(VOC:開路電壓,J:電流)若,Jo

      由公式(2)可得出,Jo與Jph決定著Voc的變化,則可用三項電流之和來表示e與Jo,即

      Jo=JT+JI+JD,JT:熱離子發(fā)射電流,JI:依賴于雜質(zhì)離子、表面密度、能量的復(fù)合電流,JD:一小的電漏電量,通常視為常數(shù)(3)

      JD=D,由隧道效應(yīng)等引起的電流(4)

      JT=A*T2exp(-?準(zhǔn)B/kT),A*:查德常數(shù),?準(zhǔn)B:勢壘高度(5)

      JI=Cexp(-EI/?資T),C:與雜質(zhì)濃度有關(guān)的常數(shù),EI:雜質(zhì)或表面態(tài)能級(6)

      依據(jù)等效電路可知,JD與Rsh(分流電阻)相關(guān),不過溫度的變化對其影響不大可忽略,而JT與JI和Z(非線性阻抗)相關(guān),于是JT與JI隨溫度的變化會影響到Jo的溫度變化,而VOC的溫度效應(yīng)又由Jo所引起。

      下面分析JT與JI在不同溫度條件下所發(fā)揮的作用,若JI先發(fā)生作用,可得到:

      VOC=InA-In(A*T2)■+■ (2-6)

      如果在某一溫度條件下InA-In(A*T2)<0,那么當(dāng)該溫度變化之后,VOC則會逐漸下降。

      根據(jù)上述分析可知,在一定溫度范圍之內(nèi),隨著溫度的升高單晶硅太陽電池的開路電壓(VOC)會呈現(xiàn)下降趨勢。

      2.2 溫度對短路電流的影響

      單晶硅太陽電池的工作原理相當(dāng)于一個二極管特性結(jié)控制一個光激發(fā)的電流產(chǎn)生器,Z(二極管非線性阻抗)、Rsh(分流電阻)、RS(串聯(lián)電阻)這些參量都影響著電流輸出特性及光伏效應(yīng)。當(dāng)處于工作負(fù)載環(huán)境下,輸出電流與電壓關(guān)系的公式是:

      由公式9可分別得出2組關(guān)系,即輸出電流與Rsh、Rs的關(guān)系;輸出電壓與Rsh、Rs的關(guān)系,公式表示如下:

      若處于理想條件時,JSC=Jph,且通常狀態(tài)下Jph隨溫度呈上升趨勢,公式表示如:

      ,A:常數(shù),Ea:光導(dǎo)體激活能(12)

      雖然Jph隨溫度呈上升趨勢,不過卻沒有呈指數(shù)形式,原因在于光電流流過Rs時會產(chǎn)生一定的壓降,測量短路電流時會在Rsh處流失部分電流,Rsh與Rs對Jph的影響力會因電流的增大而加大,以此壓制Jph的升高。

      2.3 溫度對填充因子的影響

      根據(jù)單晶硅太陽電池的溫度特性可知,溫度對FF(填充因子)的影響在于其隨溫度的升高而降低,究其原因主要是因受制于并聯(lián)內(nèi)阻、串聯(lián)內(nèi)阻的控制,若處于弱光狀態(tài)則并聯(lián)內(nèi)阻的影響力會加大。假設(shè)n在溫度變化中成恒定狀態(tài),則能得到串聯(lián)內(nèi)阻與溫度的關(guān)系,即溫度的升高會引起串聯(lián)內(nèi)阻的增大。根據(jù)物理機制可知,在溫度高于室溫時接觸電阻與基區(qū)電阻影響力、貢獻(xiàn)力很小可忽略不計,主要影響來自擴散層的薄層電阻,其會因溫度的升高而增加,由此可得填充因子會因串聯(lián)內(nèi)阻的增大而下降。假設(shè)理想因子是1,則在這一溫度范圍中填充因子會出現(xiàn)一個最大值,進(jìn)而推導(dǎo)出填充因子(FF)隨溫度的變化而變化,成反比的影響關(guān)系。

      2.4 溫度對轉(zhuǎn)換效率的影響

      根據(jù)開路電壓(VOC)、短路電流(ISC)、填充因子(FF)的溫度特性值的相對大小及公式(1)可得,溫度對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的影響呈反比關(guān)系,溫度的升高會引起轉(zhuǎn)換效率(?濁)的下降。經(jīng)過實驗測試得出結(jié)論,若標(biāo)準(zhǔn)條件下單晶硅太陽電池的工作狀態(tài)良好,但實際應(yīng)用的散熱效果不好時,光強相同,溫度在45℃工作條件下,單晶硅太陽電池效率會下降1.5%,電池效率損失非常嚴(yán)重。所以,為保證單晶硅太陽電池的高效率,需要在較低溫度條件下進(jìn)行,在這一溫度范圍內(nèi)會各自出現(xiàn)一個最大值與最小值,且變化方向相反,那么太陽電池輸出功率最大的范圍在305K左右。

      3 結(jié)束語

      通過實驗測試,在290-325T(K)范圍內(nèi)溫度對單晶硅太陽電池的開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率會產(chǎn)生一定的影響,這4個參數(shù)會因溫度的變化而變化,進(jìn)而可以得出的結(jié)論有:開路電壓會隨溫度的升高而下降,呈反比關(guān)系;短路電流會隨溫度的升高而增大,呈正比關(guān)系;填充因子會隨溫度的升高而降低,呈反比關(guān)系,會出現(xiàn)一個極大值的填充因子;轉(zhuǎn)換效率會隨溫度的升高而下降,呈反比關(guān)系,會出現(xiàn)一個極大值和極小值的轉(zhuǎn)換功率。

      參考文獻(xiàn)

      [1]李永超,崔景光.不同折射率對N型單晶硅太陽電池電性能的影響[J].科技風(fēng),2011(17).

      [2]李劍,汪義川,李華,等.單晶硅太陽電池組件的熱擊穿[J].太陽能學(xué)報,2011,32(5):690-693.

      作者簡介:劉丹娟(1979,9-),女,漢族,湖南岳陽人,新余學(xué)院電氣與電子工程學(xué)院講師,研究方向:電路與系統(tǒng),學(xué)歷:碩士研究生。

      摘 要:為提高單晶硅太陽電池的輸出性能,加強單晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換功效,這需要人們進(jìn)一步了解單晶硅太陽電池各方面的特性,抓住對單晶硅太陽電池產(chǎn)生最大影響的因素。經(jīng)實驗測試發(fā)現(xiàn)溫度是單晶硅太陽電池功效的最主要影響因素,文章從單晶硅太陽電池的溫度特性分析入手,進(jìn)而探究溫度對單晶硅太陽電池各方面(開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)的影響。

      關(guān)鍵詞:單晶硅太陽電池;溫度;開路電壓;短路電流;填充因子;影響

      引言

      當(dāng)前,單晶硅太陽電池是一種發(fā)展最快、應(yīng)用最廣的太陽能電池。雖說單晶硅太陽電池的輸出性能會受到多方面因素的影響,不過最主要的影響因素還是溫度,當(dāng)其他條件都相同而溫度不同時,溫度會對單晶硅太陽電池的開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生極大的影響,進(jìn)而造成電池的輸出功率發(fā)生很大變化,最終影響電池將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的功效。

      1 單晶硅太陽電池的溫度特性

      Voc(開路電壓)、ISC(短路電流)、FF(填充因子)、?濁(轉(zhuǎn)換效率)這些分別是組成單晶硅太陽電池的主要特征參數(shù),公式:

      ?濁=■,E:光強,A:太陽電池面積(1)

      可以表現(xiàn)各特征參數(shù)之間的關(guān)系。

      根據(jù)公式(1)假設(shè)E=1000W/m2,溫度與ISC、VOC、、FF、?濁這四個參數(shù)則呈現(xiàn)出一個線性關(guān)系,運用線性擬合能夠得出各參數(shù)的溫度變化率。溫度對單晶硅太陽電池的ISC、VOC、、FF、?濁具有一定的影響,這4個參數(shù)都會隨著溫度的變化而發(fā)生變化,進(jìn)而表現(xiàn)出單晶硅太陽電池的溫度特性。因此,了解單晶硅太陽電池的溫度特性,把握溫度對單晶硅太陽電池的各種影響,這更利于提高單晶硅太陽電池的功效。

      2 溫度對單晶硅太陽電池的影響分析

      2.1 溫度對開路電壓的影響

      假設(shè)在開路條件下,輸出電壓V=VOC,J=0(VOC:開路電壓,J:電流)若,Jo

      由公式(2)可得出,Jo與Jph決定著Voc的變化,則可用三項電流之和來表示e與Jo,即

      Jo=JT+JI+JD,JT:熱離子發(fā)射電流,JI:依賴于雜質(zhì)離子、表面密度、能量的復(fù)合電流,JD:一小的電漏電量,通常視為常數(shù)(3)

      JD=D,由隧道效應(yīng)等引起的電流(4)

      JT=A*T2exp(-?準(zhǔn)B/kT),A*:查德常數(shù),?準(zhǔn)B:勢壘高度(5)

      JI=Cexp(-EI/?資T),C:與雜質(zhì)濃度有關(guān)的常數(shù),EI:雜質(zhì)或表面態(tài)能級(6)

      依據(jù)等效電路可知,JD與Rsh(分流電阻)相關(guān),不過溫度的變化對其影響不大可忽略,而JT與JI和Z(非線性阻抗)相關(guān),于是JT與JI隨溫度的變化會影響到Jo的溫度變化,而VOC的溫度效應(yīng)又由Jo所引起。

      下面分析JT與JI在不同溫度條件下所發(fā)揮的作用,若JI先發(fā)生作用,可得到:

      VOC=InA-In(A*T2)■+■ (2-6)

      如果在某一溫度條件下InA-In(A*T2)<0,那么當(dāng)該溫度變化之后,VOC則會逐漸下降。

      根據(jù)上述分析可知,在一定溫度范圍之內(nèi),隨著溫度的升高單晶硅太陽電池的開路電壓(VOC)會呈現(xiàn)下降趨勢。

      2.2 溫度對短路電流的影響

      單晶硅太陽電池的工作原理相當(dāng)于一個二極管特性結(jié)控制一個光激發(fā)的電流產(chǎn)生器,Z(二極管非線性阻抗)、Rsh(分流電阻)、RS(串聯(lián)電阻)這些參量都影響著電流輸出特性及光伏效應(yīng)。當(dāng)處于工作負(fù)載環(huán)境下,輸出電流與電壓關(guān)系的公式是:

      由公式9可分別得出2組關(guān)系,即輸出電流與Rsh、Rs的關(guān)系;輸出電壓與Rsh、Rs的關(guān)系,公式表示如下:

      若處于理想條件時,JSC=Jph,且通常狀態(tài)下Jph隨溫度呈上升趨勢,公式表示如:

      ,A:常數(shù),Ea:光導(dǎo)體激活能(12)

      雖然Jph隨溫度呈上升趨勢,不過卻沒有呈指數(shù)形式,原因在于光電流流過Rs時會產(chǎn)生一定的壓降,測量短路電流時會在Rsh處流失部分電流,Rsh與Rs對Jph的影響力會因電流的增大而加大,以此壓制Jph的升高。

      2.3 溫度對填充因子的影響

      根據(jù)單晶硅太陽電池的溫度特性可知,溫度對FF(填充因子)的影響在于其隨溫度的升高而降低,究其原因主要是因受制于并聯(lián)內(nèi)阻、串聯(lián)內(nèi)阻的控制,若處于弱光狀態(tài)則并聯(lián)內(nèi)阻的影響力會加大。假設(shè)n在溫度變化中成恒定狀態(tài),則能得到串聯(lián)內(nèi)阻與溫度的關(guān)系,即溫度的升高會引起串聯(lián)內(nèi)阻的增大。根據(jù)物理機制可知,在溫度高于室溫時接觸電阻與基區(qū)電阻影響力、貢獻(xiàn)力很小可忽略不計,主要影響來自擴散層的薄層電阻,其會因溫度的升高而增加,由此可得填充因子會因串聯(lián)內(nèi)阻的增大而下降。假設(shè)理想因子是1,則在這一溫度范圍中填充因子會出現(xiàn)一個最大值,進(jìn)而推導(dǎo)出填充因子(FF)隨溫度的變化而變化,成反比的影響關(guān)系。

      2.4 溫度對轉(zhuǎn)換效率的影響

      根據(jù)開路電壓(VOC)、短路電流(ISC)、填充因子(FF)的溫度特性值的相對大小及公式(1)可得,溫度對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的影響呈反比關(guān)系,溫度的升高會引起轉(zhuǎn)換效率(?濁)的下降。經(jīng)過實驗測試得出結(jié)論,若標(biāo)準(zhǔn)條件下單晶硅太陽電池的工作狀態(tài)良好,但實際應(yīng)用的散熱效果不好時,光強相同,溫度在45℃工作條件下,單晶硅太陽電池效率會下降1.5%,電池效率損失非常嚴(yán)重。所以,為保證單晶硅太陽電池的高效率,需要在較低溫度條件下進(jìn)行,在這一溫度范圍內(nèi)會各自出現(xiàn)一個最大值與最小值,且變化方向相反,那么太陽電池輸出功率最大的范圍在305K左右。

      3 結(jié)束語

      通過實驗測試,在290-325T(K)范圍內(nèi)溫度對單晶硅太陽電池的開路電壓、短路電流、填充因子、轉(zhuǎn)換效率會產(chǎn)生一定的影響,這4個參數(shù)會因溫度的變化而變化,進(jìn)而可以得出的結(jié)論有:開路電壓會隨溫度的升高而下降,呈反比關(guān)系;短路電流會隨溫度的升高而增大,呈正比關(guān)系;填充因子會隨溫度的升高而降低,呈反比關(guān)系,會出現(xiàn)一個極大值的填充因子;轉(zhuǎn)換效率會隨溫度的升高而下降,呈反比關(guān)系,會出現(xiàn)一個極大值和極小值的轉(zhuǎn)換功率。

      參考文獻(xiàn)

      [1]李永超,崔景光.不同折射率對N型單晶硅太陽電池電性能的影響[J].科技風(fēng),2011(17).

      [2]李劍,汪義川,李華,等.單晶硅太陽電池組件的熱擊穿[J].太陽能學(xué)報,2011,32(5):690-693.

      作者簡介:劉丹娟(1979,9-),女,漢族,湖南岳陽人,新余學(xué)院電氣與電子工程學(xué)院講師,研究方向:電路與系統(tǒng),學(xué)歷:碩士研究生。

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