成都理工大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 蔣茜若 郭亞莎
高空電磁脈沖防護(hù)電源濾波器
成都理工大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院蔣茜若郭亞莎
高空電磁脈沖(HEMP)是指在地球大氣層中高度超過地表40Km(或以上)由核爆或非核爆(電磁炸彈)產(chǎn)生的一種瞬變電磁現(xiàn)象。上升沿陡峭(≤5ns)半脈寬小于等于25ns,電場強(qiáng)度能達(dá)到50KV/m,覆蓋頻譜范圍寬從KHz—GHz,幾乎覆蓋了所有電氣使用頻率。針對這一系列電磁環(huán)境設(shè)計出一款高性能電源濾波器可以有效防護(hù)電磁脈沖的攻擊達(dá)到保護(hù)電子設(shè)備系統(tǒng)的作用。
HEMP;電源防護(hù);濾波器
HEMP對電子系統(tǒng)的干擾主要包括信號線、公共接地阻抗、電源線干擾,百萬噸級核爆釋放的脈沖能量能達(dá)到1011J,可見對電磁脈沖進(jìn)行有效的防護(hù)是維持政府,C4I控制指揮中心,國家金融,通信等重要機(jī)構(gòu)正常運(yùn)行所必需的手段。電磁脈沖耦合的能量80%以上是通過電源線以傳導(dǎo)耦合的方式對電力系統(tǒng)、電子設(shè)備進(jìn)行破壞,因此只要在電源輸入端口安裝可以對電磁脈沖有效防護(hù)的濾波器就可以對后續(xù)設(shè)備起到很好的保護(hù)作用。
電磁脈沖防護(hù)電源濾波器工作選用的脈沖環(huán)境為IEC標(biāo)準(zhǔn)的高空核電磁脈沖波形(該波形對應(yīng)的電磁脈沖對電子系統(tǒng)破壞情況最嚴(yán)重)。HEMP分為3個階段,早期(E1)主要是高頻(1MHz-1GHz)能量脈沖,像射頻接收器、信號傳送器、傳感器等這些小范圍控制系統(tǒng)容易在這個階段被破壞;中期(E2)主要是中頻脈沖,與雷電電磁脈沖類似;晚期(E3)主要是低頻脈沖(3Hz-30Hz),電源系統(tǒng)及一些低頻設(shè)備容易在E2和E3階段被干擾不能正常工作或者造成永久傷害。圖1為電磁脈沖全過程波形。
圖1 電磁脈沖全過程波形
從波形來看HEMP具有的特點(diǎn):峰值場強(qiáng)高,核電磁脈沖具有很高的峰值場強(qiáng),電場強(qiáng)度可高達(dá)50KV/m,并且上升沿很短,≤5ns;頻譜范圍寬,HEMP頻譜覆蓋了從超長波—--微波低端的整個頻段,無線電通信、導(dǎo)航和廣播等系統(tǒng)都會被影響;作用時間長,從波形分析,E1到E3持續(xù)時間接近1000秒,1000秒的沖擊波、熱效應(yīng)、核輻射完全足夠?qū)﹄娮釉O(shè)備系統(tǒng)以及生物造成不可修復(fù)的傷害;作用范圍廣,現(xiàn)已有的文獻(xiàn)表明爆炸高度40Km時,覆蓋的范圍1.6×106 Km2,當(dāng)高度為400Km時,覆蓋的范圍15×106 Km2。
由此可見,暴露在HEMP環(huán)境中的長導(dǎo)體架空電力線、通信線等都能收集到巨大的電磁能量,從而破壞與其連接的電氣設(shè)備。
高空電磁脈沖濾波器主要為了消除前面提到的高空電磁環(huán)境對電源系統(tǒng)產(chǎn)生的不利影響。根據(jù)上文模擬的電源線纜在高空電磁環(huán)境中耦合的電壓電流最壞情況,表1進(jìn)行高空電磁脈沖防護(hù)濾波器的參數(shù)設(shè)計。
表1 HEMP電源濾波器參數(shù)指標(biāo)
功能性能要求及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范:能將電磁脈沖浪涌電壓鉗位在安全的值;能夠?qū)Ⅰ詈系诫娮釉O(shè)備的大電流快速泄放至大地;保護(hù)電路且具有較快的開啟速度≤10ns;電源線脈沖注入電流依據(jù)MIL-STD-188-125 1&2設(shè)計;插入損耗依據(jù)MIL-STD-220;安規(guī)性能測量依據(jù)UL1283標(biāo)準(zhǔn)。
將規(guī)定的電流波形模擬注入濾波器的電源輸入線是最簡單的HEMP測試方法,這種直接注入法省去了龐大且昂貴的自由空間模擬設(shè)施,還可以靈活的分級注入更方便檢查電子電路設(shè)計是否合適,元器件選擇是否恰當(dāng)。圖2 HEMP濾波器電源線脈沖注入測試:
圖2 MIL-STD-188-125-1短脈沖注入測試圖 圖3 GJB 151B-2013 RS105測試示意圖
對HEMP濾波器電源線進(jìn)行電流注入試驗,注入波形峰值電流5KA上升沿時間20ns半脈寬500ns,要求通過2歐姆的負(fù)載電阻殘余電流不大于10A。
電纜、天線傳導(dǎo)輻射耦合的能量還跟接收部分的位置、形狀有關(guān)。如果環(huán)境過于復(fù)雜,濾波器金屬外殼只有在實際HEMP輻照情況下才能進(jìn)行精確電流分布密度試驗。圖3HEMP濾波器殼體EMP輻照測試。根據(jù)GJB 151B-2013 RS105瞬態(tài)電磁場輻射敏感度測試,輻照電場強(qiáng)度50KV/m脈沖上升時間1.8-2.8ns半峰值脈沖寬度23ns±5ns,要求HEMP濾波器不出現(xiàn)任何故障、性能降低或偏離規(guī)定的指標(biāo)值。
電氣設(shè)備都需要電源供電,電磁脈沖產(chǎn)生的瞬態(tài)干擾能通過電源輸入線直接注入或通過快速變化的電磁場感應(yīng)耦合進(jìn)入電路中。這種干擾電壓、電流含有非常大的能量,當(dāng)電路中單位面積上的電流超過一定的極限值時,元器件就會受損或完全毀壞,一般半導(dǎo)體器件承受沖擊電壓的能力為30V-100V,承受沖擊電流的能力為100mA-1A,因此必須對浪涌的沖擊采取措施阻止。對于HEMP濾波器來說,濾波器不僅能限值干擾電磁能量進(jìn)入系統(tǒng),還能夠有效的抑制浪涌,這樣才能保護(hù)后面的設(shè)備能夠正常工作不被損壞。
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蔣茜若(1992—),女,成都理工大學(xué)電路與系統(tǒng)專業(yè)碩士研究生。
郭亞莎(1960—),男,成都理工大學(xué)副教授,研究方向,信息與信息處理。