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      軍用印制電路組件氣相沉積促進工藝技術(shù)

      2015-05-30 08:22:18中航工業(yè)西安航空計算技術(shù)研究所喻少英
      航空制造技術(shù) 2015年10期
      關(guān)鍵詞:鹽霧附著力霉菌

      中航工業(yè)西安航空計算技術(shù)研究所 喻少英 張 烜 劉 鑫

      聚對二甲苯(parylene)材料在20世紀60年代中期由美國聯(lián)碳公司開發(fā)、應用。它由獨特的氣相沉積工藝制備,具有優(yōu)良的物理、機械、電性能[1],70年代就被美國軍用標準認定為電子電路優(yōu)質(zhì)保護材料,是一種高度晶度的熱塑性高分子材料[2-3]。苯環(huán)上取代基有鹵素、烷基、芳基、氰基、硝基等數(shù)十種,到目前為止Parylene家族已形成一系列性質(zhì)相近的多種型號[4-5]。其中,以鹵素取代基的穩(wěn)定性較好,3種主要的型號為N型(無取代基)、C型(1氯取代基)和D型(2氯取代基)。ParyleneN是一種很好的介電材料,具有非常低的介質(zhì)耗電常數(shù)、高絕緣強度以及不隨頻率變化的絕緣常數(shù),所有Parylene中穿透能力最高的一種。ParyleneD具有更高的耐熱能力。ParyleneC將良好的電性能、物理性能結(jié)合在一起,并且對于潮濕和其他腐蝕性氣體具有低滲透性,除了可以提供真正的無針孔涂覆隔離外,ParyleneC是涂覆重要電路板的首選材料,具有高的絕緣性、熱穩(wěn)定性、耐溶劑性、無熱應力、膜超薄、均勻、透明、無針孔,并且在元器件的底部及狹窄的縫隙均能涂覆到。由于它的這些優(yōu)點,用來做電子線路板的保護材料,將提高電子設備工作的可靠性和性能的穩(wěn)定性。但聚對二甲苯是化學惰性的材料,它與基底材之間的濕潤性比較差,即附著力差,為解決這個問題,一般采用對基體表面進行偶聯(lián)劑處理和等離子處理等方法。目前,國外使用的主要牌號為sailine A174的硅烷偶聯(lián)劑,國內(nèi)主要使用的牌號為KH560、SC-70等。并且Wu等研究認為,一端含有乙烯基或苯胺基,另一端含有甲氧基的硅烷偶聯(lián)劑對Parylene附著力的提高效果很好[6-7]。因此,本文著重對真空涂覆促進工藝進行全面研究,以提高Parylene涂層與基板的附著力,并找出最佳的促進工藝及工藝參數(shù)。

      1 試驗部分

      1.1 試驗項目

      (1) 選擇不同的促進劑進行對比試驗。

      (2) 找出最佳促進濃度、促進時間。

      (3) 找出電路板ParyleneC涂層耐三防性能的最佳厚度范圍。

      (4) 測試ParyleneC涂層耐溶劑性能。(5) 測試ParyleneC涂層耐高、低溫性。(6) 測試ParyleneC涂層的附著力。

      1.2 試驗要求

      (1) 在最佳促進工藝下,ParyleneC涂層的附著力≤2級。

      (2) 溫度試驗按GJB150.5-86《軍用設備環(huán)境使用方法、溫度沖擊試驗》執(zhí)行。

      (3) 濕熱試驗按GJB150.9-86《軍用設備環(huán)境試驗方法、濕熱試驗》執(zhí)行。

      (4) 霉菌試驗按GJB150.10-86《軍用設備環(huán)境試驗方法、霉菌試驗》執(zhí)行。

      (5) 鹽霧試驗按GJB150.11-86《軍用設備環(huán)境試驗方法、鹽霧試驗》執(zhí)行。

      1.3 試驗設備

      PDS-2060真空涂覆設備;MP30不導電覆蓋厚度測量儀;PSL-4G型超低溫恒溫恒濕箱;MJ-010霉菌試驗箱;CDTC1300 鹽霧試驗箱;CST320T溫度沖擊箱。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 不同促進劑試驗對比

      分別選擇了3種促進劑,牌號為770、SC-70、A-174,溶液為異丙醇和水(表1)。

      表1 幾種促進劑附著力試驗數(shù)據(jù)

      由表1附著力可知,SC-70和A-174均滿足要求,其中A-174附著力好,但由于進口A-174價格昂貴,比國產(chǎn)SC-70價格要高出10倍。因此,選擇SC-70更理想,從工藝上著手提高附著力。

      2.2 最佳促進時間和促進液濃度的確定

      (1) 根據(jù)附著力測試,對促進工藝時間進行篩選(表2)。

      表2 相同濃度、不同促進工藝時間附著力試驗數(shù)據(jù)

      漂洗時間對附著力影響很大,漂洗時間不易太長,故選擇漂洗時間為5s。不進行晾曬,附著力為3級,效果不好,因此促進工藝時間必須由浸+晾+漂3部組成,缺一不可。

      (2) 固定促進工藝時間,對促進液濃度進行篩選(表3)。

      表3 相同促進工藝時間、不同濃度附著力試驗數(shù)據(jù)

      由表3可知,濃度由1%增加至2%,附著力沒有區(qū)別,故濃度控制在1%以內(nèi),選擇0.5%和1%兩組濃度。

      (3) 固定促進液濃度(0.5%、1%)和漂洗時間(5s)對浸時間和晾時間進行篩選(表4)。

      表4 SC-70和A-174不同促進時間附著力試驗數(shù)據(jù)

      從表4結(jié)果可知,編號1、2、3晾置時間不同(5min、15min、30min),附著力全部為1級,說明晾置時間不同影響不大。從編號4、6看,濃度由0.5%增加到1%,附著力隨之增加。故綜合以上分析最佳工藝濃度為1%,促進工藝時間(浸+晾+漂)為5min+5min+5s。

      2.3 電路板ParylengC涂層耐三防性能的最佳厚度范圍

      依據(jù)MIL-46058C標準,ParylengC涂層厚度:12.7~50.8μm,丙烯酸和聚氨酯涂層厚度: 25.4~76.2μm通常丙烯酸和聚氨酯的使用厚度在50~70μm,之間,在滿足三防性能的前提下,厚度愈薄愈好,因此初步設置了13μm和23μm,兩個厚度進行濕熱試驗、霉菌試驗和鹽霧試驗(表 5、6、7)。

      從表 5、6、7可知,涂層厚度大于 13μm,霉菌試驗為0級,說明Parylene涂層的防霉性很好,鹽霧試驗無明顯變化。而濕熱試驗經(jīng)SC-70促進,13μm厚度的模塊上仍有少量氣泡,而未經(jīng)促進的模塊表面有大面積氣泡,不合格。為此,選擇15~25μm厚度進行濕熱試驗,試驗結(jié)果全部合格。此時,厚度增加后,氣泡明顯減少,氣泡的形成與很多因數(shù)有關(guān),但當濃度為1%時,在最佳促進工藝條件下,厚度≥15μm,無氣泡形成,故印制電路組件最佳耐三防性能的厚度為15~25μm。

      2.4 Parylene涂層耐溶劑性能測試

      進行耐介質(zhì)試驗,浸泡介質(zhì)為0.1mol NaOH溶液、0.1mol H2SO4溶液、5% NaCl溶液、二甲苯、丙酮、乙酸乙酯、四氯化碳、汽油、自來水,常溫、常壓、24h和3個月條件下,滿足技術(shù)指標要求??梢?,ParyleneC材料耐溶劑性很強,幾乎不溶于所有的已知溶液。

      表5 兩種厚度霉菌試驗結(jié)果

      表6 兩種厚度濕熱試驗結(jié)果

      表7 兩種厚度鹽霧試驗結(jié)果

      2.5 ParyleneC涂層耐高低溫沖擊性測試

      進行ParyleneC涂層高、低溫沖擊試驗,試樣為普通陽極化模塊、硬質(zhì)陽極化模塊、導電氧化鋁片、有阻焊環(huán)氧印制板、無阻焊環(huán)氧印制板、LY12硬鋁,按GJB150.5-86《軍用設備環(huán)境試驗方法、溫度沖擊試驗》執(zhí)行。技術(shù)指標要求為: (1)保護層除局部邊棱處外,無起泡、開裂或脫落; (2)允許保護層光澤顏色減退,但不應有嚴重起皺、結(jié)皮等現(xiàn)象。采用CST320-2T溫度沖擊箱,高溫(70℃)、低溫(-55℃)、轉(zhuǎn)換時間不大于 5min、循環(huán)3次,SC-70和A-174促進、ParyleneC真空沉積、不同膜厚(15μm、17μm、19μm)、促進濃度1% 條件下,經(jīng)高低溫沖擊試驗后,樣件全部合格。試驗由中航工業(yè)西安航空計算技術(shù)研究所二室例行試驗室承制。

      經(jīng)溫度試驗考核,ParyleneC涂層的耐高、低溫性很好,熱穩(wěn)定性很高,滿足技術(shù)指標要求。

      2.6 ParyleneC涂層附著力和柔韌性測試

      表8 幾種材料的附著力和柔韌性試驗結(jié)果

      對常用三防材料S31-11 、H01-1、1B31進行了附著力和柔韌性測試對比試驗,見表8。

      從表8可知,經(jīng)促進后的 ParyleneC涂層的附著力達到1級,柔韌性達到R0.5mm,均優(yōu)于其他三防涂層。

      3 結(jié)論

      (1) 各項試驗表明,選擇的促進工藝參數(shù)合理(濃度為1%,時間為5min+5min+5s,達到了設計要求。

      (2) 選擇的促進劑經(jīng)最佳促進工藝后,附著力達到1級,且經(jīng)濕熱、鹽霧、霉菌、溫度、介質(zhì)試驗考核后,全部達到技術(shù)指標要求,滿足軍用印制電路組件三防技術(shù)要求。

      [1] Meng E, Tal Y C. A parylene MEMS flow sensing array//Proceedingof the 12th International Conference. USA :Pasadena,2003:686-689.

      [2] Beach W F ,Lee C, Bassett D R, et al. Xylene polymers //Proceeding of encyclopedia of polymer science and engineering. New York: Wiley, 1989: 990-993.

      [3] William F G, Berkeley H N J. Halogenated dipxylenes:US,3221068[P]. 1965-11-30.

      [4] William F G, Berkeley Heights N J. Para xylyene copolymers:US,3288728 [P]. 1996-11-29.

      [5] Baker T E,F(xiàn)ix G L,Judge J S. Process for forming polymeric paraxylyene coatings and films possessing improved oxidation resistance:US,4176209[P]. 1979-11-27.

      [6] 仝曉剛. Parylene高頻電路防護研究進展.電子工藝技術(shù),2011,32(9):274-276.

      [7] 張立新,周元林,王恩澤,等.新型涂層Parylene薄膜表面改性研究進展 .材料導報,2008,22(10):112-113.

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