戈益堅(jiān)+徐靜
【摘 要】LVDS信號是一種低功耗、高速度的信號傳輸技術(shù),其具備低功耗以及低噪聲的優(yōu)良特性,非常適合作為高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入信號。本文介紹了一款高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的LVDS信號接收器電路,分別介紹了信號接收器的預(yù)放大器、電壓比較器、整形緩沖器電路的設(shè)計(jì),并對系統(tǒng)整體進(jìn)行了功能性驗(yàn)證。
【關(guān)鍵詞】LVDS信號;共模抑制比;差分放大器
中圖分類號: TN792 文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A 文章編號: 2095-2457(2017)35-0086-002
An LVDS Signal Receiver Designed for High Precision Digital Analog Converter.
GE Yi-Jian XU Jing
(Jiangsu Information Vocational and Technical College,Wuxi Jiangsu 214153,China)
【Abstract】LVDS signal is a kind of low-power, high-speed signal transmission technology. It has the characteristics of low power consumption and low noise and is very suitable for the input signal of high-precision digital-to-analog converter. This paper introduces a LVDS signal receiver circuit inside a high precision digital-to-analog converter, introduces the design of signal receiver pre-amplifier, voltage comparator, shaping buffer circuit, and the functional verification of the whole system.
【Key words】LVDS signal;Common mode rejection ratio;Differential amplifier
1 LVDS信號
傳統(tǒng)的高速數(shù)字采集系統(tǒng)的信號一般采用LVTTL信號,LVTTL信號在傳輸過程中存在信號傳輸速度慢、誤碼率高、抗串?dāng)_能力弱、功耗較高等缺陷,為了克服這一系列的缺陷,研究人員開始研發(fā)新一代的低電壓差分信號傳輸標(biāo)準(zhǔn),LVDS(Low-Voltage Differential Signaling)信號標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生。LVDS信號標(biāo)準(zhǔn)是由美國國家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor)提出的一種低功耗、高速度的信號傳輸技術(shù),LVDS信號一般采用1.2V的偏置電壓作為基準(zhǔn),提供較低的電壓擺幅(一般為350mV)以及較低的低的驅(qū)動電流(一般為3.5mA),在一對線路上傳輸差分信號,其最高傳輸速率可達(dá)3.1Gbps,同時由于其低電壓擺幅以及低驅(qū)動電流的特性,使其具備低功耗以及低噪聲的特性。由于LVDS信號具備以上的優(yōu)點(diǎn),所以非常適合作為高速高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入數(shù)字信號標(biāo)準(zhǔn)。
2 LVDS信號接收器電路設(shè)計(jì)
LVDS低壓差分信號經(jīng)過數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片內(nèi)部集成的LVDS信號接收器處理后轉(zhuǎn)換為CMOS數(shù)字信號,供后續(xù)電路模塊進(jìn)行處理。LVDS信號接收器電路由預(yù)放大器、電壓比較器、整形緩沖器三個模塊構(gòu)成,基于CSMC 0.18um CMOS工藝所設(shè)計(jì)的LVDS信號接收器電路如圖1所示。
LVDS輸入信號首先加在由P1、P3、P3、M1、M2、M3、M4這七個MOS管所構(gòu)成的與放大器電路的輸入端DATA_P、DATA_N兩端,該運(yùn)算大器電路采用的是一種Lee負(fù)載的差分放大電路結(jié)構(gòu),其中P1為一個PMOS電流源,當(dāng)柵極電壓V_BIAS為0時,可以為差分放大器提供1mA的輸出電流。M1、M2、M3、M4這4個NMOS管構(gòu)成了一個LEE負(fù)載結(jié)構(gòu),這4個MOS管負(fù)載均采用二極管接法,二極管接法的MOS管的小信號等效電阻阻值為
req=■(2)
根據(jù)以上模型,當(dāng)輸入信號為差模小信號時,得到LVDS接口電路預(yù)放大器電路的差模小信號等效電路模型如圖4所示。
圖2中,vid/2為輸入差模小信號,gmP2為P2管的跨導(dǎo),roP2為P2管的小信號等效內(nèi)阻,gmM1、gmM2分別為M1、M2管的跨導(dǎo),roM1、roM2分別為M1、M2管的小信號等效內(nèi)阻。vod/2為差模輸出信號。可以計(jì)算出當(dāng)輸入信號為差模小信號時,LVDS預(yù)放大器的差模輸出信號的表達(dá)式為:
■=g■·■(3)
因?yàn)镸1管與M2管的設(shè)計(jì)參數(shù)完全一致,所以可得:
gmM1=gmM2(4)
roM1=roM2(5)
將式(4)、(5)代入式(3)可得LVDS預(yù)放大器的差模小信號增益Avd為:
Avd=■=■(6)
當(dāng)輸入信號為共模小信號時,得到LVDS接口電路預(yù)放大器電路的小信號等效電路模型如圖5所示。
圖3中,roP1為P1管的交流小信號等效電阻,vic為共模輸入小信號,voc為共模輸出小信號。可以計(jì)算出當(dāng)輸入信號為共模小信號時,LVDS預(yù)放大器的共模輸出信號的表達(dá)式為:
voc=■(7)
將式(3-4)、(3-5)代入式(3-7),可得
voc=■(8)
LVDS預(yù)放大器的共模小信號增益Avc為:
Avc=■=■(9)
由式(6)、(9)可以計(jì)算出LVDS預(yù)放大器的共模抑制比(Common Mode Rejection Ratio,CMRR)的表達(dá)式為:
CMRR=■=■(10)
而傳統(tǒng)的電流鏡負(fù)載結(jié)構(gòu)的差分放大器該的共模抑制比的表達(dá)式為;
CMRR=■=(1+2gmProP1)gmN(roP||roN)(11)
式(11)中,gmP為PMOS管P2、P3的跨導(dǎo),gmN為NMOS管M1、M2的跨導(dǎo),roP為PMOS管的小信號等效電阻,roN為NMOS管的小信號等效電阻。
將式(10)與式(11)對比可以發(fā)現(xiàn),采用Lee負(fù)載結(jié)構(gòu)所設(shè)計(jì)的預(yù)放大器的共模抑制比比采用電流鏡負(fù)載的差分放大器大一個數(shù)量級,從而對LVDS信號輸入端的共模噪聲有更好地抑制作用。
輸入信號經(jīng)過預(yù)放大器的放大之后雙端口輸出至由P4、P5、M5、M6這四個MOS管構(gòu)成的電壓比較器,電壓比較器電路主要實(shí)現(xiàn)以下三個功能:
(1)將預(yù)放大器雙端口輸出的信號進(jìn)一步放大,提升電壓比較器的比較精度;
(2)將雙端輸入信號轉(zhuǎn)成單端輸出信號;
(3)將輸出最大電平從3.3V轉(zhuǎn)換為1.8V;
由于電壓比較器輸出的信號波形的擺幅、上升沿下降沿的陡峭程度還不能達(dá)到CMOS數(shù)字信號的要求,所以需要在電壓比較器的輸出端接一個又兩級CMOS反相器構(gòu)成的整形緩沖器,由于CMOS反相器可以將輸入端緩慢變化的波形快速翻轉(zhuǎn),從而大大地降低輸出端波形的輸出上升時間以及輸出下降時間,整形緩沖器的電路結(jié)構(gòu)如圖5所示。
3 LVDS信號接收器仿真
基于CSMC0.18um Typical工藝庫,使用Cadence Spectre仿真器對LVDS信號接收器電路進(jìn)行輸入輸出特性的仿真,仿真結(jié)果如圖4所示。
從仿真結(jié)果可以看出,當(dāng)LVDS信號接收器輸入信號為頻率500MHz、偏置1.2V的正弦波差分信號時,接收器輸出端信號為CMOS方波數(shù)字信號,且輸出波形的上升沿及下降沿陡峭,整個系統(tǒng)系統(tǒng)穩(wěn)定可靠,達(dá)到了設(shè)計(jì)的預(yù)計(jì)目標(biāo)。endprint