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      我國科學(xué)家率先研制出24T全超導(dǎo)磁體

      2016-03-12 18:00:04
      電子世界 2016年11期
      關(guān)鍵詞:超導(dǎo)磁體高場磁體

      我國科學(xué)家率先研制出24T全超導(dǎo)磁體

      日前,記者從中科院電工研究所獲悉,該所王秋良研究組采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù),將YBCO內(nèi)插磁體在15T超導(dǎo)背場下的中心磁場提高到了24@4.2K,使得我國成為繼美國、日本、韓國之后實(shí)現(xiàn)24T全超導(dǎo)磁體的國家。

      與Bi2223內(nèi)插超導(dǎo)磁體相比,YBCO超導(dǎo)磁體具有更高的上臨界磁場和臨界電流,運(yùn)行穩(wěn)定性更高,更易獲取極高磁場。目前僅有美國國家高場實(shí)驗(yàn)室、日本東北大學(xué)高場實(shí)驗(yàn)室以及韓國的一家超導(dǎo)公司能夠?qū)崿F(xiàn)24T以上全超導(dǎo)磁體。

      王秋良研究組采用YBCO帶材研制高場內(nèi)插磁體。研究人員采用分級設(shè)計(jì)的方式提高了整個(gè)線圈的安全裕度,并通過特殊設(shè)計(jì)的焊接裝置制作了性能優(yōu)良的磁體接頭,制作的內(nèi)插磁體在液氮測試條件下當(dāng)運(yùn)行電流為32A時(shí),中心磁體達(dá)到了1.62T@77K。

      而在液氦測試條件下,內(nèi)插磁體在運(yùn)行電流為167A時(shí),在15T的超導(dǎo)背場中產(chǎn)生了9T的中心磁場,從而實(shí)現(xiàn)了中心場為24T的全超導(dǎo)磁體,其最高場為24.3T。

      24T極高場全超導(dǎo)磁場的實(shí)現(xiàn),標(biāo)志著我國在研制高場內(nèi)插磁體方面走在了世界前列,也標(biāo)志著我國逐步吸收和掌握了極高場磁體的制作技術(shù)并積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),為實(shí)現(xiàn)GHz級別的譜儀磁體和極高場大科學(xué)裝置奠定了基礎(chǔ)。

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