梁宸瑄+++陳晨
摘 要:文章設(shè)計(jì)了一種新型蜂窩狀聲子晶體平板體波導(dǎo)結(jié)構(gòu),利用有限元法,對(duì)蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)進(jìn)行建模仿真,得到兩個(gè)波導(dǎo)模式;然后分別對(duì)這兩個(gè)波導(dǎo)模式的位移場(chǎng)分布進(jìn)行分析,得到以兩種不同的聲源分別激發(fā)這兩個(gè)波導(dǎo)模式的方法;最后微調(diào)波導(dǎo)結(jié)構(gòu),得到兩種波導(dǎo)模式對(duì)應(yīng)的能帶與波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的關(guān)系。
關(guān)鍵詞:蜂窩狀聲子晶體;聲子晶體波導(dǎo);有限元法
引言
聲子晶體[1](Phononic crystal)是由彈性材料人工周期性排列而成,由于布拉格散射作用,聲子晶體呈現(xiàn)出聲波禁帶[2],在禁帶頻率范圍內(nèi),聲波和彈性波無(wú)法通過(guò)。近年來(lái),引入缺陷態(tài)是聲子晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的熱點(diǎn),缺陷態(tài)包括點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷等。缺陷結(jié)構(gòu)既能禁止某一頻段的聲波傳播,又起到了選頻和定向作用。線缺陷可以禁止某一頻段的聲波,也可讓特定頻率的聲波沿設(shè)計(jì)路徑高透射率通過(guò),線缺陷的這一特性可用來(lái)設(shè)計(jì)聲子晶體波導(dǎo)[3]。
本文首先模擬了完整二維蜂窩狀晶格硅/空氣聲子晶體平板帶隙頻率范圍;其次在完整二維蜂窩狀聲子晶體平板上引入一條線缺陷,構(gòu)造出二維蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo),結(jié)合超晶胞方法,使用有限元法計(jì)算出波導(dǎo)的能帶結(jié)構(gòu),并分析波導(dǎo)模式的位移場(chǎng)分布特性,找到可以分別激發(fā)不同波導(dǎo)模式的單色聲源;最后微調(diào)聲子晶體波導(dǎo)結(jié)構(gòu),分析微調(diào)后的聲子晶體波導(dǎo)模式的能帶所在頻率范圍,得到的二維蜂窩狀聲子晶體平板結(jié)構(gòu)不僅可以獨(dú)立激發(fā)波導(dǎo)模式,而且通過(guò)微調(diào)波導(dǎo)結(jié)構(gòu),波導(dǎo)模式的頻率覆蓋范圍可以大幅度改變。
1 完整蜂窩狀聲子晶體平板研究
構(gòu)造二維蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)結(jié)構(gòu),首先應(yīng)該構(gòu)造完整的聲子晶體平板,求出完整的聲子晶體平板的能帶圖,并在能帶圖中找到禁帶區(qū)域。因?yàn)樵诶碚撋希▽?dǎo)模式對(duì)應(yīng)的能帶應(yīng)該出現(xiàn)在完整的聲子晶體平板能帶的禁帶處,因此,求解二維蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的能帶之前,應(yīng)先求解完整的聲子晶體平板的能帶。
對(duì)于蜂窩狀晶格聲子晶體平板,平板材料為硅,晶格常數(shù)a=690nm,厚度c=0.5a,空氣孔半徑為r=0.25a,單晶胞如圖1所示。
通過(guò)有限元軟件模擬聲子晶體能帶結(jié)構(gòu),得到蜂窩狀聲子晶體能帶圖,如圖2所示,蜂窩狀晶格聲子晶體的帶隙范圍在4.3GHz~5.5GHz之間,接下來(lái)我們?cè)O(shè)計(jì)的聲子晶體波導(dǎo)結(jié)構(gòu)波導(dǎo)模式對(duì)應(yīng)的能帶應(yīng)位于這個(gè)范圍內(nèi)。
2 蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)特性研究
2.1 蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)模式分析
為蜂窩狀聲子晶體引入一條線缺陷,如圖3所示。圖3為聲子晶體波導(dǎo)超晶胞示意圖,由硅和二氧化硅(圖3中A、B部分)構(gòu)成,晶格常數(shù)為a,空氣孔半徑r為0.25a,相鄰空氣孔間距d為,二氧化硅層的厚度為s(取s為0.6d-h,h取300nm)。當(dāng)用有限元軟件模擬計(jì)算時(shí),對(duì)圖3所示的聲子晶體超晶胞左右邊界施加周期性邊界條件,其余邊界加自由邊界條件,即可計(jì)算蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)能帶結(jié)構(gòu)。
圖4為由有限元軟件計(jì)算得到的聲子晶體波導(dǎo)能帶圖,由圖4可知,圖中處于4.3GHz~5.4GHz的區(qū)域有兩條波導(dǎo)模式能帶,相互之間有交叉,A能帶的頻率范圍為4.45~4.92GHz,B能帶的頻率范圍為4.45~4.7GHz。A模式的位移場(chǎng)分量主要集中波導(dǎo)中心附近,在x方向和y方向具有較強(qiáng)的位移場(chǎng)分量,在z方向上的分量非常小,由于聲波沿x軸方向傳播,因此,判斷A模式屬于剪切模式(SH),SH模只能由沿y軸方向振動(dòng)的聲源激發(fā)[3];B模式的位移場(chǎng)三個(gè)方向分量的分布,B模式的位移場(chǎng)分布在三個(gè)方向上都有分量,因此B模式屬于混合模式(S),S模式可以被沿x方向偏振的聲源和z方向偏振的聲源激發(fā)。下一步,我們將通過(guò)模擬不同聲源在相同頻率范圍內(nèi)透過(guò)率曲線,來(lái)確定上述對(duì)兩個(gè)模式的判斷正確與否。
模擬計(jì)算蜂窩狀聲子晶體波導(dǎo)模式透過(guò)率譜,首先對(duì)完整波導(dǎo)結(jié)構(gòu)左端設(shè)置沿y軸動(dòng)的聲源,透過(guò)率譜如圖5所示,與圖4中的能帶圖比較,發(fā)現(xiàn)沿y軸振動(dòng)的聲源激發(fā)的聲波通過(guò)聲子晶體后透過(guò)曲線的頻率范圍與圖4中A能帶所覆蓋的頻率基本重合;然后設(shè)置沿z軸振動(dòng)的聲源,與圖4中的能帶比較,發(fā)現(xiàn)沿z軸振動(dòng)的聲源激發(fā)聲波通過(guò)聲子晶體后透過(guò)曲線的頻率范圍與圖4中B能帶所對(duì)應(yīng)的頻率基本重合。這就證明了上述分析,即A模式為SH模,只能由沿y軸振動(dòng)的聲源激發(fā);B模式為S模,可以由沿z軸振動(dòng)的聲源激發(fā)。上述結(jié)果說(shuō)明A、B兩種聲子晶體模式的能帶雖然有交叉,但由于偏振態(tài)不同,激發(fā)的方式也就不同,在實(shí)際應(yīng)用中完全可以選取其中一種能帶所對(duì)應(yīng)的模式進(jìn)行單獨(dú)激發(fā)。
2.2 SiO2層厚度對(duì)蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)模式所對(duì)應(yīng)能帶的影響
將SiO2層的厚度從300納米改變到370納米,得到了蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)模式所對(duì)應(yīng)的能帶,如表1所示??梢钥闯?,當(dāng)h=300nm時(shí),A模式的頻率范圍為4.44GHz~4.86GHz的區(qū)域,當(dāng)h僅改變了70nm時(shí),A模式的頻率范圍為5.02~5.26GHz;B模式的頻率范圍在h=300nm時(shí)為4.44GHz~4.71GHz,在h=370nm時(shí)為4.78GHz~4.96GHz。由此可知,微調(diào)SiO2層厚度,波導(dǎo)模式的頻率覆蓋范圍有很大的改變。在實(shí)際應(yīng)用中,需要改變聲波的工作頻率,一般的聲子晶體波導(dǎo)可以通過(guò)調(diào)節(jié)波導(dǎo)寬度、空氣孔半徑等方法做到,但這會(huì)改變整個(gè)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu),如果需要多次改變聲波的工作波長(zhǎng),那這些方法顯然不能滿足這樣的要求,本文設(shè)計(jì)的這種聲子晶體波導(dǎo)結(jié)構(gòu),可以根據(jù)聲波的工作頻率選擇不同厚度的SiO2層,能很好的滿足上述需求。
3 結(jié)束語(yǔ)
本文給出了一種新型蜂窩狀聲子晶體波導(dǎo)結(jié)構(gòu),通過(guò)求解此結(jié)構(gòu)的能帶,得到了兩個(gè)能帶相互交叉的波導(dǎo)模式,并對(duì)其位移場(chǎng)分布進(jìn)行了分析;然后,以兩種不同的聲源分別激發(fā)這兩個(gè)波導(dǎo)模式,得到了它們對(duì)應(yīng)的透射譜;最后,調(diào)節(jié)SiO2層厚度,分析能帶變化規(guī)律,得出以下結(jié)論:
(1)兩種波導(dǎo)模式對(duì)應(yīng)的能帶雖然相互交叉,但激發(fā)的方式不同,因此兩種波導(dǎo)模式可獨(dú)立激發(fā),這使得蜂窩狀聲子晶體平板波導(dǎo)具有良好的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
(2)通過(guò)微調(diào)二氧化硅層厚度,可以大幅度的改變蜂窩狀聲子晶體波導(dǎo)的兩波導(dǎo)模式的頻率覆蓋范圍,這使得蜂窩狀光子晶體波導(dǎo)具有更好的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
參考文獻(xiàn)
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