油頁巖高頻多場對流法加熱特性數(shù)值模擬研究

呂永亮

摘 要：油頁巖、天然氣水合物等新興能源被視作未來的高效清潔能源而受到全世界關(guān)注，而受開采難度、測井技術(shù)等相關(guān)技術(shù)屏障的限制，至今仍難以取得原位高保真樣品開展相關(guān)屬性室內(nèi)研究。為了提高樣品分析精確度，本文采用高頻多場對流加熱法制備模擬樣品，并對樣品均勻加熱特性進(jìn)行了數(shù)值模擬技術(shù)研究。研究結(jié)果表明，激勵端口數(shù)目越多，樣品管內(nèi)產(chǎn)生的最大電場強度越大，達(dá)到的加熱均勻性也越好，激勵端口數(shù)目為9時，加熱均勻性達(dá)到24.5%；當(dāng)激勵端口與樣品管之間的距離為15mm時，加熱均勻性最好，達(dá)到36.9%。

關(guān)鍵詞：高頻對流 數(shù)值模擬 加熱特性 均勻性

中圖分類號：P618 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1674-098X（2017）07（b）-0028-02

高頻對流加熱是引進(jìn)于日本的國際先進(jìn)技術(shù)，主要在難干木材、大斷面難干材干燥等方面發(fā)揮重要作用[1-3]。隨著該技術(shù)的不斷發(fā)展，國內(nèi)一些科研院所、高校及部分高科技企業(yè)將其應(yīng)用于特殊樣品的均勻加熱[4]。而天然氣水合物、油頁巖等國家新能源研究過程中，常常需要開展形態(tài)演變、物性參數(shù)等基礎(chǔ)研究，故而需要在實驗室制備形態(tài)相近、物性相似的模擬樣品，以開展相關(guān)樣品屬性參數(shù)的室內(nèi)研究。在油頁巖模擬樣品的加熱過程中，由于常用的高壓工頻電加熱法很難控制試驗過程中的樣品溫度，且溫度分布不均，難以測量油頁巖樣品的平均溫度與變化[5，6]。因此，亟待提出新的樣品均勻加熱方法與技術(shù)，以提高實驗樣品屬性參數(shù)測量的準(zhǔn)確性。

1 高頻對流加熱特性數(shù)值模擬

本文以微波高頻對流加熱法為基礎(chǔ)，利用麥克斯韋方程組，使用高頻模擬軟件Ansoft HFSS實現(xiàn)對實驗樣品的模擬加熱，通過控制微波激勵端口的數(shù)目、改變激勵功率、調(diào)節(jié)端口與樣品端面之間的距離以及改變微波場激勵端口間的角度來實現(xiàn)微波場的均勻，從而開展高頻對流加熱特性數(shù)值模擬研究，以達(dá)到人工樣品的模擬均勻加熱。建立的微波高頻對流均勻加熱裝置數(shù)理模型如圖1所示。

2 樣品受熱特性影響因素分析

2.1 激勵端口數(shù)目對加熱均勻性的影響

如表1所示，不同的激勵端口數(shù)目具有不同的加熱均勻性和最大電場強度。隨著激勵端口數(shù)目的增加，最大（平均）電場強度依次增加，加熱均勻性也隨著增大。

2.2 激勵端口與樣品管之間的距離對加熱均勻性的影響

本次數(shù)值模擬計算共建立具有五種不同距離的樣品管加熱模型，其到激勵端口的距離分別為15mm，20mm，25mm，30mm和35mm，模擬的結(jié)果顯示，激勵端口與樣品管之間的距離越近，引起樣品管近端溫度快速增加而其它部位的樣品溫度增加緩慢，從而導(dǎo)致樣品管加熱的不均勻性。當(dāng)距離較遠(yuǎn)時，容易造成電磁波的大量散射和損耗，引起樣品管整體升溫緩慢，導(dǎo)致樣品加熱時間過長，不利于快速加熱樣品管內(nèi)的模擬樣品。

如表2所示，當(dāng)激勵端口與樣品管之間的距離為15mm時，加熱均勻性最好，達(dá)到36.9%，而且電場強度能夠達(dá)到78.8。隨著距離的增加，加熱均勻性發(fā)生不規(guī)則改變，最大電場強度也跟著發(fā)生不規(guī)律的改變。由此可見，一定的激勵端口與樣品管之間的距離能夠有效提高微波場加熱的均勻性，有利于模擬樣品的均勻加熱。

3 結(jié)論

本文針對不同的激勵端口數(shù)目、激勵端口與樣品管距離、磁控管布置方式以及激勵功率等參數(shù)，開展了微波高頻對流加熱特性數(shù)值模擬研究，并得到了如下結(jié)論：

（1）激勵端口數(shù)目對微波加熱的均勻性產(chǎn)生了重要影響。激勵端口數(shù)目越多，樣品管內(nèi)產(chǎn)生的最大電場強度越大，達(dá)到的加熱均勻性也越好。當(dāng)激勵端口數(shù)目為9時，加熱均勻性達(dá)到24.5%。

（2）激勵端口與樣品管的距離同樣影響加熱均勻性。模擬結(jié)果顯示，激勵端口與樣品管之間的距離越近，引起樣品管近端溫度快速增加而其它部位的樣品溫度增加緩慢，從而導(dǎo)致樣品管加熱的不均勻性。當(dāng)距離較遠(yuǎn)時，容易造成電磁波的大量散射和損耗，引起模擬樣品整體加熱緩慢，導(dǎo)致樣品加熱時間過長。當(dāng)激勵端口與樣品管之間的距離為15mm時，加熱均勻性最好，達(dá)到36.9%。

參考文獻(xiàn)

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