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      沉錫電路板上錫不良的原因

      2017-06-03 03:23呂俊杰
      電子技術(shù)與軟件工程 2017年9期

      摘 要PCBA上的沉錫焊盤(pán)在二次過(guò)爐過(guò)程中出現(xiàn)上錫不良現(xiàn)象,通過(guò)對(duì)失效焊盤(pán)、過(guò)爐一次焊盤(pán)、未過(guò)爐板焊盤(pán)進(jìn)行表面觀察、FIB制樣剖面分析、AES表面成分分析等手段查找失效原因。結(jié)果表明:由于失效焊盤(pán)在第二次過(guò)爐前已經(jīng)被氧化,且焊盤(pán)表面沉錫層厚度急劇減薄,從而導(dǎo)致焊盤(pán)上錫不良。

      【關(guān)鍵詞】沉錫 FIB剖面制樣 AES成分分析 上錫不良

      1 案例背景

      失效樣品為某型號(hào)雙面貼片PCBA板,該P(yáng)CB板經(jīng)過(guò)兩次SMT后,發(fā)現(xiàn)B面少量焊盤(pán)出現(xiàn)上錫不良現(xiàn)象,樣品的失效率大概在千分之三左右。該P(yáng)CB板焊盤(pán)表面處理工藝為化學(xué)沉錫,出現(xiàn)上錫不良的焊盤(pán)均位于第二貼片面。

      2 分析方法簡(jiǎn)述

      2.1 焊盤(pán)表面SEM分析

      通過(guò)SEM分別對(duì)失效焊盤(pán)、過(guò)爐一次焊盤(pán)、未過(guò)爐焊盤(pán)進(jìn)行表面微觀形貌觀察,如圖1所示。結(jié)果表明,未過(guò)爐焊盤(pán)表面沉錫層成型良好,過(guò)爐一次焊盤(pán)和失效焊盤(pán)表面存在微小的凸起顆粒,表明沉錫層在過(guò)爐后表面生成晶須。

      2.2 焊盤(pán)FIB制樣剖面分析

      通過(guò)FIB對(duì)失效焊盤(pán)、過(guò)爐一次焊盤(pán)及未過(guò)爐焊盤(pán)進(jìn)行來(lái)制作剖面,再通過(guò)EDS對(duì)剖面表層進(jìn)行成分線掃描,具體結(jié)果見(jiàn)圖2~3。結(jié)果表明:失效焊盤(pán)在表層已經(jīng)出現(xiàn)Cu元素,說(shuō)明純錫層中Sn已經(jīng)基本完全與Cu形成合金;過(guò)爐一次焊盤(pán)的表層在0.3μm左右深度出現(xiàn)Cu元素,說(shuō)明過(guò)爐一次焊盤(pán)后,純錫層厚度約為0.3μm;未過(guò)爐焊盤(pán)的表層在0.8μm左右深度出現(xiàn)Cu元素,說(shuō)明未過(guò)爐焊盤(pán)的純錫層厚度約為0.8μm。

      由此可見(jiàn)隨著過(guò)爐次數(shù)的增加,焊盤(pán)表面錫層厚度大幅下降,過(guò)爐一次后錫層厚度幾乎不能滿足再次焊接的要求。由于EDS分析精度的緣故,需采用AES對(duì)其表面進(jìn)行高精度分析。

      2.3 焊盤(pán)表面AES成分分析

      由于EDS的檢測(cè)深度超過(guò)沉錫層厚度,現(xiàn)采用AES(俄歇電子能譜,分析深度約為5nm)對(duì)失效焊盤(pán)和過(guò)爐一次焊盤(pán)的表面進(jìn)行深度成分分析。

      圖4為過(guò)爐一次焊盤(pán)在0~220nm深度范圍的成分分布曲線圖,由圖可知,過(guò)爐一次焊盤(pán)表面在0~187nm范圍內(nèi)主要為C、Sn;在180nm左右出現(xiàn)Cu元素,說(shuō)明在該深度已經(jīng)出現(xiàn)銅錫化合物。由此可見(jiàn),過(guò)一次爐焊盤(pán)表面錫層并未發(fā)生嚴(yán)重氧化,但金屬件化合物已經(jīng)長(zhǎng)大,焊盤(pán)表面剩余錫層厚度極薄。

      3 分析與討論

      沉錫板焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)主要分為銅層、銅錫合金層、純錫層及表層的氧化錫層,其中純錫層可保證焊盤(pán)表面具有良好的潤(rùn)濕性,在回流焊過(guò)程中,表層的氧化錫層會(huì)被錫膏中助焊劑的活性物質(zhì)去除,錫膏與純錫層熔融,使焊盤(pán)上錫良好,一般而言,焊盤(pán)表層至少要存在0.2μm的純錫層,才能保證焊盤(pán)良好的可焊性。失效現(xiàn)象均出現(xiàn)在第二貼片面,說(shuō)明NG樣品在第一次過(guò)爐過(guò)程中,由于高溫加速銅與錫之間的擴(kuò)散,使銅錫合金層變厚,同時(shí)純錫層氧化加劇,導(dǎo)致純錫層被嚴(yán)重消耗;在第二次過(guò)爐焊接時(shí),助焊劑的活性不足,表層氧化物未被完全去除(由AES成分分析可知),純錫層厚度不足,焊盤(pán)潤(rùn)濕性差,導(dǎo)致焊盤(pán)不上錫。

      4 結(jié)論

      NG樣品均出現(xiàn)在第二貼片面,說(shuō)明焊盤(pán)在第一次過(guò)爐過(guò)程中,由于高溫作用加速銅與錫之間的擴(kuò)散,使銅錫合金層變厚,同時(shí)加劇純錫層被氧化,導(dǎo)致純錫層變?。辉诘诙芜^(guò)爐焊接時(shí),助焊劑的活性不夠強(qiáng),表層氧化錫未被完全去除,且純錫層厚度不足,導(dǎo)致焊盤(pán)潤(rùn)濕性差,出現(xiàn)不上錫失效。

      5 建議

      (1)使用活性更強(qiáng)的助焊劑,增強(qiáng)錫膏去氧化層能力;

      (2)增加PCB板沉錫層厚度,保證在過(guò)爐一次后,錫層厚度仍能滿足可焊性要求;

      (3)增加氮?dú)獗Wo(hù),降低焊盤(pán)表層氧化。

      參考文獻(xiàn)

      [1]蘇章泗.化學(xué)沉錫工藝初探[J].印刷電路信息,2001(05).

      [2]李伏,李斌.你了解沉錫嗎[J].印刷電路信息,2012(09).

      [3]李伏,李斌,辜小謹(jǐn).沉錫PCB焊接失效分析方法[J].印刷電路信息,2014(03).

      作者簡(jiǎn)介

      呂俊杰(1969-),男,湖北省應(yīng)城市人。研究生學(xué)歷。職稱:副教授。工作于武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院電信學(xué)院。主要研究方向?yàn)殡娮蛹夹g(shù)。

      作者單位

      武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院電信學(xué)院 湖北省武漢市 430074

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