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      氧化鋅—石墨烯復(fù)合電極制備及其對(duì)重金屬鉛的靈敏檢測

      2015-09-11 10:33:54盧圓圓陳夢妮高屹立楊健茂馬小玉劉建允
      分析化學(xué) 2015年9期
      關(guān)鍵詞:石墨烯氧化鋅

      盧圓圓 陳夢妮 高屹立 楊健茂 馬小玉 劉建允

      摘 要 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚丙烯腈(PAN)和醋酸鋅(Zn(Ac)2)為紡絲前驅(qū)液,利用靜電紡絲技術(shù)制備Zn(Ac)2-PAN-PVP復(fù)合納米纖維原絲,經(jīng)高溫煅燒得到ZnO納米纖維。X-射線衍射證明ZnO呈纖鋅礦結(jié)構(gòu)。掃描電子顯微鏡(SEM)顯示,ZnO納米纖維呈中空?qǐng)A管狀。將該ZnO納米管與石墨烯(RGO)按一定比例混合,采用滴涂法制備ZnO-RGO/GC電極, 并用于水體中重金屬Pb2+的檢測。方波溶出伏安分析表明,此修飾電極對(duì)重金屬Pb2+有靈敏的響應(yīng),響應(yīng)電位約為

      0.4 V。在0.1 mol/L HAc-NaAc (pH=4.6) 緩沖溶液中,

      1.0 V電位下富集10 min, ZnO-RGO/GC電極對(duì)Pb2+檢測的線性范圍為2.4×10

      9~4.8×10

      7 mol/L,檢出限達(dá)到4.8×10

      10 mol/L(S/N>3)。此電極容易制作,穩(wěn)定性好,在用于檢測實(shí)際水體中Pb2+時(shí),其結(jié)果與電感耦合等離子體-質(zhì)譜法(ICP-MS)測試值一致。

      關(guān)鍵詞 靜電紡絲技術(shù); 氧化鋅; 石墨烯; 修飾電極; 鉛; 方波溶出伏安

      [HT][HK][FQ(32,X,DY-W][CD15] 2015-04-12收稿; 2015-06-18接受本文系國家自然科學(xué)基金(No.21105009)和電分析化學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題(No.SKLEAC201205)資助

      * E-mail: jianyun.liu@dhu.edu.cn[HT]

      1 引 言

      ZnO是一種很有前途的半導(dǎo)體材料[1],ZnO一維納米材料表面能及活性較大[2],其獨(dú)特的催化、電子特性和低成本性使得其在各領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用[3]。如制備化學(xué)修飾電極[4,5]、分子印跡電化學(xué)傳感器[6]。其常用的制備方法有沉淀法[7]、水熱法[8]、電化學(xué)沉積法[9]等。

      靜電紡絲法可以通過調(diào)節(jié)紡絲前驅(qū)液的成分,控制電紡纖維的孔徑、孔隙率[10],其制備出的產(chǎn)品均一性好、易成膜[11],ZnO納米管相比ZnO納米纖維具有更大的比表面積和更高的孔隙率[12],且由于納米ZnO表面存在較多的羥基[13],重金屬離子容易通過配位作用吸附于ZnO表面,因此可用作重金屬離子的吸附劑[14]。但由于ZnO導(dǎo)電性較差,限制了其在電化學(xué)方面的應(yīng)用[4],因而將具有良好導(dǎo)電性能的石墨烯[15]與ZnO納米管復(fù)合可擴(kuò)展其電化學(xué)應(yīng)用范圍。

      鉛是一種高毒性重金屬,目前常用的Pb2+檢測方法有原子吸收光譜法(AAS)[16]、原子發(fā)射光譜法(AES)[17]、電感耦合等離子體-質(zhì)譜聯(lián)用法(ICP-MS)[18]等, 這些方法操作復(fù)雜、儀器昂貴,而且不適于現(xiàn)場分析。電化學(xué)溶出伏安法因其儀器裝置簡單、自動(dòng)化、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注[19]。

      本研究利用靜電紡絲技術(shù),以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚丙烯腈(PAN)和醋酸鋅(Zn(Ac)2)為紡絲前驅(qū)液,得到復(fù)合納米纖維,通過高溫煅燒制得高比表面積的ZnO納米管,并與石墨烯復(fù)合制備ZnO-RGO/GC電極,研究了此ZnO-RGO/GC電極對(duì)重金屬Pb2 +的靈敏檢測。2 實(shí)驗(yàn)部分

      2.1 儀器與試劑

      靜電紡絲裝置采用高壓直流電源(天津東文高壓電源有限公司)和恒流注射泵(保定蘭格恒流泵有限公司)組裝而成; 馬弗爐; JSM-5600LV掃描電子顯微鏡( SEM, 日本JEOL公司); 超聲波清洗器(科導(dǎo)超聲儀器); 電化學(xué)測試儀(上海辰華儀器有限公司); 采用三電極體系:玻碳電極為工作電極(d=3 mm), Ag/AgCl(3 mol/L NaCl)電極為參比電極, 鉑絲為輔助電極。

      聚丙烯腈(PAN, MW 150000,Aldrich公司); 聚乙烯吡咯烷酮(PVP, MW 1300000, Acros公司); N,N-二甲基甲酰胺(DMF); Nafion(5%,Aldrich公司); Pb2+標(biāo)準(zhǔn)溶液(1 g/L,分析純); 二水合醋酸鋅、無水乙醇、HAc、NaAc等(分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司); 石墨烯(RGO,常州第六元素材料科技股份有限公司); 實(shí)驗(yàn)用水為超純水(18.2 MΩ cm,Thermo)。

      2.2 ZnO納米管的制備

      參照文獻(xiàn)[10]制備ZnO納米管,并做了部分改進(jìn):將PAN溶解在 DMF溶液中,得到質(zhì)量分?jǐn)?shù)為17%的溶液,再向其中加入PVP和二水合醋酸鋅,紡絲液各組分質(zhì)量比PAN∶PVP∶Zn(Ac)2=1∶2∶0.25; 將溶液置于60℃水浴中恒溫?cái)嚢瑁纬删鶆虻奈ⅫS黏稠電紡前驅(qū)液。調(diào)節(jié)紡絲電壓為10.0 kV、接收距離為10 cm、噴射速度為1 mL/h,進(jìn)行靜電紡絲,并收集在襯有鋁箔的平板接收裝置上,得到Zn(Ac)2-PAN-PVP復(fù)合納米纖維原絲。將其置于馬弗爐中, 以25℃/h升溫至650℃,保持2 h,最終得到ZnO納米管。

      2.3 ZnO-RGO修飾電極的制備

      依次用1.0和0.3 μm的Al2O3懸濁液對(duì)玻碳電極表面進(jìn)行拋光,用純水、乙醇分別超聲清洗。取適量制得的ZnO納米管與石墨烯,以一定比例分散在無水乙醇中,超聲分散約1 h,加入0.005% Nafion繼續(xù)超聲分散30 min,使之混合均勻。用微量進(jìn)樣器吸取適量上述混合液,滴涂在玻碳電極表面,自然晾干成膜,得到ZnO-RGO/GC電極。采用上述方法,不添加石墨烯制備ZnO/GC電極,作為對(duì)照電極。

      2.4 實(shí)驗(yàn)方法

      取10.0 mL 0.1mol/L HAc-NaAc緩沖溶液(pH 4.6),加入適量 Pb2+標(biāo)準(zhǔn)溶液。采用方波溶出伏安法 (SWSV),于-1.0 V電位下攪拌富集10 min,靜止10 s,記錄-0.8~-0.1 V電位范圍內(nèi)Pb2+的溶出伏安圖。將電位在+0.6 V保持120 s,保證Pb2+完全溶出,使電極再生,以便重復(fù)測試。實(shí)驗(yàn)在室溫下進(jìn)行。endprint

      3 結(jié)果與討論

      3.1 ZnO納米管的SEM表征分析

      圖1中A、B是電紡Zn(Ac)2-PAN-PVP復(fù)合納米纖維原絲及高溫煅燒后所得ZnO納米管的SEM圖,圖1C為ZnO納米管的高倍數(shù)放大SEM圖??梢钥闯?,電紡Zn(Ac)2-PAN-PVP復(fù)合納米纖維原絲均勻,纖維直徑約為300~400 nm。經(jīng)氧化后,其纖維直徑明顯減小,呈串珠式中空?qǐng)A管狀; 由圖1C可見,管壁由ZnO納米顆粒緊密排列相互組合疊加成一個(gè)類六邊形,纖維圓管表面具有一定的空隙結(jié)構(gòu),ZnO納米顆粒約40 nm,管內(nèi)徑約為80 nm,外徑約為160 nm。說明在煅燒過程中,ZnO納米顆粒沿纖維生長。這可能是因?yàn)榧徑z纖維中PAN較穩(wěn)定,在煅燒溫度高達(dá)約400℃時(shí)仍能保持原有形態(tài),從而為ZnO的生長提供支撐。ZnO顆粒間的一定空隙也使得ZnO納米管比表面積增大,作為吸附材料,被吸附物容易擴(kuò)散到內(nèi)部,從而增加活性位點(diǎn)。

      3.2 ZnO納米管的XRD表征分析

      實(shí)驗(yàn)運(yùn)用XRD表征分析了ZnO納米管的晶體結(jié)構(gòu),圖2為ZnO納米管的XRD圖像,顯示具有很多明顯的尖銳峰。在2θ為31.7°(100),34.4°(002),36.2°(101),47.5°(102),56.5°(110),62.8°(103), 66.4°(200), 67.9°(112),69.0°(201)處,呈現(xiàn)典型的ZnO纖鋅礦結(jié)構(gòu)的特征衍射峰[20],所以可以確定此煅燒產(chǎn)物為ZnO晶體。

      3.3 ZnO-RGO/GC電極的電化學(xué)行為

      圖3中曲線a、b和c分別為裸玻碳電極、ZnO-RGO/GC電極、ZnO/GC電極在1 mmol/L [Fe(CN)6]3

      中的循環(huán)伏安曲線。裸玻碳電極上對(duì)應(yīng)的氧化還原峰完全可逆,峰峰差約65 mV。在ZnO/GC電極表面,峰電流有明顯的抑制,峰峰差增大,表現(xiàn)為準(zhǔn)可逆性。這是因?yàn)榧僙nO納米管導(dǎo)電性較差,使電子傳遞受阻。而ZnO-RGO/GC電極上,[Fe(CN)6]3

      的響應(yīng)相比ZnO/GC電極明顯提高,說明石墨烯的添加,改善了修飾層的導(dǎo)電性,增加了有效接觸面積,促進(jìn)了離子的有效擴(kuò)散和傳輸。

      3.4 Pb2+測定條件的優(yōu)化

      3.4.1 ZnO-RGO/GC電極對(duì)Pb2+的檢測

      由于ZnO的良好電子特性及對(duì)重金屬離子的吸附特性,可以富集水體中的重金屬離子Pb2+[4]; 石墨烯的摻入還能有效改善ZnO和襯底表面羥基的接觸,大大提高了電子傳輸能力[21]。將ZnO納米管和石墨烯復(fù)合制備修飾電極,可以進(jìn)一步提高材料的導(dǎo)電性及活性位點(diǎn),預(yù)計(jì)可改善ZnO修飾電極對(duì)Pb2+吸附富集的響應(yīng)位點(diǎn),從而提高Pb2+檢測靈敏度。圖4為不同電極在含7.2×10

      8 mol/L Pb2+的HAc-NaAc(0.1 mol/L)緩沖溶液中的溶出伏安行為??梢钥闯?,裸玻碳電極沒有明顯的響應(yīng),ZnO/GC電極在-0.4 V電位處出現(xiàn)明顯的溶出信號(hào),說明ZnO納米管的存在對(duì)Pb2+的溶出具有明顯的吸附富集作用; 而在ZnO-RGO/GC電極(RGO∶ZnO=1∶2)上電流信號(hào)比ZnO/GC電極增加近一倍,且峰形變尖銳。證明石墨烯的加入增加了電極的檢測活性位點(diǎn)和導(dǎo)電性,對(duì)電子傳輸有明顯促進(jìn)作用。

      圖3 裸玻碳電極(a)、ZnO-RGO/GC電極(b)和ZnO/GC電極(c)在1 mmol/L [Fe(CN)6]3

      中的循環(huán)伏安掃描曲線

      3.4.2 ZnO納米管和石墨烯混合比例的優(yōu)化 ZnO納米管和RGO的協(xié)同作用增加了電極的檢測活性位點(diǎn)和導(dǎo)電性。研究了RGO/ZnO納米管混合比例對(duì)Pb2+檢測結(jié)果的影響。實(shí)驗(yàn)首先分析了ZnO負(fù)載量對(duì)Pb2+檢測的影響??刂频瓮吭谛揎楇姌O上的修飾體積均為5 μL, 改變修飾液中ZnO的分散濃度,得到不同ZnO負(fù)載量的修飾電極,結(jié)果如圖5A所示。隨著ZnO修飾液濃度增加,Pb2+的溶出峰電流增大,說明修飾電極上ZnO納米管負(fù)載量增加,羥基活性位點(diǎn)增多,該羥基作用更有利于Pb2+富集到修飾電極表面,但ZnO含量過高,其電流減小,主要是因?yàn)閆nO納米管自身的電子導(dǎo)電性低。當(dāng)分散液中ZnO納米管濃度為100 mg/L時(shí),其對(duì)Pb2+的檢測靈敏度最高。令ZnO納米管分散液濃度不變,改變石墨烯添加量,得到一系列不同RGO/ZnO比例的分散液,按照實(shí)驗(yàn)方法制備ZnO-RGO/GC電極,并測定對(duì)Pb2+的溶出響應(yīng),結(jié)果如圖5B所示。隨著RGO/ZnO比例增加,其對(duì)應(yīng)峰電流逐漸增大,說明石墨烯的添加改善了電極的導(dǎo)電性(如前所述的CV曲線),促進(jìn)了ZnO表面的電子傳遞,增加其有效吸附位點(diǎn)。但若石墨烯質(zhì)量濃度過高,

      3.4.3 Nafion 濃度的影響 向ZnO-RGO混合修飾液中添加適量的Nafion, 不僅利于維持修飾電極表面的穩(wěn)定性,而且可使修飾電極具有更強(qiáng)的陽離子交換能力??疾炝薔afion添加量對(duì)Pb2+的溶出峰信號(hào)影響。結(jié)果如圖6所示,隨著Nafion含量增加,峰電流增大,而且在待測溶液中,電極重現(xiàn)性得到改善。但是過量Naifion會(huì)使電流減小,可能因?yàn)镹aifion在電極表面形成較厚的膜,使得修飾電極表面電阻增加、活性位點(diǎn)減少。當(dāng)Nafion添加量為0.005%時(shí),圖7 修飾電極上修飾量對(duì)Pb2+檢測的溶出峰電流影響

      Fig.7 Effect of dispersion amount on stripping current of Pb2+ Pb2+的響應(yīng)信號(hào)最強(qiáng),故選擇Nafion添加量為0.005%。

      3.4.4 修飾量的影響 ZnO-RGO分散液在電極表面的修飾量分別為3, 5和7 μL所對(duì)應(yīng)的分析結(jié)果如圖7所示。當(dāng)修飾量比較低時(shí),電極表面與Pb2+發(fā)生配位的活性點(diǎn)位較少,Pb2+的響應(yīng)信號(hào)較低; 當(dāng)修飾量過高時(shí),膜的表面均勻性較差,過厚的修飾層阻礙了Pb2+的電子傳遞,溶出信號(hào)反而下降。當(dāng)修飾量為5 μL時(shí),檢測Pb2+的響應(yīng)信號(hào)最強(qiáng)。故最終選擇ZnO-RGO分散液的修飾量為5 μL。endprint

      3.4.5 支持電解質(zhì)及其pH的影響 比較了Pb2+在 HAc-NaAc,Citrate,PBS以及PBS-Citrate緩沖液(pH均為4.6)中的溶出峰信號(hào),峰電流值如圖8A所示。結(jié)果表明,在HAc-NaAc緩沖液中,修飾電極的溶出峰峰形最好,且溶出電流最大。

      以HAc-NaAc緩沖液為電解質(zhì),進(jìn)一步研究了pH值對(duì)Pb2+的溶出峰信號(hào)的影響。如圖8B所示,在pH 3.6的溶液中,Pb2+溶出峰電流明顯較低; 在pH 5.6的溶液中,Pb2+的溶出峰向正電位方向遷移,峰電流不但減小且峰形變寬。當(dāng)緩沖液pH 4.6時(shí),修飾電極的溶出峰電流最大,峰形最好。因此,本實(shí)驗(yàn)選擇0.1 mol/L HAc-NaAc緩沖溶液(pH 4.6)作為支持電解質(zhì)。

      3.5 標(biāo)準(zhǔn)曲線、線性范圍和電極的重現(xiàn)性

      在最佳試驗(yàn)條件下,對(duì)一系列Pb2+標(biāo)準(zhǔn)溶液進(jìn)行測定,得到相應(yīng)方波溶出伏安曲線,如圖9所示。顯然,隨著溶液中Pb2+濃度增加,其溶出峰電流逐漸增強(qiáng)。Pb2+的溶

      3.6 修飾電極的干擾性測試

      考察了不同離子對(duì)2.4×10

      Symbolm@@ 7 mol/L Pb2+在此ZnO-RGO/GC電極上的陽極溶出伏安測定的影響。100倍的Na+, K+, Ca2+, Mg2+, Cl

      , SO2

      , PO3

      , CO2

      3和50倍的Fe3+共存時(shí),Pb2+的測定誤差均在5%~10%以內(nèi)。

      進(jìn)一步考察了4種重金屬離子(Cd2+,Pb2+,Cu2+,Hg2+)共存時(shí)的檢測情況。等濃度的Cd2+, Hg2+, Cu2+與Pb2+共存時(shí),Pb2+濃度測定的相對(duì)誤差在15%以內(nèi)。如圖10所示,4種離子在各自的溶出電位處均出現(xiàn)明顯的溶出峰,且隨著濃度的增加(2.4×10

      7 mol/L, 3.4×10

      7 mol/L, 4.8×10

      7 mol/L),其溶出峰電流逐漸增強(qiáng)。由此可以得出,此修飾電極表面可吸附重金屬離子的活性位點(diǎn)較多,并且其它重金屬離子的吸附不會(huì)顯著影響Pb2+的測定,說明此修飾電極可以進(jìn)行多種金屬元素的同時(shí)測定。

      3.7 實(shí)際水樣分析

      取自來水和湖水為測試水樣,在優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件下,用標(biāo)準(zhǔn)加入法測定了兩種水樣中Pb2+的濃度,并進(jìn)行了加標(biāo)回收實(shí)驗(yàn),結(jié)果如表1,回收率分別為94.2%和104.5%。與電感耦合等離子體-質(zhì)譜(ICP-MS)進(jìn)行比較,結(jié)果基本一致,表明此修飾電極可用于實(shí)際水體中痕量Pb2+的測定。

      4 結(jié) 論

      采用靜電紡絲技術(shù)結(jié)合高溫處理,成功制備了ZnO納米管。此ZnO納米管主要由內(nèi)徑為40 nm的ZnO納米顆粒堆疊構(gòu)成。由于其高空隙率及高比表面積,通過與高導(dǎo)電性石墨烯復(fù)合,采用滴涂法成功制備了ZnO-RGO/GC電極。在優(yōu)化條件下,此電極對(duì)水中的痕量重金屬Pb2+有靈敏的溶出伏安響應(yīng),檢出限達(dá)到4.8×10

      10 mol/L。

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