三江學(xué)院 趙俊霞

晶體硅太陽(yáng)能電池黑心片的分析及處理方案

三江學(xué)院 趙俊霞

為節(jié)約能源，高轉(zhuǎn)換率的晶體硅太陽(yáng)能電池被廣泛應(yīng)用，而在低檔片中黑心片占有很大的比例，本文對(duì)該類硅片進(jìn)行測(cè)試、分析、查找原因，發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)換率低的主要原因是襯底含有大量的位錯(cuò)，形成少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心，嚴(yán)重影響硅片的少子壽命，最終影響電池轉(zhuǎn)換率，發(fā)電量的減少。依據(jù)分析，為提高轉(zhuǎn)換率，電池廠商應(yīng)提出位錯(cuò)的供貨標(biāo)準(zhǔn)，硅片廠商改善工藝方案。

太陽(yáng)能電池；位錯(cuò)；少子壽命

引言

目前全世界都在積極生產(chǎn)各種相關(guān)的節(jié)能新產(chǎn)品,晶體硅太陽(yáng)電池被廣泛應(yīng)用,占據(jù)太陽(yáng)電池的主要市場(chǎng)。但是,晶體硅太陽(yáng)電池存在著固有弱點(diǎn),降低成本與提高效率是現(xiàn)在兩大主要任務(wù)單晶硅由于其本身內(nèi)部完整的晶體結(jié)構(gòu),其電池效率明顯高于多晶硅電池,是硅基高效太陽(yáng)能電池的首選材料[1]。而在一些低轉(zhuǎn)換率電池片中,黑心片占有很高的比例,本文對(duì)該類硅片進(jìn)行分析,查找原因,提出要求,進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換率。而少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心,嚴(yán)重影響硅片的少子壽命,最終影響電池和組件性能,本文針對(duì)該現(xiàn)象進(jìn)行研究,解決黑心片的問(wèn)題,從而提高效率。

1 晶體硅太陽(yáng)能電池黑心片的分析

單晶硅內(nèi)部雜質(zhì)和晶體缺陷的存在會(huì)嚴(yán)重影響太陽(yáng)能電池的效率,比如:光照條件下B-O復(fù)合體的產(chǎn)生會(huì)導(dǎo)致單晶電池的光致衰減;內(nèi)部金屬雜質(zhì)和晶體缺陷(位錯(cuò)等)的存在會(huì)成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心,影響其少子壽命。本文通過(guò)圖1的實(shí)驗(yàn)流程來(lái)分析黑心片的內(nèi)在形成機(jī)理,分析原因,針對(duì)問(wèn)題,提出解決方案。

本實(shí)驗(yàn)對(duì)大量低檔電池片及其組件進(jìn)行了研究,現(xiàn)從中選取兩片電池片舉例說(shuō)明。完成測(cè)試分析流程:電池做電致發(fā)光EL測(cè)試 →光照條件電池電性能測(cè)試 → 電池光誘導(dǎo)電流(LBIC Current)測(cè)試 → 硅片少子壽命測(cè)試 → 化學(xué)拋光腐蝕后觀察位錯(cuò) → SIMS元素分析。

圖1 電池黑心片的分析流程

圖2 電池片黑心片

1.1 EL測(cè)試

本文對(duì)大量低檔電池片及其組件進(jìn)行分析,在通電情況下,部分EL照片中黑心和黑斑處發(fā)出的1150nm 紅外光相對(duì)弱,顯示為黑心如圖2所示,因?yàn)殡姵仄行某尸F(xiàn)黑色所以稱這類硅片為“黑心片”。

1.2 光照條件電池電性能測(cè)試

本文從中隨機(jī)選取2塊黑心片和2片電池片,進(jìn)行電性能測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果如表1所示。通過(guò)對(duì)比,可以直觀發(fā)現(xiàn)黑心片的Isc,FF,Ncell平均分別為4.702,66.761,12.55%;而正常片的Isc,FF,Ncell平均分別為8.321,78.012,16.45%。黑心片的這三個(gè)參數(shù)都比正常片低很多,這也直接導(dǎo)致黑心片的功率低下的原因。

表1 黑心片和正常電池片的參數(shù)

1.3 光誘導(dǎo)電流（LBlC Current）測(cè)試和少子壽命測(cè)試

對(duì)太陽(yáng)能電池片進(jìn)行LBIC Current測(cè)試,黑心片的測(cè)試結(jié)果如圖3左圖所示。電池片中心的電流為60μA,邊緣處126μA,說(shuō)明電池片中心光電轉(zhuǎn)換率比邊緣處低約47.6%。

為區(qū)別是硅片還是后端工藝因素導(dǎo)致黑芯片出現(xiàn),本文對(duì)黑心電池片進(jìn)行去正反電極、去鋁背場(chǎng)、去SiN膜、N型層,而后經(jīng)碘酒鈍化后,對(duì)電池片進(jìn)行少子壽命測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果如圖3右圖所示。圖3中檢測(cè)出電池片黑心處硅襯底少數(shù)載流子壽命是0.4μs,遠(yuǎn)低于邊緣處7.2μs,兩幅圖進(jìn)行對(duì)比,得出硅片本身內(nèi)部缺陷所致導(dǎo)致電池片轉(zhuǎn)換效率低,與后端工藝沒(méi)有直接關(guān)系。

圖3 LBlC Current測(cè)試圖（左）和少子壽命測(cè)試圖（右）

1.4 位錯(cuò)分析

太陽(yáng)能電池片中影響少數(shù)載流子的壽命長(zhǎng)短的因素,主要是載流子的復(fù)合機(jī)理(直接復(fù)合、間接復(fù)合、表面復(fù)合、Auger復(fù)合等)及其相關(guān)的問(wèn)題[2]。其中,有害的雜質(zhì)和缺陷在促進(jìn)復(fù)合、減短壽命方面起決定作用。本文對(duì)黑心片中黑心處進(jìn)行位錯(cuò)分析,在光學(xué)顯微鏡下黑心樣片中心圓形部分的測(cè)試如圖4所示,其位錯(cuò)密度均高達(dá)10E6～10E7左右,為單晶硅片中少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心,嚴(yán)重影響硅片的少子壽命,從而影響太陽(yáng)能電池片和組件性能。

圖4 黑心片中心區(qū)域位錯(cuò)

1.5 SlMS元素分析

有害的雜質(zhì)對(duì)少數(shù)載流子的壽命有重要的影響,本文對(duì)黑心片進(jìn)行SIMS測(cè)試,分別測(cè)量了黑心片內(nèi)外的雜質(zhì)濃度,如表2所示。通過(guò)表里的數(shù)據(jù),我們可以很直觀的看出黑圈內(nèi)O的濃度為1.06E+18而在黑圈外O的濃度為1.02E+18,兩者幾乎相等,黑心處邊界兩邊雜質(zhì)原子含量一樣,沒(méi)有變化。所以黑心片的形成和少數(shù)載流子的壽命有關(guān),但和摻雜雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

表2 SlMS測(cè)試結(jié)果

2 位錯(cuò)原因分析

單晶硅片制備過(guò)程中產(chǎn)生位錯(cuò)的因素:

1)引頸長(zhǎng)度小。高質(zhì)量的無(wú)位錯(cuò)拉晶工藝,在拉晶過(guò)程中下種引頸長(zhǎng)度要大于一個(gè)晶錠直徑方可放肩,才能消除位錯(cuò)。受市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的影響,單晶硅片供應(yīng)商為追求利益,降低工藝要求:引頸長(zhǎng)度120-140mm完全低于直徑150mm單晶。

2)底料留量過(guò)少。一般晶體硅工藝中,單晶收尾時(shí)鍋底料是投料量的10%左右。現(xiàn)單晶供應(yīng)商,為取得最大化的利潤(rùn),只追求把坩堝內(nèi)硅料最大量地拉完提盡。然而晶體硅拉升結(jié)束時(shí),鍋內(nèi)料過(guò)少,造成坩堝內(nèi)熔體過(guò)冷,一旦材料過(guò)冷必然掉苞[3]。拉出的單晶表面顯示出完整收尾,實(shí)際早已掉苞,切割完成的單晶為錯(cuò)片,供應(yīng)商直接出售給用戶該部分單晶硅片。

3 小結(jié)

為制備出轉(zhuǎn)換率高的太陽(yáng)能電池,減少黑心片,電池片生產(chǎn)廠商要求硅片廠家供應(yīng)合格的硅片,單晶多晶硅片位錯(cuò)密度〈3000個(gè)/cm2,研究快速廉價(jià)的位錯(cuò)檢測(cè)方法。

硅片供應(yīng)商通過(guò)調(diào)整引頸、放肩、等徑生長(zhǎng)和收尾等步驟的工藝參數(shù),以及控制拉速和改善溫場(chǎng)等方法,減少位錯(cuò)的產(chǎn)生,達(dá)到控制位錯(cuò)密度的目的,從而消除或降低其對(duì)太陽(yáng)能電池的不良影響,提高光電轉(zhuǎn)換率。

［1］羅承先.太陽(yáng)能發(fā)電的普及與前景［J］.中外能源,2010:35.

［2］〈美〉Donald A.Neamen著.趙毅強(qiáng)等譯.半導(dǎo)體物理與器件(第三版)［M］.北京:電子工業(yè)出版社,2012.

［3］董建明,張波等.直拉法硅單晶生長(zhǎng)中斷棱與掉苞問(wèn)題的探討［J］.材料導(dǎo)報(bào),2013,5(27):158.

The analysis and treatment of the black heart wafers in silicon solar battery

Zhao Junxia
(Sanjiang University)

In order to save energy,high conversion rate of crystalline silicon solar battery is widely used.The black heart wafer occupies a large proportion of low-grade wafer.In this paper,these silicon wafers are tested,analyzed and searched.There are lots of dislocations in the kind of wafers.Dislocation is the strong recombination center of minority carrier.This sriously affects minority-carrier lifetime lower than usually.Battery conversion rate is low.Power generation reduces.In order to improve the conversion rate,the battery manufacturer should put forward the dislocation supply standard.The silicon wafer manufacturer improves the production process.

Solar battery;Dislocation;minority-carrier lifetime

趙俊霞（1979—）, 女，碩士，現(xiàn)為三江學(xué)院講師，從事太陽(yáng)能電池片研究工作。

項(xiàng)目來(lái)源:教育部 “本科教學(xué)工程”大學(xué)生校外實(shí)踐教育基地建設(shè)項(xiàng)目：三江學(xué)院-中電電氣（南京）光伏有限公司工程實(shí)踐教育中心，序號(hào)：186。