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      C/C-SiC復合材料制備技術及應用現(xiàn)狀

      2017-04-10 13:57:17郭春園閆聯(lián)生孟祥利
      航天制造技術 2017年1期
      關鍵詞:基體高溫復合材料

      郭春園 閆聯(lián)生 孟祥利 梁 燕

      (西安航天復合材料研究所,西安 710025)

      綜述·專稿

      C/C-SiC復合材料制備技術及應用現(xiàn)狀

      郭春園 閆聯(lián)生 孟祥利 梁 燕

      (西安航天復合材料研究所,西安 710025)

      綜述了C/C-SiC復合材料的幾種典型制備方法,分析了各種制備方法的優(yōu)缺點。介紹了C/C-SiC復合材料作為高溫熱結構材料、摩擦材料和光學光機結構材料的應用情況,并展望了未來的研究方向。

      C/C-SiC復合材料;制備方法;應用

      1 引言

      C/C-SiC復合材料是一種雙元基體復合材料,其中增強體是碳纖維編制體,基體是C和SiC構成的雙元基體,具有一系列優(yōu)異的綜合性能,如低密度、高比強、高比模、高熱導率、耐腐蝕、耐磨損、良好的抗氧化性能以及優(yōu)異的高溫力學性能和熱物理性能,不僅克服了C/C復合材料抗氧化性能差(在370℃開始氧化,500℃以上迅速氧化)的缺點,也克服了SiC基體脆性大和碳纖維與SiC基體熱失陪產(chǎn)生殘余熱應力的缺點,是一種能滿足高溫使用的新型高溫結構材料和功能材料。目前C/C-SiC復合材料已成功應用于航天飛行器的鼻錐和機翼前緣等熱防護系統(tǒng)、火箭發(fā)動機燃燒室等熱結構件、高性能汽車的剎車片以及太空反射鏡等方面[1]。本文綜述了C/C-SiC復合材料的幾種典型制備方法及應用現(xiàn)狀進行。

      2 C/C-SiC復合材料的制備方法

      C/C-SiC復合材料的制備方法主要有化學氣相滲透法(Chemical Vapor Infiltration,CVI)、先驅(qū)體浸漬-裂解法(Precursor Infiltration and Pyrolysis,PIP)、反應熔體浸滲法(Reactive Melting Infiltration,RMI)。三種方法各有特點,且不同方法制備的C/C-SiC復合材料的性能表現(xiàn)也各不相同,如表1所示[2]。

      表1 不同制備工藝得到的C/C-SiC復合材料的性能[2]

      2.1 化學氣相滲透法(CVI)

      CVI法制備C/C-SiC復合材料的主要過程是向增強體(碳纖維編制體)中交替沉積或共沉積C-SiC基體,其中C基體是通過甲烷(CH4)或丙烯(C3H6)等碳源得到,SiC基體是通過三氯甲基硅烷(MTS)或四氯硅烷(SiCl4)等SiC的氣源得到。C/C-SiC復合材料的抗氧化能力明顯高于同條件下的C/C復合材料,且與SiC基體含量有關,材料的起始氧化溫度隨著SiC基體含量的增加而升高[3]。同 C/SiC復合材料相比,C-SiC交替沉積得到的C/C-SiC復合材料的力學性能(包括拉伸強度、斷裂應變、斷裂韌性、斷裂功)得到了很大提高,且C/C-SiC復合材料的強韌性與基體的多層結構和PyC基體層的分布有關,纖維束外部較厚的PyC基體層使材料的抗彎強度大大下降,纖維束內(nèi)部較厚的PyC基體層更有利于提高C/C-SiC復合材料的強韌性[4,5]。

      但 CVI技術沉積速率很低,尤其是在CVI工藝的沉積后期,致密C/C復合材料的速率更慢,存在制備周期長,且很容易在制品表面形成結殼,造成制品內(nèi)部孔隙過大,沉積的SiC基體很少等不足。

      2.2 先驅(qū)體浸漬-裂解法(PIP)

      PIP法通常采用聚碳硅烷(PCS)有機先驅(qū)體作為浸漬劑滲入到未完全致密化的C/C坯體中,并在一定溫度條件下產(chǎn)生交聯(lián)固化反應,然后在高溫和一定氣氛條件下通過裂解反應得到SiC陶瓷基體,最后重復進行浸漬-交聯(lián)固化-高溫裂解過程得到高致密C/C-SiC復合材料。

      PIP技術具有工藝過程簡單、制備溫度低和集體組成可設計性等優(yōu)點,但也存在一定的缺點,即陶瓷產(chǎn)率低、裂解收縮率大(制品易變形)、制備周期長等。PIP技術制備C/C-SiC復合材料的影響因素主要在先驅(qū)體、浸漬工藝、裂解工藝等方面。通過對先驅(qū)體PCS進行改性和添加活性填料來提高PCS的陶瓷產(chǎn)率,Interrante等人[6]制備的改性PCS(烯丙基氫化聚碳硅烷AHPCS)陶瓷產(chǎn)率達到了80%~85%。研究發(fā)現(xiàn),在PCS先驅(qū)體中加入適量的B、Cr、W、Ti、Zr、Mo、TiH2等活性填料可提高PCS的陶瓷產(chǎn)率[7~9]。由Darcy定律可知浸漬阻力P正比于浸漬液粘度η和毛細管半徑平方r2之比(即)。浸漬液粘度隨著浸漬液濃度的升高先緩慢增加后快速增加,而且半徑r與預制體C/C復合材料密度存在一定的關系,西北工業(yè)大學杜紅娜等人[10]研究了浸漬液濃度和預制體C/C復合材料密度對PIP技術制備的C/C-SiC復合材料的密度和力學性能的影響,發(fā)現(xiàn)在浸漬液濃度為50%時,制品密度達到最佳值。由于浸漬劑通過加壓充分進入材料內(nèi)部孔隙中,促進裂解過程中的化學反應,所以采用壓力浸漬工藝比常壓浸漬工藝的致密化效率高[11]。就裂解工藝方面的研究,張智、楊星等人[12,13]研究了升溫速率和不同高溫處理溫度對PIP-SiC技術制備的C/C-SiC復合材料性能的影響,在升溫速率較低時,材料彎曲強度較高,開孔率較低;在1600℃高溫處理得到的材料斷面形貌有纖維撥出,斷裂韌性較好。

      2.3 反應熔體浸滲法(RMI)

      RMI法制備C/C-SiC復合材料主要過程是在一定真空條件下,升溫到硅熔點(1410℃)以上,使熔融液態(tài)硅滲入到C/C預制體內(nèi)部孔隙中,并發(fā)生化學反應(Si+C→SiC)得到SiC基體,該反應吉布斯自用能為-55.7kJ/mol,在熱力學上是可行的。高溫條件有利于熔融硅浸潤C/C預制體,且潤濕角基本在0~20°之間,這是由于Si的表面張力隨著溫度的升高而呈直線下降。

      熔融滲硅方法主要有兩種[14],即埋粉法和涂覆法。埋粉法就是將C/C預制體埋入硅粉中,在一定條件下升溫到1410℃以上進行熔融浸滲。該方法操作簡單,周期短,成本低,但易產(chǎn)生副反應,殘留Si與碳纖維發(fā)生反應,從而損傷碳纖維強度,降低了材料的斷裂韌性,最終影響材料的綜合性能及應用,因此一般不采用純Si進行熔融浸滲,而采用Si合金消除殘余Si提高C/C-SiC復合材料制品的力學性能和抗氧化能力。涂覆法是采用某種溶劑將硅粉配制成漿料,然后將漿料涂刷在C/C復合材料預制體上,干燥后放入滲硅爐中,最后升溫到Si熔點(1410℃)以上進行反應熔滲。同埋粉法相比,涂覆法操作較為復雜,但避免了殘余硅對碳纖維的損傷。

      影響熔滲過程的主要因素有C/C預制體孔隙的大小、形狀及開閉孔類型,熔融液態(tài)硅的粘度,表面張力,熔滲壓力和溫度等。不論是彎曲孔隙還是直線孔隙,通孔總是比閉孔更有利于熔融硅的浸滲;由于孔隙內(nèi)存在一定的氣體,阻礙了熔融硅的浸滲,因此采用壓力熔滲,在孔隙內(nèi)外形成一定的壓力差,有利于熔融硅的浸滲;熔融硅的粘度和表面張力與溫度有關,但并不是溫度越高越好,多采用1550℃作為熔滲溫度;目前多采用真空熔滲而不是加壓熔滲,這是因為真空熔滲對設備要求低。

      西北工業(yè)大學黃沛宇等人[15]研究了不同浸滲時間對RMI工藝制備的C/C-SiC復合材料的微觀結構和力學性能的影響。中南大學王林山、熊翔等人[16,17]研究了滲硅溫度、高溫熱處理和不同基體碳對RMI制備C/C-SiC復合材料制備與力學性能的影響。

      2.4 化學氣相反應法(CVR)

      化學氣相反應法是在液相滲硅技術上發(fā)展起來的一種快速制備技術。該技術主要過程是先制備出低密度的C/C預制體,然后在高溫條件下發(fā)生氣相反應(SiO2+Si→SiO;SiO+2C→SiC+CO)得到C/C-SiC復合材料。西安航天復合材料研究所李瑞珍等人[18,19]采用CVR法制備了C/C-SiC復合材料,研究了不同反應溫度、不同增強體結構和不同C/C坯體密度對C/C-SiC復合材料的微觀形貌和抗氧化性能的影響,結果表明,CVR溫度較高和C/C坯體初始密度在1.30~1.40g/cm3范圍內(nèi)時,C/C-SiC復合材料密度增加量最大,且與相同結構C/C坯體相比表現(xiàn)出優(yōu)異的抗氧化性能。

      2.5 其它

      近年來,為了縮短C/C-SiC復合材料的制備周期、降低成本并且進一步提高材料的性能,很多研究者結合各種制備工藝的優(yōu)點,采用兩種或兩種以上的混合工藝制備 C/C-S i C復合材料,目前多采用“CVI+PIP”、“CVI+RMI”和“PIP+RMI”等混合工藝。西安航天復合材料所在多年SiC陶瓷復合材料PIP技術和CVI技術研究的基礎上,針對二者致密化特點,開發(fā)出了一種“CVI+PIP”混合工藝[20],該工藝充分利用了CVI氣相反應制備基體碳和PIP液相反應制備基體SiC前期致密化速率快的特點,大幅度縮短了工藝周期,改善了單一工藝制備材料的不足,是一種高效快速制備連續(xù)碳纖維增強C-SiC雙元基體復合材料的方法,目前該工藝已成功應用于液體沖壓發(fā)動機燃燒室和噴管等熱結構部件的制造。航天材料及工藝研究所趙彥偉等人[21]先分別采用CVI和PIP工藝產(chǎn)生基體碳得到多孔C/C預制體,然后采用無壓RMI工藝在1550℃下將熔融硅或硅合金(Si0.9Zr0.1)浸滲入多孔C/C預制體孔隙中得到高致密的C/C-SiC復合材料,系統(tǒng)研究了多孔C/C預制體中PIP-C和CVI-C對反應熔滲硅或硅合金(Si0.9Zr0.1)的熔滲行為、反應程度、物相成分和微觀組織的影響。

      3 C/C-SiC復合材料的應用

      C/C-SiC復合材料結合了碳纖維和SiC陶瓷基體兩者所具有各自優(yōu)勢,即碳纖維優(yōu)異的力學性能和SiC陶瓷基體良好的熱穩(wěn)定性能,是一種能夠滿足高溫使用的新型高性能結構-功能一體化材料。由于C/C-SiC復合材料具有優(yōu)異的高溫力學性能和抗氧化性能,在航空航天熱結構材料和熱防護材料領域發(fā)展迅速;另外其良好的摩擦磨損性能和低熱膨脹系數(shù)等性能使其在摩擦材料和光學光機結構材料領域得到成功應用。

      3.1 高溫熱結構及熱防護材料

      C/C-SiC復合材料引入SiC基體取代C/C復合材料中的一部分碳基體,兩種基體相輔相成,既能保持材料力學性能基本不變,又能很大程度上改善材料的抗氧化性能,使其能夠在高過載、高熱流、強沖刷和燒蝕等極其嚴酷的服役環(huán)境中正常工作。目前該材料已成功應用于火箭發(fā)動機燃燒室和噴管等熱結構件,航天飛機的鼻錐、機翼前緣和蓋板等熱防護系統(tǒng)(TPS)中。歐洲航天局(ESA)對C/C-SiC復合材料的熱結構及熱防護材料進行了廣泛的研究,并取得了一定的進展。法國Snecma公司制造的C/C-SiC復合材料SEPCARBINOX已成功應用于Ariane 4型火箭第三級HM7低溫發(fā)動機的出口錐[22],同以往的金屬出口錐相比,重量減少了70%,比沖提高了2s。德國航空航天中心(DLR)制造出了鼻錐、機翼前緣、熱防護蓋板及襟翼等CMC部件,并已在美國國家航空航天局(NASA)制造的X-38飛行器得到了試驗驗證[23,24],X-38飛行器的鼻錐帽(圖1)在再入大氣層時,要經(jīng)受高溫熱應力等苛刻環(huán)境條件,其表面溫度高達1750℃,實驗證明,C/C-SiC復合材料在如此苛刻環(huán)境下能夠滿足其工作要求。在國內(nèi),西安航天復合材料研究所研制的C/C-SiC復合材料已經(jīng)在某國家重點型號液壓沖壓發(fā)動機燃燒室及噴管上得到了成功應用(圖2)。

      3.2 制動材料

      與傳統(tǒng)的金屬和半金屬制動材料相比,C/C-SiC復合材料具有密度低、摩擦系數(shù)高、熱穩(wěn)定性好、環(huán)境適應性強、工作壽命長和成本適中等優(yōu)點[25~27]。通過引入SiC陶瓷基體,C/C-SiC復合材料比C/C復合材料具有較高的摩擦因數(shù)。近年來國內(nèi)外研究C/C-SiC復合材料的摩擦磨損性能的報道較多,但大多都是在干態(tài)條件下的[27~29]。中南大學李專等人[30]采用CVI制備低密度C/C坯體,然后采用RMI技術制備SiC基體得到了C/C-SiC摩擦材料,研究其在濕態(tài)條件下的摩擦磨損性能,研究發(fā)現(xiàn),C/C-SiC復合材料是一種親油性材料,在濕態(tài)條件下摩擦因數(shù)較高,具有低的磨損率,在工程機械工業(yè)領域具有很大的應用潛力,如作為摩擦材料應用于工程車輛的濕式離合器上。德國DLR采用RMI工藝制備了C/C-SiC復合材料高性能航空剎車盤(圖3),研究了C/C-SiC摩擦材料的結構、制備及摩擦性能[31~33]。

      3.3 光學光機結構材料

      C/C-SiC復合材料作為光學光機結構材料的研究歷史較短,目前美國、德國、法國、俄羅斯和日本等航天強國都在積極開展C/C-SiC復合材料用于高能激光器和空間低溫反射鏡的研究[34~36]。由于C/C-SiC復合材料具有熱膨脹系數(shù)低的優(yōu)點,已成功應用于激光望遠鏡構件等高精度測量儀器(圖4)。衛(wèi)星反射鏡材料要求具有低密度、高比剛度、低熱膨脹系數(shù)、高導熱性、適當?shù)膹姸群陀捕纫约翱稍O計性等綜合性能,而傳統(tǒng)玻璃反射鏡和金屬反射鏡在加工大型輕質(zhì)反射鏡方面具有一定的局限性,C/C-SiC復合材料可滿足以上所要求的性能,且可制備出表面拋光較好的構件,是一種理想的衛(wèi)星反射鏡材料。

      4 結束語

      經(jīng)過30余年的探索和研究,C/C-SiC復合材料的制備技術和應用研究已經(jīng)取得了一定的進步,國內(nèi)外研究機構對C/C-SiC復合材料制備及性能的研究做了大量的工作,使其在航空航天領域得到廣泛應用。但C/C-SiC復合材料的制備技術存在一定的缺陷,如制備周期長、成本高,極大限制了其在民用領域的應用和發(fā)展。因此,研究制備周期短、成本低的C/C-SiC復合材料新型制備工藝使其在民用領域得到廣泛應用,且對拓展材料的應用范圍具有極其重要的意義,是未來C/C-SiC復合材料研究的重點。

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      Fabrication andApplication of C/C-SiC Composites

      Guo Chunyuan Yan Liansheng Meng XiangliLiang Yan
      (Xi’anAerospace Composites Research Institute,Xi’an 710025)

      Several typical fabrication techniques of C/C-SiC composites were summarized in the paper.The advantage and disadvantage of various methods were analyzed.The application of C/C-SiC composites as thermal structure and thermal protection system (TPS)material,friction material and optical and opto-mechanical ultra-lightweight materials were investigated.Finally,the future of research direction of C/C-SiC composites was prospected.

      C/C-SiC composites;fabrication;application

      郭春園(1991-),碩士,材料科學與工程專業(yè);研究方向:高溫材料及制造。

      2016-12-16

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