安森美半導體和Transphorm推出600VGaN晶體管

安森美半導體（ON Semiconductor）和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關系，把基于氮化鎵（GaN）的電源方案推出市場，近日又宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS）600VGaN共源共柵（cascade）晶體管和使用這些器件的240 W 參考設計。

NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS），導通阻抗典型值為150mΩ和290mΩ，采用優(yōu)化的TO－220封裝，易于根據客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。NCP1397GANGEVB（TDPS250E2D2）評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現(xiàn)和評估他們的電源設計中的GaN 共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數校正控制器。LLC DC－DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200＋千赫茲（kHz）運行時實現(xiàn)，而且能滿足EN55022的B類電磁兼容（EMC）性能。完整的文檔請從安森美半導體網站獲取。