硅片背面粗糙度對N型鋁背發(fā)射極太陽電池性能的影響

高峰

【摘 要】現(xiàn)今的大規(guī)模太陽電池生產(chǎn)領(lǐng)域，P型襯底占了絕大部分的市場份額，而N型硅襯底由于其高少子壽命和無光致衰減越來越受關(guān)注。本論文以N型的鋁背發(fā)射極電池為基礎(chǔ)，分析了在絲網(wǎng)印刷前硅片背面粗糙程度對電池性能的影響。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，當硅片背面仍然保持絨面狀態(tài)時，即粗糙度比較大的情況下，對于鋁背結(jié)的均勻性影響非常大。對于鋁背發(fā)射極N型太陽電池而言，鋁硅合金層厚度越均勻器件性能越好。因此背面絨面狀態(tài)不利于器件性能的提高。另外如果背面采用“鏡面”狀態(tài)，也不利于器件性能的提高。原因是背面光線反射嚴重。故在鋁背發(fā)射極N型太陽電池中，硅片背面應該采用比較平整的狀態(tài)，但并非“鏡面”狀態(tài)。

【關(guān)鍵詞】太陽電池；N型；鋁背發(fā)射極；背面粗糙度

引言

在太陽電池領(lǐng)域，目前基于P型硅基底的器件占據(jù)了絕大部分的市場份額。然而，由于具有更高的少數(shù)載流子壽命以及沒有“硼-氧”復合體構(gòu)成的缺陷，基于N型硅基底的太陽電池應該更具有優(yōu)勢[1-3]。為了在N型基底上形成PN結(jié)，硼擴散一般是首先考慮到的。但是不同于磷的擴散，硼擴散需要極高的溫度和較長的工藝時間。另外，對于硼發(fā)射極的鈍化問題也是需要進行仔細考慮的。目前對于硼發(fā)射極較好的鈍化方式是高溫熱氧化，但是其穩(wěn)定性還是值得研究的[4]。至于氮化硅已經(jīng)研究證明了對硼發(fā)射極沒有實際的鈍化作用[5，6]。還有，在使用硼發(fā)射極后，對于正反兩面的邊緣隔離問題還是要進行詳細的摸索與優(yōu)化。但是這些問題都可以通過制備鋁背發(fā)射極的N型太陽電池所解決，并且這種具有磷擴散形成的前面場合鋁摻雜構(gòu)成的背結(jié)太陽電池與現(xiàn)有的P型硅太陽電池的制備工藝完全相同。由于在N型鋁背發(fā)射極太陽電池中鋁背結(jié)的質(zhì)量對于整個器件的性能有非常大的影響[7]，因此本論文將重點對這方面開展研究。

一、實驗

本論文的實驗是基于5英寸（148.58 cm2）的單晶Cz N型硅片的。硅片的電阻率大約是7 ?·cm。整個制備工藝以堿制絨開始，經(jīng)過清洗后進行磷擴散。擴散溫度為850 ℃，時間20 min。擴散后硅片方塊電阻為50 ?/□。之后進行濕法刻蝕，然后進入高溫氧化鈍化。氧化后方塊電阻均控制在120 ?/□左右。通過控制刻蝕時的溫度、時間以及刻蝕液的配比等進行背面平整度的條件，主要關(guān)注背面平整度對器件性能的影響。氧化過后，硅片正面使用PECVD進行氮化硅減反膜的沉積，以及背面絲網(wǎng)印刷全鋁背場。最后進行前面表面電極的制備。在制備過程中正面電極下方使用適當?shù)姆椒▽崿F(xiàn)了磷的重擴以保證器件的性能。器件的制備流程如圖1所示。

二、 結(jié)果與討論

由以上結(jié)果可以看出背面的額刻蝕減重隨著量的增加，效率的變化不是線性正向變化，在0.15～0.2g之間是最佳的選擇，同時鋁硅合金層的厚度及合金層的起伏也是最優(yōu)。同時背面的平整度是隨著減重的增加而逐漸變得“鏡面”狀態(tài)，所以，效率的變化不是理論推算的達到“鏡面”的才是最好的。我們應該尋找適合不同工藝路線條件的工藝狀態(tài)來匹配，及達到我們所實際需要的硅背面的粗糙度。

三、總結(jié)

現(xiàn)今的大規(guī)模太陽電池生產(chǎn)領(lǐng)域，P型襯底占了絕大部分的市場份額，而N型硅襯底由于其高少子壽命和無光致衰減越來越受關(guān)注。本論文以N型的鋁背發(fā)射極電池為基礎(chǔ)，分析了在絲網(wǎng)印刷前硅片背面粗糙程度對電池性能的影響。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，當硅片背面仍然保持絨面狀態(tài)時，即粗糙度比較大的情況下，對于鋁背結(jié)的均勻性影響非常大。對于鋁背發(fā)射極N型太陽電池而言，鋁硅合金層厚度越均勻器件性能越好。因此背面絨面狀態(tài)不利于器件性能的提高。另外如果背面采用“鏡面”狀態(tài)，也不利于器件性能的提高。原因是背面光線反射嚴重。故在鋁背發(fā)射極N型太陽電池中，硅片背面應該采用比較平整的狀態(tài)，但并非“鏡面”狀態(tài)。

參考文獻 ：

[1] D. Macdonald， and L.J. Geerligs， Applied Physics Letters， 85（2004） 4061.

[2] S.W. Glunz ， S. Rein ， J.Y Lee and W. Warta， Journal of Applied Physics， 90（2001） 2397.

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[6] P.P. Altermatt et al.， Proc. 21st EU PVSEC， （2006）， 647.

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