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      高濃度氚測量中的記憶效應(yīng)恢復(fù)技術(shù)研究

      2018-05-14 18:41胡迭雨張學(xué)森
      科技風(fēng) 2018年1期
      關(guān)鍵詞:氫氣

      胡迭雨 張學(xué)森

      摘 要:固定式氚監(jiān)測儀在氚測量后具有記憶效應(yīng)。為了降低記憶效應(yīng)對(duì)后續(xù)測量的影響,采用氫氣同位素交換法研究對(duì)氚電離室記憶效應(yīng)的恢復(fù)效果。研究結(jié)果顯示:與傳統(tǒng)的空氣浸泡沖洗方法相比,氫氣同位素交換法不僅可以大大縮短處理時(shí)間,而且當(dāng)電離室氚污染程度較高時(shí)該方法的處理效果更加顯著。

      關(guān)鍵詞:電離室氚污染;記憶效應(yīng);氫氣;同位素交換

      與其它氚監(jiān)測技術(shù)相比,電離室測氚具有無需制樣、測量時(shí)間短、測量動(dòng)態(tài)范圍大的特點(diǎn),在氚的在線監(jiān)測中得到了廣泛的應(yīng)用[1-2],如秦山核電站[3],ITER[4]研究等。氚輻射監(jiān)測中測氚電離室易受氚污染(記憶效應(yīng)),會(huì)導(dǎo)致本底升高,影響后續(xù)的測量。由Masabumi Nishikawa等人[5]研究發(fā)現(xiàn),記憶效應(yīng)是由于氣流中氚水到氚的轉(zhuǎn)移過程很快,到達(dá)電極表面的氚不完全是干燥氣體。氚從氣流中轉(zhuǎn)移到電離室壁的表面主要通過同位素交換反應(yīng)。用Hag表示氣體中氫同位素的總原子濃度[6],Tag為每單位表面積中氚原子個(gè)數(shù)。研究表明Hag /Tag的比率決定氚原子吸附的數(shù)量。電離室中存在水蒸汽時(shí),Hag /Tag的比率越大,快速反應(yīng)的記憶效應(yīng)越小。由于記憶效應(yīng)的存在,電離室被氚污染,檢測限會(huì)升高。

      為了解決電離室高濃度氚測量后的記憶效應(yīng),常規(guī)方法為空氣沖洗法。該方法耗時(shí)長,沖洗效果一般,是氚輻射監(jiān)測中較難解決的問題之一。本文提出采用氫同位素的交換反應(yīng)方法可快速有效地降低固定式氚監(jiān)測儀的氚污染。

      1 原理

      1.1 電離室

      固定式氚監(jiān)測儀主要由動(dòng)電容靜電計(jì)和流氣差分電離室所組成,能自動(dòng)補(bǔ)償環(huán)境γ本底,用于監(jiān)測工作場所空氣中所含低能β放射性氣體氚的濃度。

      電離室是由兩個(gè)電極構(gòu)成的一個(gè)充氣室體,由于輻射對(duì)氣體的電離作用在氣體內(nèi)產(chǎn)生電子和離子,通過兩電極在充氣室內(nèi)施加電場并測量電極所收集的電荷就可實(shí)現(xiàn)對(duì)β、γ等輻射的探測。其結(jié)構(gòu)如下圖所示:

      1.2 記憶效應(yīng)

      電離室在通入濃度較高的氚氣時(shí),會(huì)在內(nèi)部殘留一部分氚。任何進(jìn)氣部分對(duì)氚的保留,例如管道、電極、內(nèi)壁、過濾器或泵,都將延長系統(tǒng)對(duì)氚的“記憶”。這部分氚一般是通過兩種途徑留在電離室內(nèi)。(1)直接溶解在材料中,因?yàn)闅渫凰氐姆肿雍驮釉趲缀跛械牟牧现卸加心撤N程度的溶解度[7]。(2)與水分子的同位素交換并吸附在材料表面。氚與與水分子進(jìn)行同位素交換變成HTO、 DTO或T2O后較容易吸附到電極和內(nèi)壁上[8] ,見(1)、(2)和(3)式。

      T2 +H2O→HTO+HT(1)

      DT +H2O→HTO+HD(2)

      HT+H2O→HTO+H2(3)

      電離室內(nèi)氣體的電離信號(hào)是由氣相中的氚和吸附在電離室內(nèi)表面上的氚綜合作用的結(jié)果[9]。如果前次測量滯留在電離室內(nèi)的氚較多,就會(huì)造成信號(hào)增加,使本次測量的結(jié)果偏高。在進(jìn)行測量前需要將前次測量殘留的氚消除到不影響本次測量。

      1.3 同位素交換法

      同位素交換是個(gè)動(dòng)態(tài)平衡的過程。當(dāng)交換前后的濃度發(fā)生變化,其平衡會(huì)被打破。如果(3)式中H2的濃度增加,動(dòng)態(tài)平衡就會(huì)向相反方向改變。H會(huì)將一部分HTO中的T置換出來,置換比例取決于H2的濃度。因此,只要增加H2的濃度,就可以降低HTO的量,從而減少滯留在電離室內(nèi)的氚。

      同理,溶解在電離室內(nèi)壁和電極材料中的T也可以被高濃度的H置換出來。

      2 實(shí)驗(yàn)

      2.1 常規(guī)降低氚污染方法

      固定式氚監(jiān)測儀長期工作后,氚會(huì)吸附在電離室的電極及器壁上,造成電離室的氚污染,使得測量本底值難以降低,儀器無法正常使用。一般用空氣浸泡沖洗電離室來降低氚污染。將空氣引入電離室后,由于氚的濃度差異,吸附在電離室電極及器壁上的氚會(huì)自然擴(kuò)散空氣中,使得氚污染程度降低,測量的本底值下降。但因?yàn)樽匀粩U(kuò)散速度較慢,因此用該方法來降低本底耗時(shí)長,且氚會(huì)不斷向氣相擴(kuò)散,使得處理效果不佳,氚污染程度仍然處于較高水平。

      當(dāng)固定式氚監(jiān)測儀本底值達(dá)到1.1×1010Bq/m3,使用空氣浸泡沖洗電離室,降低測量本底值,5天后,測量值達(dá)到7.4×104 Bq/m3,。但當(dāng)本底值達(dá)到1.1×1011Bq/m3后,利用該方法處理,降低氚污染,電離室測量本底值只能達(dá)到3.7×105 Bq/m3的水平。

      2.2 同位素交換降低氚污染

      為了較快速降低電離室的氚污染程度,將高氚濃度測量后的電離室氚污染降低至能夠重新監(jiān)測使用的水平,實(shí)驗(yàn)中采用90%以上工業(yè)純氫對(duì)電離室進(jìn)行同位素交換。將一定量的氫氣引入電離室后,因?yàn)闅渫凰亻g的交換反應(yīng),氣相中的氫會(huì)和吸附在電離室電極及器壁上的氚進(jìn)行交換,使得電離室氚污染程度降低。與氚自然擴(kuò)散至空氣中相比,氫和氚的交換反應(yīng)速率很快。因此,使用該方法來降低電離室氚污染程度耗時(shí)較短。利用該方法處理后,電離室完全能夠達(dá)到監(jiān)測的要求。該方法的流程見圖。

      3 結(jié)果與分析

      當(dāng)固定式氚監(jiān)測儀本底值達(dá)到1.1×1010 Bq/m3,使用氫氣浸泡沖洗電離室以降低氚污染。2天后,測量本底值降低至19×105 Bq/m3。處理效果較之利用空氣浸泡沖洗有大幅度改善。當(dāng)本底值達(dá)到1.1×1011 Bq/m3時(shí),利用該方法2天后電離室測量本底值也可降低到到3.7×105 Bq/m3的水平。

      圖3是利用空氣浸泡沖洗和氫同位素交換法降低電離室氚污染后,電離室的測量本底值隨處理時(shí)間的變化趨勢圖。從圖中可以看出:與傳統(tǒng)的空氣同位素交換法相比,利用氫同位素交換法能快速降低電離室的氚污染,處理時(shí)間縮短為原來的1/4。

      4 結(jié)論

      氚電離室在測量高濃度氚時(shí)存在的記憶效應(yīng)一直是氚測量遇到的難點(diǎn)之一。采用純氫進(jìn)行同位素交換法替代空氣沖洗污染較重的測氚電離室,抹除記憶效應(yīng)比較顯著,且去污時(shí)間明顯縮短。特別是在氚污染程度較高時(shí),處理效果相比傳統(tǒng)方法更好。

      參考文獻(xiàn):

      [1]T. Tanabe, V. Philipps. Tritium detection in plasma facing component by imaging plate technique[J]. Fusion Engineering and Design, 2001, 54: 147-149.

      [2]T. Tanabe, K. Miyasaka, K. Masaki, et al. Imaging plate technique for determination of tritum distribution 1035 on graphite tiles of JT-60U[J]. Journal of Nuclear materials, 2002, 307: 1441-1445.

      [3]孫雷, 王孔釗. 重水堆核電站空氣中氚的監(jiān)測與泄漏查找[R].中國核科學(xué)技術(shù)進(jìn)展報(bào)告, 2009, 1:173-177.

      [4]M. J. Loughlin, G. Lawrence. Tritium monitoring in the ITER neutral beam test facility[J]. Fusion Engineering and Design, 2007, 82: 646-651.

      [5]M. Nishikawa, T. Takeishi, Y. Matsumoto, et al. Ionization chamber system to eliminate the memory effect of tritium[J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 1989, 278: 525-531.

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      [7]胡曉丹,丁戈龍, 劉文彬.氚的測量技術(shù)[M].北京:原子能出版社,2010: P44-45.

      [8]楊懷元.氚的安全與防護(hù)[M].北京:原子能出版社,1997: 32-33.

      [9]楊懷元.氚的安全與防護(hù)[M].北京:原子能出版社,1997: 56.

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