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      二氧化鈦摻雜改性綜述

      2016-12-23 19:46:23張靜袁夢(mèng)鑫
      科教導(dǎo)刊·電子版 2016年29期
      關(guān)鍵詞:光催化劑

      張靜+袁夢(mèng)鑫

      摘 要 20世紀(jì)90年代以來(lái),在眾多的光催化劑當(dāng)中,TiO2以其優(yōu)良的催化性能、穩(wěn)定的化學(xué)性能、環(huán)保無(wú)毒、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛關(guān)注和使用。TiO2光催化在環(huán)境保護(hù)領(lǐng)域內(nèi)的水和氣相有機(jī)、無(wú)機(jī)污染物的光催化去除方面取得了較大的進(jìn)展,被認(rèn)為是一種極具前景的環(huán)境污染深度凈化技術(shù)。目前阻礙納米二氧化鈦應(yīng)用推廣的主要障礙是反應(yīng)的光催化效率不高,將納米二氧化鈦進(jìn)行離子摻雜可以有效提高其光催化效率。摻雜主要分為金屬離子和非金屬離子兩個(gè)方面的研究。

      關(guān)鍵詞 TiO2 光催化劑 摻雜改性

      中圖分類號(hào):O472 ; O643 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A

      1金屬離子摻雜改性

      大量的研究報(bào)告顯示金屬離子的摻入可改善TiO2薄膜的光催化性能。在TiO2晶格中摻入金屬離子可達(dá)到通過(guò)引入缺陷位置或改變結(jié)晶度來(lái)抑制電子與空穴的復(fù)合、延長(zhǎng)載流子的壽命,從而改善光催化性能。

      金屬離子摻雜對(duì)電荷對(duì)遷移過(guò)程的影響主要存在三個(gè)方面:

      (1)當(dāng)半導(dǎo)體的表面電荷層厚度達(dá)到與入射光的入射深度相同時(shí),催化劑的光致電子和空穴的分離最有效,催化劑對(duì)光的利用效率也最高,此時(shí)的金屬離子的摻雜量為最佳摻雜量。

      (2)摻雜離子在TiO2晶格中必須既可以捕獲光生電荷,又可以將傳遞光生電荷,摻雜后才能夠具有良好的光催化性。

      (3)金屬離子的最佳摻雜量是通過(guò)測(cè)量光生電荷的壽命來(lái)度量和表征的。

      付宏剛等采用溶膠-凝膠法制備Fe3+/TiO2/SiO2薄膜,通過(guò)對(duì)羅丹明B在模擬日光下的光催化降解實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),摻雜0.03%Fe3+得到催化劑對(duì)羅丹明B的降解率最高,且Fe3+/TiO2/SiO2薄膜催化劑比TiO2粉體催化劑具有更高的光催化活性。曹亞安等研究了Sn4+摻雜對(duì)TiO2薄膜光催化性能的影響,Sn4+/TiO2薄膜光催化活性相對(duì)未摻雜TiO2薄膜有所提高,原因如下:TiO2薄膜吸附CO2含量高于Sn4+/TiO2薄膜吸附CO2含量,表面吸附的CO2可以和表面的羥基、橋氧形成雙齒結(jié)構(gòu)的表面物種,使有利于光催化的表面活性物種的含量降低,從而使光催化活性有所降低;Sn4+/TiO2薄膜比TiO2薄膜具有更大的比表面積,光催化活性相應(yīng)增強(qiáng);Sn4+的引入,引起了Sn4+/TiO2薄膜相對(duì)TiO2薄膜晶格參數(shù)和晶包體積的增加,形成晶格缺陷、表面缺陷。尹霞等利用溶膠-凝膠法和微波等離子體沉膜技術(shù),制備了同時(shí)摻入Fe3+和H的TiO2薄膜,發(fā)現(xiàn)Fe3+-H/TiO2薄膜比Fe3+/TiO2薄膜光催化活性高,可能是由于適量的Fe3+取代Ti4+后,在晶格內(nèi)部引入了缺陷,成為電子、空穴的陷阱,減少了電子-空穴的復(fù)合,延長(zhǎng) ·OH自由基的壽命;摻雜的H原子半徑很小,可以位于TiO2晶格之間,受到近紫外或可見光的照射,氫原子的1s軌道上的電子可以躍遷到2s或2p軌道上,形成空穴,空穴遷移到薄膜的表面,從而更有效地利用了可見光,提高可見光的利用率,提高光催化效果。Pt4+摻雜制備的TiO2薄膜兼具光催化和化學(xué)催化雙重活性,到目前為止,能夠兼具光催化和化學(xué)催化雙重活性的,僅發(fā)現(xiàn)于采用提拉-光沉積兩步法制得的鉑化TiO2薄膜。對(duì)于摻雜離子Au3+的引入,由于Au3+能被還原成單質(zhì)態(tài),所以Au3+摻雜能使吸收光譜發(fā)生紅移,能提高對(duì)紫外-可見光吸收能力,而且隨著摻雜濃度的增大,吸光度也會(huì)增加越多。

      2非金屬離子摻雜改性

      非金屬元素?fù)诫s二氧化鈦得到廣泛關(guān)注,并成為一個(gè)研究的熱點(diǎn),始于Asahi等人發(fā)現(xiàn)N摻雜二氧化鈦在可見光下光催化效果有所提高。

      非金屬元素(如:C、P、F、N、S等)的摻雜可使雜質(zhì)原子代替TiO2中的氧原子,使TiO2的價(jià)帶變寬,帶隙變窄,因而表面更容易產(chǎn)生高活性電子和空穴,能使表面更容易趨向于超親水性,同時(shí)控制TiO2非金屬摻雜物的濃度和性質(zhì),可以改變其結(jié)晶度、相位和表面結(jié)構(gòu),使它具有更好的光催化效果和超親水性能。N摻雜TiO2薄膜的透射度比起稀土元素?fù)诫s的TiO2要低10%,禁度寬帶也變低,使吸收光譜出現(xiàn)紅移(480~490nm),而且TiO2-xNx薄膜有著很長(zhǎng)的光衰退時(shí)間(72h)。導(dǎo)帶附近離散的電子水平在帶隙產(chǎn)生使得超親水性和活化時(shí)間的延長(zhǎng),并進(jìn)一步增加薄膜表面粗糙度,使其具有較高的超親水性能。Lin等人認(rèn)為N摻雜的二氧化鈦,N原子的2p軌道形成了高于O2p軌道的定域態(tài),減小了二氧化鈦的禁帶寬度,同時(shí)表面O原子缺陷引起的Ti3+離子也會(huì)導(dǎo)致禁帶寬度減小,增加二氧化鈦對(duì)可見光的吸收。C摻雜TiO2比N、S摻雜TiO2具有更高的光催化活性和超親水性能。C具有較高的吸附能力,跟TiO2產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng),薄膜表面可以形成納米管,能提高其表面吸附能力。C的摻入使表面會(huì)生成石墨靶可以擴(kuò)展TiO2薄膜的吸收波長(zhǎng)到可見光區(qū)范圍(450nm),同時(shí)表面生成的碳納米管、Ti-C鍵和碳酸鹽,改變了薄膜的表面結(jié)構(gòu),使其更容易變成超親水性表面。

      參考文獻(xiàn)

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      [2] 曹亞安,沈東方,張昕彤,等.Sn4+摻雜對(duì)TiO2納米顆粒膜光催化降解苯酚活性的影響[J].高等學(xué)?;瘜W(xué)學(xué)報(bào),2001,22(11):1910-1912.

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