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      MgCuZn鐵氧體材料阻抗特性的探討

      2016-01-16 05:26:18杜朋艷
      陶瓷 2015年10期
      關(guān)鍵詞:磁導(dǎo)率鐵氧體損耗

      MgCuZn鐵氧體材料阻抗特性的探討

      杜朋艷

      (陜西金山電器有限公司陜西 咸陽712000)

      摘要研究了CuO含量對MgCuZn(μi=600)鐵氧體材料阻抗特性的影響。采用高純度的原材料,嚴格控制主配方和生產(chǎn)工藝,制備出高阻抗特性的MgCuZn鐵氧體材料,CuO含量在10~12mol%的范圍內(nèi),MgCuZn鐵氧體材料的阻抗特性較好。

      關(guān)鍵詞MgCuZn鐵氧體阻抗探討

      作者簡介:*杜朋艷(1982-),本科,助理工程師;主要從事軟磁材料的生產(chǎn)和研發(fā)。

      中圖分類號:TQ174文獻標識碼:B

      隨著電子技術(shù)的日益發(fā)展,特別是數(shù)字技術(shù)的飛速發(fā)展,世界各國對電子設(shè)備抗電磁干擾(EMI)的能力非常重視。如何降低電子設(shè)備的電磁波干擾成為一項新的研究方向。

      抗EMI鐵氧體主要是利用鐵氧體材料獨特的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率產(chǎn)生的磁損耗機理。鐵氧體在交變磁場使用時,其磁導(dǎo)率μ不再是實數(shù)而是復(fù)數(shù),復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率μ=μ′-jμ″。既有磁能的儲存(μ′)又有磁能的損耗(μ″),這種損耗不是一般的渦流損耗,也不是磁滯損耗,而是由于磁化過程中磁距運動的阻尼(弛像機制)產(chǎn)生的,為磁吸收。隨著頻率的上升,復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的虛部(μ″)增大,損耗增大。

      普通MgZn鐵氧體材料在10~200MHz的阻抗值較低,難以滿足對抗電磁干擾的需求。筆者主要研究CuO含量對MgCuZn(μi=600)鐵氧體材料阻抗特性的影響。

      1實驗

      1.1原材料

      原材料的優(yōu)劣對制備出高電磁性能的材料起到關(guān)鍵的作用,選擇材料一般從化學(xué)性能和物理性能兩個方面考慮?;瘜W(xué)性能主要指原材料的純度和活性;而物理性能主要考慮顆粒的形狀及大小等。在本實驗中我們采用的原材料Fe2O3、MgO、ZnO、CuO純度均在99%以上。

      1.2顆粒料配方

      本試驗采用缺鐵配方,配方中Fe2O3、MgO、ZnO、CuO的摩爾比為49.5∶12.5∶24∶14,保持Fe2O3和ZnO的含量不變,依次降低CuO的含量增加MgO含量制定合理的配方A、B、C、D(CuO的含量分別為14、12、10、8)共4種配方進行試驗。指標要求起始磁導(dǎo)率μi=600(1±10%),以通用產(chǎn)品RH14.2×6.35×28.5為例,在10MHz時的單匝阻抗Z1≥90Ω;在25MHz時的單匝阻抗Z2≥150Ω;在50MHz時的單匝阻抗Z3≥190Ω;在100MHz時的單匝阻抗Z4≥240Ω;在200MHz時的單匝阻抗Z5≥290Ω。

      1.3試驗方法

      嚴格按照配方稱料混合,一次球磨后烘干,烘干料于800℃下預(yù)燒,然后再進行二次球磨、烘干,最后進行適當?shù)膿诫s,添加9%的PVA做黏合劑,干壓成形,分別在1000℃×2.5h、1030℃×2.5h、1050℃×2.5h、1080℃×2.5h、1100℃×2.5h條件下燒結(jié)。

      1.4試驗測量

      測試電壓為0.25V,測試頻率為10kHz,測試線徑為0.5mm.,繞線匝數(shù)為10匝,用LCR測試儀(HP4980A)測試產(chǎn)品的電感量L(μH)值。通過公式μi=10000L/〔2N2×h×ln(D/d)〕計算出μi的值:其中L為樣品測試的電感量,μH;N為樣品測試線圈的匝數(shù),匝;h、D、d為分別表示樣品的高度、外徑及內(nèi)徑,mm。

      在測試頻率為10MHz、25MHz、50MHz、100MHz、200MHz,測試線徑為0.5mm,長度為120mm,繞線匝數(shù)1/2匝的條件下用阻抗測試儀(HP4987A)測試產(chǎn)品的阻抗值。

      2結(jié)果與分析

      表1為不同材料配方燒結(jié)溫度為1050℃時的產(chǎn)品測試結(jié)果。

      表1 不同材料配方燒結(jié)溫度為為1050℃時的測試結(jié)果

      由表1可以看出:

      1)磁導(dǎo)率隨CuO含量的降低有所降低;

      2)從配方B開始阻抗隨CuO含量的降低而降低,配方A阻抗在<100MHz前與配方C基本相同,當≥100MHz后不斷下降。

      表2為材料配方B在不同燒結(jié)溫度時產(chǎn)品測試結(jié)果。

      由表2可以看出:

      1)燒結(jié)溫度對MgCuZn鐵氧體材料的起始磁導(dǎo)率和阻抗特性有一定的影響;

      2)在1050℃前起始磁導(dǎo)率和阻抗特性隨燒結(jié)溫度的升高而上升,在1050℃達到最佳,之后隨著溫度的升高,起始磁導(dǎo)率和阻抗特性反而下降。

      表2 材料配方B在不同燒結(jié)溫度時測試結(jié)果

      3結(jié)論

      1)CuO含量對MgCuZn鐵氧體材料的阻抗特性有很大的影響,在相同工藝條件下材料因主配方中CuO含量的差異而表現(xiàn)出不同的性能;

      2)CuO含量在10~12mol%范圍內(nèi)MgCuZn鐵氧體材料的起始磁導(dǎo)率和阻抗特性較好;

      3)燒結(jié)溫度對MgCuZn鐵氧體材料的起始磁導(dǎo)率和阻抗特性也有一定的影響。試驗表明CuO含量在10~12mol%范圍內(nèi)MgCuZn鐵氧體材料燒結(jié)溫度控制在1030~1080℃范圍內(nèi)。

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