李曉江, 賀 艷, 申倩偉, 趙 磊, 穆尉偉
(天津理工大學(xué)中環(huán)信息學(xué)院, 天津 300380)
穩(wěn)壓電路是指在輸入電壓、負(fù)載、環(huán)境溫度、電路參數(shù)等發(fā)生變化時,仍能保持輸出電壓恒定的電路。近年來,模擬集成電路設(shè)計技術(shù)得到了飛速的發(fā)展,電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步復(fù)雜化,片上系統(tǒng)集成技術(shù)已受到學(xué)術(shù)界及工業(yè)界的廣泛關(guān)注。這對模擬電路基本模塊的電壓、功耗、精度和速度等,提出了更高的要求。傳統(tǒng)的穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)漸漸難以適應(yīng)設(shè)計需求[1-4]。
三端可調(diào)電壓基準(zhǔn)電路如圖1所示。該電路可以很方便的設(shè)定輸出電壓在2.5~36 V的范圍內(nèi)變化。具有良好的精度和溫度穩(wěn)定性。
圖1 三端穩(wěn)壓電路
工作原理:當(dāng)輸入電壓增大時導(dǎo)致輸出電壓增大,這時電路內(nèi)部通過調(diào)整,使流過自身的電流增大,同時使流過限流電阻的電流增大,這樣限流電阻上的壓降會升高,而輸出電壓等于輸入電壓與限流電阻上壓降的差值,故而達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的目的。
輸入級和基準(zhǔn):T2、T3、T4等組成了基準(zhǔn)電壓子電路:VREF=VBEI+VRI+VR3+VBE6。
如果有VBE2=VBE6,得到VR2=VR3,又因為VBE=VTln
Vref就是輸出的基準(zhǔn)電壓。
誤差放大:如果VI有一個變化信號,該信號通過采樣電阻Rb、Rc分壓后,由射極跟隨電路T1輸出。一路送到了T5的基極,另一路經(jīng)R1、R2送到了T3、T4的基極。由于R4的負(fù)反饋?zhàn)饔?,?dǎo)致T6基極的信號變化比T2基極更為激烈。T6將此信號反相放大后加到了T5的發(fā)射極上,這樣在T5的發(fā)射結(jié)上就得到了一個更大幅度的誤差信號。T8、T9組成了1∶1的比例電流源,一方面作為T5的有源負(fù)載,另一方面,將T5放大后的信號傳遞到了T10的基極。誤差信號也通過R2、R10被T7所放大。由于T5、T7都是反相放大,經(jīng)過電流鏡后,進(jìn)入T10基極的電流為兩個放大后信號之差。但是,由于進(jìn)入T5的信號經(jīng)過了T3、T6多級當(dāng)打,而進(jìn)入T7的信號則是通過了T2的作用,故T7的輸出相對T5為小。這保證了T10的基極能夠獲得與原誤差信號同相并且幅度合適的輸入電流。
穩(wěn)定基準(zhǔn):T6、T7組成了一個差分放大級。其中T6基極為同相輸入端,T7為反相輸入端。T8、T9組成的電流鏡保證了T6、T7的集電極電流的相等。由于R10的存在,當(dāng)Vbe2=Vbe6時,T7的集電極電流與T9基本相同但略小一點(diǎn),其差值保證了T10正常工作。
補(bǔ)償與保護(hù):T4為溫度補(bǔ)償?shù)淖饔?,?dāng)溫度升高時,T10、T11集電極電流增大,會導(dǎo)致輸出電壓下降。對于T1,當(dāng)溫度升高時,一方面其輸出電流增大,會導(dǎo)致整個基準(zhǔn)電路電流增大,基準(zhǔn)電壓升高。另一方面T4反向電流增大,使T1基極電流減小,同時T10輸入電流增大,降低輸出電壓,達(dá)到補(bǔ)償目的。
圖2 基準(zhǔn)電壓特性曲線
圖3 溫度變化對輸出電流的影響
電壓穩(wěn)壓特性:對于這樣的電壓基準(zhǔn)芯片,我們最關(guān)心的就是它的電壓穩(wěn)壓特性。圖2中可以看出,輸入電壓從0變化到40 V區(qū)間內(nèi),基準(zhǔn)電壓從2.41 V變化到了2.53 V,誤差在0.3%之內(nèi),達(dá)到了很好的穩(wěn)定精度。
外界溫度對輸出電壓的影響:圖3可以看出當(dāng)外界溫度從0℃上升到70℃的過程中,基準(zhǔn)電壓只變化了不到0.24 V。
本文在分析傳統(tǒng)的穩(wěn)壓電路的基礎(chǔ)上,設(shè)計了一種比較新穎的三端可調(diào)穩(wěn)壓電路,該電路利用失調(diào)電壓設(shè)計了高性能的、高精度的穩(wěn)壓電路。仿真結(jié)果表明,當(dāng)選取2.5 V作為輸出基準(zhǔn)電壓時,當(dāng)輸入變化40 V,輸出基準(zhǔn)僅變化0.12 V;當(dāng)選取5 V作為輸出基準(zhǔn)電壓時,輸入變化40 V,輸出基準(zhǔn)僅變化0.28 V;當(dāng)外界溫度變化70℃時,輸出基準(zhǔn)電壓進(jìn)變化0.24 V。
[1]Paul R Gray,Paul J Hurst,Stephen H Lewis,etal.模擬集成電路的分析與設(shè)計[M].北京:高等教育出版社,2003.
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