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      晶體硅太陽(yáng)能電池片老化特性研究

      2018-04-16 08:56翟金葉
      中國(guó)科技縱橫 2018年5期
      關(guān)鍵詞:太陽(yáng)能電池

      翟金葉

      摘 要:近年來(lái),太陽(yáng)能光伏應(yīng)用發(fā)展迅速,截止2016年底,全球光伏裝機(jī)量高達(dá)77.42GW,在能源結(jié)構(gòu)中所占的比例逐漸上升。然而,在快速發(fā)展的同時(shí),太陽(yáng)能電池的可靠性存在著較大的隱患,主要表現(xiàn)為兩種形式,一種是非太陽(yáng)能電池片部分的老化,如封裝材料、互連材料、玻璃蓋板等材料的老化或損壞;另一種是太陽(yáng)能電池片部分的老化,如p-n結(jié)內(nèi)的漏電現(xiàn)象、表面與界面處的缺陷增多等。本文就晶體硅太陽(yáng)能電池片老化特性進(jìn)行了分析和探討。

      關(guān)鍵詞:太陽(yáng)能電池;晶體硅;電池片老化

      中圖分類(lèi)號(hào):TM914 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1671-2064(2018)05-0201-02

      1 試驗(yàn)方法

      1.1 電池片制作

      選取尺寸為6英寸(15.24cm)1/9大小的多晶硅片和5英寸(12.7cm)1/4大小的單晶硅片,經(jīng)清洗、制絨、擴(kuò)散、刻蝕和鍍減反射膜制作初步的電池片,其電池的方阻為80Ω/□。再利用4種不同水煮特性的鋁背場(chǎng)漿料(編號(hào)分別為AL-1、AL-2、AL-3、AL-4),用相同的背銀和正銀電極,經(jīng)絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)工藝制作出多晶硅電池片,類(lèi)似地,用AL-1類(lèi)型鋁漿與相同的背銀和正銀電極制作單晶電池片。其中印刷網(wǎng)版為360目(40μm),柵線寬度為80μm,9溫區(qū)紅外隧道燒結(jié)爐的各溫區(qū)設(shè)置分別為:320,340,350,520,570,610,650,790和900℃,燒結(jié)爐傳送帶速度為6.1m/min。

      1.2 水煮試驗(yàn)

      將4種不同鋁背場(chǎng)的多晶硅電池片同時(shí)放入80℃的數(shù)顯恒溫水浴鍋中,記錄電池片水煮40min過(guò)程中,鋁背場(chǎng)產(chǎn)生氣泡、脫粉以及網(wǎng)帶印的時(shí)間,并觀察水煮后電池片的外觀和測(cè)試其電學(xué)性能。

      1.3 冷-熱循環(huán)試驗(yàn)

      在所制備的4種多晶硅及單晶硅電池片中,每組各自取8片,再根據(jù)GB/T9535-2005/IEC61215-2005中的冷-熱循環(huán)試驗(yàn)條件進(jìn)行冷-熱循環(huán)試驗(yàn),在相對(duì)濕度小于60%的情況下,電池片放置在minicool型高低溫試驗(yàn)箱中,在(-40±2)℃和(85±2)℃溫度之間不斷循環(huán),并保證在兩個(gè)極端溫度的保持時(shí)間15min,一次循環(huán)約4h。每循環(huán)5次取出樣品進(jìn)行電性能測(cè)試。

      1.4 濕熱試驗(yàn)

      濕熱試驗(yàn)也稱(chēng)雙85試驗(yàn),基于GB/T9535-2005/IEC61215-2005中的濕熱試驗(yàn)條件下,類(lèi)比冷-熱循環(huán)試驗(yàn),每組各選取8片電池片,將其置于85℃,85%RH的恒溫恒濕試驗(yàn)箱中,每濕熱50h取出進(jìn)行電性能測(cè)試。

      1.5 性能表征

      電池性能測(cè)試用電池綜合參數(shù)測(cè)試儀(型號(hào):GSCT-B)在溫度為25℃,光照強(qiáng)度為0.1W/cm2下進(jìn)行測(cè)試,分析太陽(yáng)能電池老化前后轉(zhuǎn)換效率Eff、填充因子FF、開(kāi)路電壓Voc、短路電流Isc、串聯(lián)電阻Rs、并聯(lián)電阻Rsh等重要參數(shù)的變化;同時(shí)使用電致發(fā)光(EL)測(cè)試儀測(cè)試太陽(yáng)能電池在不同老化時(shí)間的EL特性。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 不同鋁背場(chǎng)多晶硅電池片的水煮特性

      4種不同鋁背場(chǎng)多晶硅電池片的水煮變化狀況如表1所示,從表1中可發(fā)現(xiàn),AL-1、AL-2兩種電池水煮特性。

      池片在水煮過(guò)程中出現(xiàn)氣泡、脫粉、網(wǎng)帶印的時(shí)間比較接近,水煮40min后這兩種電池片呈現(xiàn)出較明顯的網(wǎng)帶印,而AL-3電池片水煮時(shí)發(fā)生反應(yīng)的時(shí)間較長(zhǎng),水煮30min后才發(fā)生反應(yīng),水煮后的網(wǎng)帶印也很淺;AL-4電池片表現(xiàn)最好,整個(gè)水煮過(guò)程中都沒(méi)有發(fā)生化學(xué)反應(yīng),其水煮后的外觀如圖1所示,可直觀地看出4種電池片水煮性能由好到差為AL-4、AL-3、AL-1、AL-2。水煮試驗(yàn)反應(yīng)出鋁背場(chǎng)的濕熱穩(wěn)定性,水煮時(shí)鋁背場(chǎng)的化學(xué)反應(yīng)如下:

      2Al(s)+6H2O(l)→2Al(OH)3(s)+3H2(g)

      用于制作鋁背場(chǎng)的鋁漿是由鋁粉、玻璃粉和有機(jī)載體等組成的,4種鋁漿的不同之處在于玻璃粉不同,玻璃在電池?zé)Y(jié)過(guò)程中起助熔和形成牢固鋁膜的作用,因此,4種鋁背場(chǎng)的致密性和鋁膜的氧化程度不同。致密度較差和氧化不夠的鋁膜,水煮時(shí)水分子易透過(guò)間隙,與鋁顆粒發(fā)生反應(yīng),產(chǎn)生氣泡,并脫粉,隨后鋁背場(chǎng)表面逐漸形成網(wǎng)帶印??梢?jiàn),電池片在燒結(jié)時(shí),鋁膜表面的氧化程度和致密度等因素對(duì)鋁背場(chǎng)的水煮特性有直接的影響,鋁背場(chǎng)耐水煮特性好,說(shuō)明鋁膜的穩(wěn)定性好。

      表2反映出電池片水煮前后電學(xué)性能變化,可以看出AL-1、AL-2、AL-3、AL-4電池片的效率衰減率依次為-0.59%, 1.11%,0.31%和0,基本上和電池片的水煮特性相一致。

      2.2 4種多晶硅電池片的冷-熱循環(huán)特性

      在冷-熱循環(huán)試驗(yàn)過(guò)程中,4種多晶硅電池片的效率衰減率的變化趨勢(shì)如圖1所示(衰減率是相對(duì)于老化前的初始效率)。從圖1可看出,在0~40次冷-熱循環(huán)過(guò)程中,電池片的效率衰減率明顯增大,而在40次冷-熱循環(huán)后其衰減趨于穩(wěn)定,AL-2和AL-4電池片的冷-熱循環(huán)老化特性較好,AL-3電池片所表現(xiàn)的老化特性最差。試驗(yàn)前后AL-2與AL-4的電池效率衰減率分別為-10.73%和-10.50%,而AL-1和AL-3樣品的效率衰減率較大,為-12.36%和-12.98%。由此得出4種電池片的熱循環(huán)老化特性由好到差依次為:AL-4、AL-2、AL-1、AL-3,說(shuō)明電池的冷-熱循環(huán)衰減特性與電池的鋁背場(chǎng)的配方組分有較大關(guān)系,但與背場(chǎng)的水煮特性無(wú)直接關(guān)系。

      電池片冷-熱循環(huán)老化特性的較大差異,一是由于冷-熱循環(huán)條件作用下,多晶硅片存在較多的晶界與位錯(cuò)缺陷得以惡化,形成少子復(fù)合中心,捕獲大量的電子與空穴,使該區(qū)域沒(méi)有激發(fā)出1150nm的紅外光子,導(dǎo)致CCD相機(jī)無(wú)法捕捉到紅外光,EL圖呈現(xiàn)較多黑斑缺陷;另外,由于4種鋁漿制備過(guò)程中所引進(jìn)的雜質(zhì)元素含量與種類(lèi)不同,不同濃度的雜質(zhì)元素形成少子復(fù)合中心,會(huì)降低基區(qū)的少子壽命,從而使4種電池片EL圖呈現(xiàn)不同程度的黑斑,表現(xiàn)出不同的冷-熱老化特性。

      3 結(jié)語(yǔ)

      不同鋁背場(chǎng)材料的電池片水煮特性有所不同,水煮特性較好的電池片表現(xiàn)出較好的濕熱老化特性,但電池片的冷-熱循環(huán)老化特性與其水煮特性無(wú)直接關(guān)系,主要與電池的缺陷種類(lèi)和雜質(zhì)含量有關(guān)。

      參考文獻(xiàn)

      [1]梁哲,王國(guó)峰,朱景兵.晶體硅太陽(yáng)電池鋁背場(chǎng)附著力測(cè)試與分析[C].第十四屆中國(guó)光伏大會(huì)暨2014中國(guó)國(guó)際光伏展覽會(huì).西安:西安電子科技大學(xué)出版社,2014:119-124.

      [2]付明,程思國(guó),王玥,等.Te-Bi玻璃對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池正銀電極性能的影響[J].無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào),2016,31(8):785-790.

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