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      老煉對(duì)真空滅弧室回路電阻的影響

      2015-05-30 16:36:24李春香
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2015年15期

      李春香

      摘 要:對(duì)于真空滅弧室而言,回路電阻是一關(guān)鍵參數(shù),它是決定真空滅弧室長(zhǎng)期通載電流及滅弧室承受短時(shí)電流能力的關(guān)鍵因素,在回路電阻的組成中接觸電阻又至關(guān)重要。作者就老煉對(duì)減少滅弧室接觸電阻的理論進(jìn)行討論,通過(guò)分析真空滅弧室回路電阻中接觸電阻的組成、成因,高壓老煉、直流老煉機(jī)理,就高壓、直流老煉工藝原理說(shuō)明其對(duì)真空滅弧室回路電阻中接觸電阻阻值的影響。

      關(guān)鍵詞:接觸電阻;收縮電阻;膜電阻、電子和離子轟擊;真空電弧

      1 滅弧室回路電阻組成

      滅弧室回路電阻:回路電阻R=R動(dòng)+R靜+RC

      RC為觸頭表面接觸電阻,R動(dòng)、R靜為滅弧室動(dòng)管芯、靜管芯電阻,動(dòng)、靜管芯的電阻釬焊好后R動(dòng)、R靜兩值基本均為定值,老煉改變主要受RC即接觸電阻影響。

      2 接觸電阻的理論分析

      接觸電阻的定義:電流通過(guò)兩導(dǎo)體電接觸處的主要現(xiàn)象是接觸處出現(xiàn)局部高溫。產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因是電接觸處存在一附加電阻,稱之為接觸電阻。接觸電阻的物理實(shí)質(zhì):任何肉眼看來(lái)磨得非常光滑的金屬表面,實(shí)際上都是粗糙不平的,當(dāng)兩金屬互相接觸時(shí),只有少數(shù)凸的點(diǎn)(小面)發(fā)生了真正的接觸,其中僅僅是一小部分金屬接觸或準(zhǔn)金屬接觸的斑點(diǎn)才能導(dǎo)電。

      2.1 接觸電阻組成

      當(dāng)電流通過(guò)這些很小的導(dǎo)電斑點(diǎn)時(shí),電流線必然會(huì)發(fā)生收縮現(xiàn)象,由于電流線收縮,流過(guò)導(dǎo)電斑點(diǎn)附近的電流路徑增長(zhǎng),有效導(dǎo)電截面減少,因而電阻值響應(yīng)增大。這個(gè)因電流線收縮而形成的附加電阻稱為收縮電阻,是構(gòu)成接觸電阻的一個(gè)分量。由于金屬表面上有膜的存在,如果實(shí)際接觸面之間的薄膜能導(dǎo)電,則當(dāng)電流通過(guò)時(shí)會(huì)受到一定阻礙而有另一附加電阻,稱之為膜電阻,它是構(gòu)成接觸電阻的另一個(gè)分量。接觸電阻包括三部分:一個(gè)接觸元件一邊的收縮電阻Rs1,接觸面間的膜電阻Rb,另一接觸元件一邊的收縮電阻Rs2,接觸電阻Rj:Rj=Rs1+Rb+Rs2。

      2.2 接觸電阻的物理意義

      2.2.1 收縮電阻的本質(zhì)就是金屬電阻,其大小與接觸元件材料的電阻率成正比,與導(dǎo)電斑點(diǎn)的直徑成反比。

      2Rs=ρ/2α

      式中:ρ-接觸元件材料的電阻率;α-導(dǎo)電斑點(diǎn)α的半徑。

      2.2.2 膜電阻Rb

      膜電阻分類:(1)塵埃膜:空氣中的固體微粒(灰粉、塵土)由于靜電吸引力而覆蓋在接觸表面所形成。(2)吸附膜:由氣體分子或水分子吸附在接觸面形成吸附膜,吸附膜電阻,不能用機(jī)械方法消除。(3)無(wú)機(jī)膜:由于化學(xué)作用在觸頭表面形成的各種金屬化合物的膜(如氧化膜,硫化膜膜)。另外,在潮濕的情況下,發(fā)生電解質(zhì)作用,在接觸面上積存銹蝕物,這些金屬腐蝕的產(chǎn)物稱無(wú)機(jī)膜。(4)有機(jī)膜:絕緣材料的有機(jī)蒸發(fā)在接觸表面留下粉狀有機(jī)聚合物稱有機(jī)膜,有機(jī)膜阻值大,危害嚴(yán)重。在動(dòng)靜管芯釬焊好至整管排氣前,滅弧室在存放、運(yùn)輸過(guò)程中觸頭表面將不同程度的形成以上四種膜。

      破壞膜的措施:(1)增大觸頭壓力將膜壓碎;(2)接觸時(shí),觸頭有相對(duì)滑動(dòng)運(yùn)動(dòng);(3)利用電弧高溫將膜燒掉。

      減少膜電阻措施:即為破壞膜的措施。通過(guò)破壞膜的存在,從而達(dá)到減少膜電阻(接觸電阻)的目的。

      3 真空滅弧室老煉機(jī)理

      3.1 高壓老煉

      排氣臺(tái)動(dòng)態(tài)高壓老煉,將觸頭拉到工藝開距,緩慢升壓至工藝值,在升壓過(guò)程中,出現(xiàn)火花放電,在火花放電的作用下,觸頭表面受到強(qiáng)烈的電子和離子轟擊,表面的氧化物、臟物分解,同時(shí)觸頭表面有氣體放出;對(duì)封離排氣臺(tái)后的真空滅弧室進(jìn)行電壓老煉,它是將觸頭拉到額定開距或比額定開距更小的開距,施加工頻電壓,先從較小的電壓開始,逐步上升,加到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定工頻耐壓值,穩(wěn)定一分鐘,然后再提高工頻電壓,在整個(gè)升壓過(guò)程中,管內(nèi)有時(shí)會(huì)出現(xiàn)打火、擊穿和高壓老煉臺(tái)跳閘現(xiàn)象,這主要是由于管內(nèi)部件上的金屬毛刺所致,經(jīng)反復(fù)老煉,可以將這些毛刺去掉,并可穩(wěn)定在高于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的某一工頻耐壓值上。

      3.2 電流老煉

      對(duì)于真空滅弧室觸頭來(lái)說(shuō),電流老煉比高壓老煉具有更徹底的除氣作用,不同的是,電流老煉時(shí),觸頭間燃燒著數(shù)百安的擴(kuò)散型電弧,在這些真空電弧作用下,剝除了觸頭表面復(fù)蓋著的少量臟污、氧化物和氣體,即起到了凈化觸頭表面的作用。電流老煉是在直流老煉機(jī)上進(jìn)行的,電流老煉可分交流電流老練和直流電流老煉。為了對(duì)另一觸頭進(jìn)行老煉,必須改變電源極性,重復(fù)一次上述操作,經(jīng)電流老煉的真空滅弧室,其開斷短路電流和開合電容器組的性能比未進(jìn)行老煉的滅弧室性能穩(wěn)定。

      3.3 綜述

      高壓、直流老煉對(duì)觸頭表面均有凈化作用,即均在一定程度上破壞了觸頭表面形成的塵埃膜、吸附膜、有機(jī)膜及無(wú)機(jī)膜。通過(guò)破壞膜的存在,達(dá)到減少真空滅弧室膜電阻的目的。

      4 試驗(yàn)

      4.1 BD11-12/1250-25滅弧室100只排氣前與成品檢驗(yàn)時(shí)回路電阻值對(duì)比(表1)。

      表1

      從以上對(duì)比數(shù)據(jù)可看出,經(jīng)排氣過(guò)程及封離后老煉可有效減少滅弧室回路電阻,其機(jī)理主要為經(jīng)排氣及烘裝工序老煉破壞了觸頭燃弧面在排氣前形成的氧化膜,從而達(dá)到減小膜電阻的目的。

      4.2 直流老煉對(duì)回路電阻影響

      對(duì)真空滅弧室共165只進(jìn)行靜態(tài)直流老煉,老煉前、后回路電阻對(duì)比如表2。

      表2

      100A直流電流在真空滅弧室觸頭之間形成真空電弧,電弧燒蝕下,在一定程度上破壞了觸頭表面形成的塵埃膜、吸附膜、有機(jī)膜及無(wú)機(jī)膜。通過(guò)破壞膜的存在,達(dá)到減少真空滅弧室膜電阻的目的。

      5 結(jié)束語(yǔ)

      綜上所述,滅弧室電阻的主要組成接觸電阻,通過(guò)對(duì)真空滅弧室的高壓、直流老煉,可有效減少真空滅弧室膜電阻,即接觸電阻,從而有效減少真空滅弧室回路電阻。

      參考文獻(xiàn)

      [1]王季梅.真空滅弧室設(shè)計(jì)及其應(yīng)用[M].西安交通大學(xué)出版社,1993.

      [2]H.C.TAEB.電器學(xué)(基本理論)[M].任耀先,譯.機(jī)械工業(yè)出版,1981.

      [3]H.A.卡普夫.氣體與真空中的電現(xiàn)象[M].高等教育出版社,1958.

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