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      平面近場(chǎng)測(cè)試中探頭位置誤差的分析

      2018-03-01 01:42:12
      關(guān)鍵詞:近場(chǎng)副瓣遠(yuǎn)場(chǎng)

      劉 鏑

      (91404部隊(duì),河北秦皇島066001)

      平面近場(chǎng)測(cè)量中,探頭沿著在z=d的平面上沿著水平和垂直方向進(jìn)行柵格采樣[1-3]。理想情況下,即探頭沒(méi)有位置誤差時(shí),所有采樣點(diǎn)都在一個(gè)平面上,且所有掃描線是完全垂直和水平的[4-6]。但實(shí)際中,因?yàn)闄C(jī)械精度的限制,無(wú)法做到在嚴(yán)格的柵格點(diǎn)上進(jìn)行采樣,那么在計(jì)算遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖[7]時(shí),位置誤差會(huì)破壞近遠(yuǎn)場(chǎng)變換中的傅里葉變換等間距取點(diǎn)的規(guī)則,從而引入遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖的誤差[8-11]。所以,對(duì)探頭位置誤差的分析對(duì)了解平面近場(chǎng)測(cè)試中的誤差是十分重要的。

      文獻(xiàn)[12-13]對(duì)探頭位置誤差進(jìn)行了一定的分析。但是,文獻(xiàn)[12]主要給出了位置誤差對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)參數(shù)影響的公式,未具體分析位置誤差對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖影響的量級(jí);文獻(xiàn)[13]對(duì)位置誤差進(jìn)行了仿真分析,但在進(jìn)行誤差分析時(shí)基于單個(gè)副瓣進(jìn)行分析,考慮的因素有限,會(huì)導(dǎo)致分析結(jié)果的精度不高。本文則從論證和仿真2個(gè)角度對(duì)位置誤差進(jìn)行了分析,并且在仿真分析中采用全角度分析方法[14-15],詳細(xì)評(píng)估了位置誤差對(duì)-50dB副瓣影響的不確定度,因?yàn)榭紤]了所有角域內(nèi)副瓣的影響,結(jié)果更加精確,為平面近場(chǎng)測(cè)試中誤差的分析提供了一定的依據(jù)。

      1 探頭位置誤差引入的遠(yuǎn)場(chǎng)誤差上界

      根據(jù)平面近場(chǎng)測(cè)量的基本理論,在有位置誤差的情況下,探頭輸出的是位置(p+Δp,d+Δd)處的電場(chǎng),所以橫向電場(chǎng)在(p,d)處的近場(chǎng)測(cè)量誤差ΔEt(p,d)可用下式表示[16]:

      式(1)中:Et為掃描面位置(p+Δp,d+Δd)的橫向電場(chǎng)近場(chǎng)分布;Et為掃描面位置(p,d)的橫向電場(chǎng)近場(chǎng)分布。

      在和模式工作狀態(tài)下,待測(cè)天線軸向附近區(qū)域R≈0,θ≈0,且取樣面上近似等于天線口徑面部分的近場(chǎng)相位分布變化不劇烈,繼續(xù)推導(dǎo),可得到z位置誤差造成的遠(yuǎn)場(chǎng)誤差公式為[17]:

      式(2)中:k是波數(shù);f是頻率;Δz是z向位置誤差。

      從式(2)中可以看出:

      1)在平面近場(chǎng)無(wú)橫向誤差的情況下,z向位置誤差ε0(Δz)與z向采樣位置誤差Δz的2次方成正比;

      2)在Δz一定的情況下,測(cè)量頻率f越高,ε0(Δz)越大。

      同樣的推導(dǎo)過(guò)程,得到橫向位置誤差造成的遠(yuǎn)場(chǎng)誤差公式為:

      式(3)中:α為錐削因子;A為待測(cè)天線口徑面的幾何尺寸;ΔPmax為橫向x位置誤差;δmax為縱向z位置誤差;L0max為天線的最大尺寸。

      2 探頭位置誤差的仿真分析

      上面給出了位置誤差對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)的誤差表達(dá)式,下面利用計(jì)算機(jī)仿真的方式對(duì)其進(jìn)行分析。

      2.1 計(jì)算機(jī)模型的建立

      如圖1所示,在坐標(biāo)系xoz中,x軸上排列著n個(gè)無(wú)限長(zhǎng)電流絲,電流絲之間的間隔為Δs,近場(chǎng)采樣面到電流絲之間距離為d,采樣點(diǎn)數(shù)為m,采樣間隔為Δx。假設(shè)直線陣上電流分布為-50dB副瓣切比雪夫分布。計(jì)算機(jī)仿真過(guò)程如下:

      1)計(jì)算得到距離d處的近場(chǎng),由近場(chǎng)數(shù)據(jù)通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)變換得到理論遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖;

      2)引入不同類(lèi)型的位置誤差,由近場(chǎng)數(shù)據(jù)通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)變換得到引入位置誤差后的遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖;

      3)將理論遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖與引入位置誤差后的遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖進(jìn)行比較,得到誤差曲線,對(duì)誤差曲線進(jìn)行分析計(jì)算,得到位置誤差對(duì)方向圖副瓣影響的量級(jí)。

      圖1 仿真示意圖Fig.1 Schematic diagram of simulation

      值得一提的是,目前國(guó)內(nèi)在誤差的具體分析中一般只考慮單個(gè)副瓣的影響。而實(shí)際中,誤差對(duì)方向圖的影響是全角域的,只對(duì)單個(gè)副瓣進(jìn)行分析,必定有一定的局限性,從而影響評(píng)估結(jié)果的可靠性與準(zhǔn)確性。

      在這里采用全域分析方法對(duì)方向圖所有點(diǎn)的ESS/SIG(即誤差信號(hào)比)來(lái)取均方根(RMS)。然后根據(jù)RMS算出副瓣的不確定度[18]:

      式(4)中:SLL為所要分析的副瓣電平(dB);C=0。

      2.2 計(jì)算結(jié)果及討論

      下面假定3種位置誤差的分布類(lèi)型。

      1)假定x方向位置誤差和z方向位置誤差為正態(tài)分布,且均值為零、方差為σx,且有σx=σz=0.01λ。圖2給出了引入位置誤差后的遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖與理論遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖的對(duì)比及誤差曲線。通過(guò)對(duì)誤差曲線的計(jì)算,得到RMS值為-43.12dB,其對(duì)-50dB副瓣的不確定度為10.13dB。

      2)假定x方向位置誤差和z方向位置誤差均為隨機(jī)誤差,且大小Δx0=Δz0=0.01λ。圖3給出了引入位置誤差后的遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖與理論遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖的對(duì)比及誤差曲線。通過(guò)對(duì)誤差曲線的計(jì)算,得到RMS值為-42.63dB,其對(duì)-50dB副瓣的不確定度為10.47dB。

      圖3 遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖的比較2Fig.3 Comparison 2 of far-fieldpattern

      3)為模擬實(shí)際測(cè)試中的情況,依據(jù)某大型微波暗室實(shí)測(cè)的位置誤差精度,在這里假定x方向位置誤差服從均值為零、均方差為σx的正態(tài)分布;z方向位置誤差服從均值為0、均方差為σz的正態(tài)分布,且σx=0.57mm=0.006λ,σz=0.22mm=0.003λ。圖4給出了引入位置誤差后的遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖與理論遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖的對(duì)比,通過(guò)對(duì)誤差曲線的計(jì)算,得到RMS值為-57.46dB,其對(duì)-50dB副瓣的不確定度為3.07dB。

      圖4 遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖的比較3Fig.4 Comparison 3 of far-fieldpattern3

      3 結(jié)論

      文章首先對(duì)平面近場(chǎng)測(cè)試中探頭位置誤差對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖影響的公式進(jìn)行了論證分析;然后,通過(guò)計(jì)算機(jī)建模的方式對(duì)不同分布類(lèi)型位置誤差對(duì)副瓣的影響進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明,位置誤差對(duì)副瓣的影響很大,必須控制在零點(diǎn)幾個(gè)毫米以?xún)?nèi)。所以在暗室的建造中,嚴(yán)格控制采樣架探頭的位置精度是十分必要的。本文對(duì)誤差的分析首次使用全域分析的方式,且模擬了實(shí)際中位置誤差的情況,這為后續(xù)暗室誤差分析、誤差補(bǔ)償方法的研究提供了一定的理論依據(jù)。

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