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      淺談隨機(jī)因素對半導(dǎo)體橋點(diǎn)火性能的影響

      2016-08-15 10:53劉明芳許越陳紅日張小兵
      內(nèi)蒙古教育·職教版 2016年7期

      劉明芳 許越 陳紅日 張小兵

      摘 要:為了研究半導(dǎo)體橋的點(diǎn)火性能,本文分析了受生產(chǎn)工藝和人為因素的影響而隨機(jī)分布的火藥各點(diǎn)的物理性質(zhì)、火藥成分、表面粗糙度以及SCB橋體密度等特征量。建立半導(dǎo)體橋點(diǎn)火過程的隨機(jī)模型,采用蒙特卡洛方法研究分析了火藥直徑、等離子體溫度及火藥吸收層厚度等隨機(jī)因素在半導(dǎo)體橋點(diǎn)火過程中對點(diǎn)火性能的影響:等離子體溫度的增大,使點(diǎn)火延遲散布減?。换鹚庮w粒直徑,吸收層厚度的增大,使點(diǎn)火延遲散布增大。

      關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體橋;隨機(jī)分析;點(diǎn)火性能;蒙特卡洛方法

      【中圖分類號】G 【文獻(xiàn)標(biāo)識碼】B 【文章編號】1008-1216(2016)07C-0092-02

      汽車安全氣囊系統(tǒng)在保護(hù)駕駛員的生命安全中起著重要的作用,在其作用過程中點(diǎn)火具能否精確可靠點(diǎn)火是影響汽車安全氣囊系統(tǒng)性能的重要因素。性能優(yōu)良的新一代半導(dǎo)體橋(SCB)火工品相比傳統(tǒng)的熱橋絲火工品,具有發(fā)火能量低,可靠性、一致性、安全性高以及作用迅速等特點(diǎn),能夠滿足火工品小型化、智能化和數(shù)字化的發(fā)展要求。SCB點(diǎn)火方式將提高現(xiàn)有的安全氣囊系統(tǒng)的精確性和靈敏性,能夠在車禍時(shí)保證乘客的生命安全。

      然而,在實(shí)際工作中生產(chǎn)工藝和人為因素,致使火藥各點(diǎn)的物理性質(zhì)有所不同,以及火藥成分、表面粗糙度、SCB橋體形狀、質(zhì)量等特征量的隨機(jī)差異,即使采用SCB點(diǎn)火系統(tǒng)也不能保證點(diǎn)火的絕對一致性和快速性,點(diǎn)火延遲存在較大差異,所以SCB點(diǎn)火過程是一個(gè)復(fù)雜的隨機(jī)過程。因此,用概率論的觀點(diǎn)分析和研究各種隨機(jī)因素對SCB點(diǎn)火性能的影響,具有一定的現(xiàn)實(shí)意義。

      本文運(yùn)用蒙特卡洛方法模擬SCB點(diǎn)火的隨機(jī)過程,分析各因素對點(diǎn)火性能的影響,選擇模擬過程的隨機(jī)參量,通過模擬各隨機(jī)因素對點(diǎn)火性能的影響,可以預(yù)測由于受生產(chǎn)工藝和人為因素的影響引起SCB點(diǎn)火延遲的偏差。

      一、理論模型

      (一)SCB點(diǎn)火強(qiáng)瞬態(tài)模型

      SCB點(diǎn)火研究涉及SCB點(diǎn)火結(jié)構(gòu)、初始激勵電路、等離子體與藥劑之間相互作用。其中,等離子體與藥劑之間的瞬態(tài)熱傳導(dǎo)過程,是SCB點(diǎn)火技術(shù)研究的關(guān)鍵。由于一般的點(diǎn)火藥為黑火藥,所以這里采用一維球坐標(biāo)系進(jìn)行求解分析。

      以SCB點(diǎn)火的強(qiáng)瞬態(tài)加熱過程為基礎(chǔ),建立了SCB點(diǎn)火的瞬態(tài)熱傳導(dǎo)數(shù)學(xué)物理模型,并進(jìn)行數(shù)值仿真。忽略熱變形,根據(jù)能量守恒定律:導(dǎo)入微元體的總熱流量 + 微元體內(nèi)熱源的生成熱 = 導(dǎo)出微元體的總熱流量+微元體熱力學(xué)能的增量。并且與熱量傳播速度為無限大的經(jīng)典熱傳導(dǎo)理論相比,SCB點(diǎn)火過程為熱量傳播為有限值的強(qiáng)瞬態(tài)熱傳導(dǎo)過程。基于傅立葉通用熱傳導(dǎo)理論,可得到一維球坐標(biāo)系下的強(qiáng)瞬態(tài)熱傳導(dǎo)點(diǎn)火模型:

      其中,a=λ/(ρcp)為導(dǎo)溫系數(shù),Q為化學(xué)反應(yīng)熱,K0為頻率因子,E0為活化能,R為氣體普適常數(shù)。

      (二)SCB點(diǎn)火過程隨機(jī)模型

      蒙特卡羅模擬在利用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生均勻分布的隨機(jī)數(shù)后,對于不同概率分布的隨機(jī)變量,采用不同的隨機(jī)模擬手段,針對總體服從正態(tài)分布的樣本觀測值進(jìn)行模擬的具體實(shí)施步驟如下:

      利用數(shù)學(xué)方法由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生兩個(gè)(0,1)區(qū)間上均勻分布且相互獨(dú)立的隨機(jī)變量ξ1和 ξ2;

      利用鮑克斯和米勒提出的變換法,產(chǎn)生服從N(0,1)的標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布且相互獨(dú)立的隨機(jī)變量x1和x2,可解出:

      由于(ξ1,ξ2)是相互獨(dú)立的[0,1]上的均勻分布,則隨機(jī)變量(x1,x2)函數(shù)分布的概率密度為:

      (3)

      顯然x1,x2是相互獨(dú)立的N(0,1)分布的隨機(jī)變量。對于正態(tài)多維隨機(jī)變量(y1,y2,y3,…,yn),它的均值為(u1,u2,u3,…,un),協(xié)方差矩陣為K,Kij=E[(yi,ui)(yi,ui)]。因?yàn)棣彩钦▽ΨQ矩陣,由矩陣?yán)碚摽芍?,它可用下三角矩陣C及其轉(zhuǎn)置矩陣的乘積來表示,即

      若從(1)式求得n個(gè)相獨(dú)立的N(0,1)的隨機(jī)變量 x1,x2,x3…xn,則n維正態(tài)分布隨機(jī)變量(y1,y2,y3,…,yn)的偽隨機(jī)數(shù)就由下式來產(chǎn)生:

      式中Cij(i,j=1,2…n)可由公式求得。

      把式(5)產(chǎn)生的一組隨機(jī)值代入SCB點(diǎn)火的一維強(qiáng)瞬態(tài)熱傳導(dǎo)模型,就可得到所求參數(shù)的一個(gè)樣本值。將以上過程重復(fù)進(jìn)行,就可得到所求參數(shù)的一組樣本值。一般來說,模擬次數(shù)越多,最終模擬結(jié)果與實(shí)際情況的誤差就越小,模擬精度也就越高。

      二、SCB點(diǎn)火隨機(jī)模擬

      在SCB點(diǎn)火過程中,影響SCB點(diǎn)火過程的隨機(jī)因素很多,如SCB特征量、等離子體溫度、火藥特征量、火藥吸收層厚度等。由于加工工藝與儀器的限制,導(dǎo)致在SCB點(diǎn)火過程中,很多影響點(diǎn)火的因素呈現(xiàn)隨機(jī)變化。

      為了了解不同隨機(jī)因素對點(diǎn)火性能的影響,下面進(jìn)行SCB點(diǎn)火的隨機(jī)模擬。

      (一)火藥特征量的影響

      火藥的特征量包括火藥的形狀、尺寸、密度、比熱容、導(dǎo)熱系數(shù)、火藥力、吸收率、松弛時(shí)間等。火藥的形狀不同,其燃燒規(guī)律不同,火藥燃燒規(guī)律對點(diǎn)火過程起著重要作用?;鹚幍男螤畈粌H由火藥直徑、密度決定,還要考慮制造工藝的難易程度。其中,火藥的直徑是決定火藥尺寸的關(guān)鍵參數(shù)。

      根據(jù)靶場的實(shí)測數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),得到火藥顆粒直徑的隨機(jī)分布直方圖對其數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)模擬,得到點(diǎn)火延遲符合正態(tài)分布。

      當(dāng)?shù)入x子體溫度為6000K,吸收厚度為d/4,火藥直徑方差為0.011mm時(shí),模擬火藥顆粒直徑對SCB點(diǎn)火性能的影響,模擬結(jié)果如表1。從表1中可以看出,點(diǎn)火延遲的期望值主要取決于火藥直徑的期望值,隨著火藥顆粒直徑的增加,點(diǎn)火延遲增加,點(diǎn)火延遲方差不斷增大,即散布增大。

      (二)等離子體溫度的影響

      在SCB點(diǎn)火過程中,火藥表面溫度的變化受表面吸收的熱量影響。由于SCB各特征量的變化引起了等離子體溫度的改變,火藥單位面積所受的輻射能量不同,火藥表面的升溫狀況就會發(fā)生變化,導(dǎo)致點(diǎn)火延遲時(shí)間不同。因此,等離子體溫度對火藥顆粒表面溫度的成長和點(diǎn)火延遲時(shí)間的影響很重要。等離子體溫度越高,其單位面積上輻射能量越高,因而,火藥表面溫度達(dá)到著火點(diǎn)需要的時(shí)間越短,其內(nèi)部溫度增長也就越慢。

      以文獻(xiàn)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為基準(zhǔn),得到等離子體溫度的隨機(jī)分布對其數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)模擬,得到點(diǎn)火延遲隨機(jī)分布符合正態(tài)分布。

      表2為等離子體溫度對SCB點(diǎn)火性能的影響,可以看出,當(dāng)?shù)入x子體溫度分別為6000K、7000K、8000K和10000K時(shí),點(diǎn)火延遲隨著溫度的升高不斷減小,點(diǎn)火延遲方差也不斷減小,說明在SCB點(diǎn)火過程中,隨著等離子體溫度升高,點(diǎn)火延遲方差不斷減小,即點(diǎn)火延遲散布減小。

      (三)火藥吸收層厚度的影響

      由于火藥顆粒在幾十微秒內(nèi)就可以達(dá)到著火點(diǎn),在如此短的時(shí)間內(nèi)其接受的等離子體輻射能量還來不及進(jìn)行傳導(dǎo),但是又不可能被火藥表面全部吸收,假設(shè)火藥接受的輻射能量沿火藥軸向上(或直徑)衰減,并在一定距離衰減為零,出現(xiàn)吸收層厚度這一概念。吸收層厚度越小,端面部分分配的能量越多,表面的能量積聚也就越大,所以其點(diǎn)火延遲時(shí)間越短;當(dāng)吸收層厚度越大時(shí),在端面部分分配的能量越少,表面的能量積聚也就越小,所以其點(diǎn)火延遲時(shí)間也就越長。

      吸收層厚度隨機(jī)分布變化呈正態(tài)分布。對其數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)模擬,得到點(diǎn)火延遲隨機(jī)分布也符合正態(tài)分布。

      表3為火藥直徑為1.0mm,等離子體溫度為6000K,模擬吸收層厚度對SCB點(diǎn)火性能的影響??梢钥闯觯?dāng)吸收層厚度分別為0.2mm、0.3mm、0.4mm 和0.5mm時(shí),隨著吸收層厚度不斷增加,點(diǎn)火延遲時(shí)間變長,同時(shí)點(diǎn)火延遲方差也變大,即散布變大。

      三、結(jié)束語

      在SCB點(diǎn)火過程中,用蒙特卡洛方法模擬各隨機(jī)因素對點(diǎn)火性能的影響,可以預(yù)測由于受生產(chǎn)工藝和人為因素的影響引起SCB點(diǎn)火延遲的偏差,即用模擬結(jié)果代替了實(shí)際結(jié)果,從而減少實(shí)際的試驗(yàn)次數(shù),經(jīng)濟(jì)效益非??捎^。采用蒙特卡洛方法分析隨機(jī)因素對SCB點(diǎn)火性能的影響,得出如下結(jié)論:當(dāng)隨機(jī)變量呈正態(tài)分布時(shí),其點(diǎn)火延遲也呈正態(tài)分布;隨著火藥顆粒直徑的增加,點(diǎn)火延遲增加,點(diǎn)火延遲方差不斷增大,即散布增大;隨著等離子體溫度升高,點(diǎn)火延遲方差不斷減小,即點(diǎn)火延遲散布減?。浑S著吸收層厚度不斷增加,點(diǎn)火延遲時(shí)間變長,點(diǎn)火延遲方差也變大,即散布變大。

      基金項(xiàng)目:常州工學(xué)院自然科學(xué)基金(E3-A-1301-13-005),江蘇省教育廳高校自然科學(xué)研究項(xiàng)目(14KJD470001),大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃項(xiàng)目(J150027)。

      參考文獻(xiàn):

      [1]馮德成,翁春生,王震等.點(diǎn)火管破孔的隨機(jī)過程的一維兩相流計(jì)算[J].爆炸與沖擊,2004,(6).

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