唐秀福
(河池學(xué)院 物理與機(jī)電工程學(xué)院,廣西 宜州 546300)
光子晶體[1-2]作為一種新型的光學(xué)材料,在激光、通訊、醫(yī)學(xué)等各領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用,對(duì)光子晶體的理論研究已成為近代光學(xué)研究的熱門話題[3-17]。光子晶體是一種根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要生產(chǎn)配制的人造光學(xué)材料,通過具有不同的介電常數(shù)的材料薄膜介質(zhì)周期性排列起來(lái),構(gòu)成能夠?qū)獠ㄟM(jìn)行調(diào)制的特殊功能,根據(jù)薄膜介質(zhì)材料周期排列的維數(shù)不同,目前的光子晶體主要分為1維光子晶體、2維光子晶體和3維光子晶體。自1987年John S和Yablonovitch E分別獨(dú)立提出光子晶體的概念之后,由于光子相比電子的諸多優(yōu)越性,在光電領(lǐng)域激發(fā)了人們極大的研究熱情,在接下來(lái)的幾十年里對(duì)光子晶體的理論研究發(fā)展過程中,研究者不僅構(gòu)建了大量的光子晶體模型,而且創(chuàng)造和使用了很多種有效的研究方法,并取得了大量研究成果[3-17]。目前常見的光子晶體理論研究方法主要有:平面波展開法、傳輸矩陣法、時(shí)域有限差分法、多重散射法、N階法、轉(zhuǎn)移矩陣法等,這些方法在對(duì)光子晶體特性的研究上都具有各自的優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn),同時(shí)針對(duì)不同的研究目標(biāo)和對(duì)象,他們的適用范圍也不一樣[13-17]。因此,面對(duì)眾多的研究方法,光子晶體的研究者特別是初學(xué)者難免無(wú)從選擇最有效的方法去解決問題?;谶@種思路,本文主要就光子晶體的主要研究方法的特點(diǎn)進(jìn)行對(duì)比分析,得出各自的優(yōu)缺點(diǎn),確定各種研究辦法的適用范圍,并就其中最普遍使用的傳輸矩陣法進(jìn)行實(shí)例計(jì)算模擬和分析,此舉可為光子晶體的研究者和學(xué)習(xí)者提供參考。
平面波展開法是利用Maxwell方程在傅利葉展開的平面波函數(shù)中將能帶計(jì)算化為代數(shù)本征值問題求解,該方法是光子晶體理論研究中應(yīng)用的最早也是最廣的方法之一。平面波法是光子晶體早期研究中總結(jié)出來(lái)的一套最基本的理論計(jì)算方法,它對(duì)各種理想結(jié)構(gòu)的晶體能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算能夠得出很好的結(jié)果。矩陣法是在光學(xué)薄膜計(jì)算中常用的一種計(jì)算方法,它也是利用Maxwell方程將光子晶體帶隙問題轉(zhuǎn)化為本征值的求解。傳輸矩陣法是在矩陣法的基礎(chǔ)上發(fā)展得來(lái)的,它可以利用傳輸矩陣來(lái)描述晶體的周期性結(jié)構(gòu),是目前使用較為普遍的一種光子晶體理論計(jì)算方法。時(shí)域有限差分法是由Yee K S在1966年創(chuàng)建的,該方法的主要思想是對(duì)微分形式的Maxwell方程進(jìn)行差分求解,將Maxwell方程組在坐標(biāo)系中展開成標(biāo)量場(chǎng)分量的方程組,然后在劃分好的Yee氏網(wǎng)格空間中迭代計(jì)算出光子晶體中在任意時(shí)刻場(chǎng)的分布情況。多重散射法主要應(yīng)用于二維有限光子晶體的問題求解中,該方法將光子晶體作為散射體放置于開放系統(tǒng)中,通過電磁波與散射體的相互作用,研究目標(biāo)的散射、吸收和透入等相關(guān)特性。
此外,晶體研究的理論方法還有N階法、轉(zhuǎn)移矩陣法、格林函數(shù)法等。每種研究方法都各具特點(diǎn),鑒于文章的篇幅及研究方法使用的普通性等,下面重點(diǎn)對(duì)平面波展開法、傳輸矩陣法、時(shí)域有限差分法和多重散射法進(jìn)行對(duì)比分析。
平面波展開法與其他研究方法相比,計(jì)算量較大是該方法的最大約束。由于該種計(jì)算方法的計(jì)算量與所用平面波的波數(shù)的立方幾乎成正比關(guān)系,因此,對(duì)于一些復(fù)雜結(jié)構(gòu)的晶體,特別是帶缺陷的非理想晶體結(jié)構(gòu),計(jì)算量將非常大,甚至是無(wú)法計(jì)算。此外,對(duì)于介電常數(shù)不是恒定的晶體時(shí),是無(wú)法得出確定的本征值方程,進(jìn)而無(wú)法求解問題。故平面波展開法僅適用于計(jì)算結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的理想晶體能帶。
傳輸矩陣法與其他計(jì)算方法相比,其優(yōu)勢(shì)在于計(jì)算量比較小。因?yàn)樵摲椒ㄖ械膫鬏斁仃噧H與晶體層面上的格點(diǎn)數(shù)的平方成正比,且矩陣比較小、陣元少,因此計(jì)算量大為降低。此外,就計(jì)算過程而言,應(yīng)用矩陣法運(yùn)算得到的結(jié)果精確度要比矢量法高。利用傳輸矩陣法可有效計(jì)算1維、2維、3維介質(zhì)或金屬光子晶體的能帶結(jié)構(gòu)、透射系數(shù)、反射系數(shù)和內(nèi)部電場(chǎng)分布等,對(duì)平面波法無(wú)法解決的電常數(shù)隨頻率變化的金屬系統(tǒng)也特別適用,即便是對(duì)存在色散或者缺陷的晶體結(jié)構(gòu),該方法仍然可以有效計(jì)算。
時(shí)域有限差分法和傳輸矩陣法一樣,不但可以有效計(jì)算光子晶體介質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶機(jī)構(gòu),也可以計(jì)算金屬結(jié)構(gòu)的光子晶體能帶關(guān)系。同時(shí),該方法是處理光子晶體Anderson局域態(tài)、光子晶體波導(dǎo)本征模、光子晶體表面模特性的系列問題的有效方法。雖然時(shí)域有限差分法在計(jì)算晶體能帶結(jié)構(gòu)和傳輸特性上具有較大的優(yōu)勢(shì),但由于該方法計(jì)算誤差較大,不適用于對(duì)精確度要求高的問題,無(wú)法有效解決諸如特殊形狀的原胞或復(fù)雜結(jié)構(gòu)的光子晶體結(jié)構(gòu)問題。
多重散射法對(duì)研究由規(guī)則散射體構(gòu)成的晶體非常適用,對(duì)球體或者柱體散射體構(gòu)成的晶體,利用該方法計(jì)算尤為優(yōu)越,主要體現(xiàn)在收斂速度快,計(jì)算精確度高。此外,多重散射法在解決一些特殊問題上效果非常好,如在計(jì)算不同相的各種物質(zhì)組成的晶體,尤其對(duì)高和低填充率兩種極端情況時(shí)具有很好的收斂速度,缺點(diǎn)是計(jì)算復(fù)雜,使用比較困難。
在眾多光子晶體理論研究基本方法中,傳輸矩陣法具有理論簡(jiǎn)單、計(jì)算量小、使用范圍廣、易于編程實(shí)現(xiàn)等諸多優(yōu)點(diǎn),因此在光子晶體理論研究中被廣泛采用,特別是對(duì)光子晶體初學(xué)者而言,傳輸矩陣法是較為理想的研究方法之一。因此,下面將以傳輸矩陣法為例詳細(xì)介紹其計(jì)算研究的基本原理,并構(gòu)建一維光子晶體模型進(jìn)行計(jì)算和分析,以加深讀者的理解和掌握。
由不同介電常數(shù)的兩種薄膜介質(zhì)A、B周期性排列形成光子晶體結(jié)構(gòu)ABABABAB…,也可以表示成(AB)m,m就是基元介質(zhì)(AB)單元的重復(fù)排列周期數(shù)。當(dāng)光從左側(cè)入射到光子晶體中時(shí),在每一層介質(zhì)中的行為均可用一個(gè)分矩陣來(lái)描述,這個(gè)分矩陣的推導(dǎo)如下[13-14,17]。
圖1 光在任一單層薄膜介質(zhì)中的傳播行為
如圖1所示,假設(shè)介質(zhì)內(nèi)不存在自由電荷和傳導(dǎo)電流時(shí),則在每層介質(zhì)邊界處,電磁場(chǎng)的分量都是連續(xù)的。界面Ⅰ處的入射、反射和透射電場(chǎng)和磁場(chǎng)分別記為Ei、Er、Et和 Hi、Hr、Ht,光以 θi1角入射到界面Ⅰ,θi2為界面Ⅱ的入射角。則利用界面Ⅰ和界面Ⅱ電場(chǎng)、磁場(chǎng)之間的關(guān)系,以及界面Ⅰ和界面Ⅱ上的透射場(chǎng) Et1(x,y,z=0)、Ei2(x,y,z=b),可得:
MB就是光在B層介質(zhì)中傳播行為的傳輸矩陣,在其他層介質(zhì)(包括缺陷層介質(zhì))中同樣適用。于是對(duì)于光在光子晶體結(jié)構(gòu)中傳播時(shí),光的總行為為各分矩陣之積,表示為:
利用矩陣元A、B、C和D就可以計(jì)算光入射到光子晶體后的如下參量:
研究的對(duì)象為A、B兩種介質(zhì)的色散曲線及其周期排列形成準(zhǔn)周期光子晶體模型結(jié)構(gòu)(AB)m,以及鏡像對(duì)稱模型結(jié)構(gòu)(AB)m(BA)m。A、B介質(zhì)計(jì)算的參數(shù)(折射率和厚度)分別為:nA=1.38,dA=281 nm,nB=2.35,dB=165 nm,m是基元介質(zhì)單元(AB)的排列周期數(shù),在計(jì)算中一般取正整數(shù)。
首先根據(jù)式(7)和(8),由科學(xué)計(jì)算軟件MATLAB編程,繪制出由A、B組成的晶體的色散曲線和由10個(gè)(AB)單元周期性排列形成的準(zhǔn)周期結(jié)構(gòu)光子晶體(AB)10的能帶結(jié)構(gòu),如圖2所示。圖中坐標(biāo)用歸一化頻率單位ω/ω0。
圖2 色散關(guān)系和能帶結(jié)構(gòu)圖
從圖2可見,A、B介質(zhì)組成的晶體的色散曲線存在著明顯的帶隙結(jié)構(gòu),其中在奇數(shù)倍頻率處周圍出現(xiàn)禁帶,在偶數(shù)倍頻率處周圍則出現(xiàn)導(dǎo)帶,如圖3(a)。光子晶體(AB)10的能帶結(jié)構(gòu)與A、B晶體的色散曲線相對(duì)應(yīng),也是在奇數(shù)倍頻率處周圍出現(xiàn)禁帶,而在偶數(shù)倍頻率處周圍則出現(xiàn)通帶,如圖3(b)所示。即光子晶體對(duì)入射到其中的光具有很明顯的選擇性通過功能[13-14]。模擬結(jié)果可見,用傳輸矩陣法很容易把入射到光子晶體中的光的行為描述出來(lái),而且描述結(jié)果形象直觀。
上述模擬的是光子晶體無(wú)缺陷的情形,當(dāng)合理地在光子晶體的介質(zhì)之間插入缺陷時(shí),可以增強(qiáng)光子晶體特別是缺陷位置處的自發(fā)輻射,增強(qiáng)的自發(fā)輻射將使光很容易通過光子晶體,并在禁帶中形成精細(xì)的缺陷模(透射峰)。對(duì)于含缺陷光子晶體的缺陷模,用傳輸矩陣計(jì)算模擬同樣也很方便。介質(zhì)A、B的參數(shù)不變,以A、B排列成鏡像對(duì)稱結(jié)構(gòu)光子晶體(AB)8(BA)8模型,利用傳輸矩陣法計(jì)算模擬出其透射能帶譜,如圖3所示。從光子晶體結(jié)構(gòu)(AB)7ABBA(BA)7模型可知,光子晶體鏡像對(duì)稱結(jié)構(gòu)中心由于缺少一層 A 介質(zhì)而形成空位缺陷[3,10,12],即模型中帶邊框的,當(dāng)光入射到光子晶體中時(shí),此處的自發(fā)輻射會(huì)增強(qiáng),于是在禁帶中會(huì)出現(xiàn)透射峰即缺陷模。鑒于透射能帶譜是周期性重復(fù)結(jié)構(gòu)及文章的篇幅,圖3僅繪制出0.5~1.5ω/ω0頻率范圍的能帶譜。從圖3可見,禁帶中心出現(xiàn)了一條透射率為100%的缺陷模。所以傳輸矩陣法很方便且準(zhǔn)確地描述了光在光子晶體缺陷中的傳播行為,這對(duì)研究者和學(xué)習(xí)者均有積極的意義。
圖3 光子晶體(AB)8(BA)8的透射能帶譜
通過對(duì)光子晶體常見研究方法的計(jì)算原理、運(yùn)算工作量及運(yùn)算精度等各方面的對(duì)比分析,得出如下結(jié)論:平面波展開法在計(jì)算理想光子晶體能帶結(jié)構(gòu)方面具有較大優(yōu)勢(shì);傳輸矩陣法計(jì)算量小,能有效地用于晶體的能帶結(jié)構(gòu)、透射系數(shù)、反射系數(shù)和內(nèi)部電場(chǎng)的計(jì)算,同時(shí)還可應(yīng)用于金屬晶體的計(jì)算與特性分析;有限時(shí)域差分法是計(jì)算光子晶體能帶、帶隙結(jié)構(gòu)和傳輸特性的有效方法,同時(shí)也適用于解決Anderson局域態(tài)、波導(dǎo)本征模的特性等問題;多重散射法能很好的解決某些特殊問題,尤其對(duì)高和低填充率兩種極端情況,更是具有很好的收斂速度。不同的研究方法具有各自的優(yōu)越性的同時(shí),也存在自己的局限性,在學(xué)習(xí)和研究光子晶體的實(shí)際計(jì)算問題時(shí),應(yīng)該根據(jù)不同的具體問題選用恰當(dāng)?shù)姆椒?,才能有效地解決問題。
[1]Yablonovitch E.Inhibited spontaneous emission in solid - state physics and electronics[J].Phys.Rev.Lett.,1987,58(20):2 059 - 2 061.
[2]John S.Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices[J].Phys.Rev.Lett.,1987,58(23):2 486 - 2 489.
[3]蘇安,高英俊.雙重勢(shì)壘一維光子晶體量子阱的光傳輸特性研究[J].物理學(xué)報(bào),2012,61(23):234208.
[4]蘇安,蒙成舉,高英俊.激活性雜質(zhì)對(duì)光子晶體量子阱濾波器特性的調(diào)制[J].中國(guó)激光,2014,41(3):0306001.
[5]蘇安,蒙成舉,高英俊.實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)濾波功能的一維光子晶體量子阱濾波器[J].中國(guó)激光,2013,40(10):1006001.
[6]蘇安,高英俊,蒙成舉.雙重勢(shì)壘一維光子晶體量子阱內(nèi)部局域電場(chǎng)分布[J].光子學(xué)報(bào),2014,43(2):0216002.
[7]蘇安,李忠海,莫傳文,等.光子晶體濾波器的濾波品質(zhì)調(diào)制因素研究[J].河池學(xué)院學(xué)報(bào),2014,34(5):78-82.
[8]潘繼環(huán),蘇安,蒙成舉,等.壘層周期不對(duì)稱度對(duì)光量子阱透射譜的影響[J].激光與光電子學(xué)進(jìn)展,2014,51(1):012701.
[9]潘繼環(huán),蘇安,蒙成舉.介質(zhì)光學(xué)厚度對(duì)光子晶體透射譜特性的調(diào)制[J].激光與紅外,2014,44(5):559-562.
[10]蘇安,陸華,黃星壽.缺陷光學(xué)厚度對(duì)對(duì)稱結(jié)構(gòu)一維光子晶體透射譜的影響[J].河池學(xué)院學(xué)報(bào),2011,31(2):17-21.
[11]蘇安,蒙成舉,高英俊,等.兩端對(duì)稱缺陷對(duì)對(duì)稱結(jié)構(gòu)光子晶體透射譜的影響[J].激光與紅外,2014,44(11):1 253-1 257.
[12]蘇安,高英俊.含復(fù)介電常數(shù)一維光子晶體的濾波特性[J].中國(guó)激光,2009,36(6):1 535-1 538.
[13]王玉玲.一維光子晶體的帶隙特性研究[D].南寧:廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院,2007:14-17.
[14]蘇安.一維光子晶體量子阱結(jié)構(gòu)及其共振透射譜研究[D].南寧:廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院,2009:4-16.
[15]李延輝.一維光子晶體表面波及其傳感應(yīng)用研究[D].濟(jì)南:山東大學(xué)物理學(xué)院,2014:5-8.
[16]孟波.光子晶體能帶與慢光波導(dǎo)特性的研究[D].長(zhǎng)沙:湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院,2013:21-30.
[17]王輝,李永平.用特征矩陣法計(jì)算光子晶體的帶隙結(jié)構(gòu)[J].物理學(xué)報(bào),2001,50(11):2 172-2 178.