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      儀器偏心情況下陣列側(cè)向測井井眼校正圖版研制

      2018-07-30 06:10:04倪小威馮加明徐觀佑敖旋峰楊多劉迪仁
      斷塊油氣田 2018年4期
      關(guān)鍵詞:井徑圖版井眼

      倪小威 ,馮加明 ,徐觀佑 ,敖旋峰 ,楊多 ,劉迪仁

      (1.長江大學(xué)油氣資源與勘探技術(shù)教育部重點實驗室,湖北 武漢 430100;2.長江大學(xué)地球物理與石油資源學(xué)院,湖北 武漢 430100)

      0 引言

      陣列側(cè)向測井儀器是一種新型電阻率測井儀器,相較于傳統(tǒng)雙側(cè)向測井儀器,陣列側(cè)向測井儀器能夠提供更豐富的地層信息,具有良好的薄層分辨能力,從而越來越被廣泛應(yīng)用于油氣藏評價工作[1-3]。陣列側(cè)向測井儀器的工作環(huán)境為井眼,故其儀器響應(yīng)無法避免地會受到井眼的影響。嚴重的會造成視電阻率資料失真,故有必要對井眼的影響進行校正[4-5]。在測井現(xiàn)場,能夠進行實時快速的電阻率資料井眼校正,是十分重要的。

      目前國內(nèi)外井眼校正的方法主要有2種,一是自適應(yīng)井眼校正方法,二是井眼校正圖版插值法[6-8]。其中:第1種方法精度較高,但耗時長,不利于現(xiàn)場的實時井眼校正;第2種方法精度較第1種方法低,但操作簡便,耗時少,較適用于實時井眼校正工作。目前的井眼校正圖版插值法處理流程大體分為2步,即首先對儀器偏心進行圖版插值校正,然后再進行井眼校正圖版插值。經(jīng)歷2次圖版插值會造成插值誤差的積累[9],同時相較于1次圖版插值,所需要的處理時間會更長。如能針對不同儀器偏心程度分別建立井眼校正圖版,即可實現(xiàn)井眼影響1次插值校正,減小誤差。調(diào)研表明,目前對儀器偏心情況下的陣列側(cè)向測井儀器井眼校正圖版研制的研究較少。本文利用三維有限元數(shù)值模擬技術(shù),模擬了不同儀器偏心程度條件下的陣列側(cè)向測井儀器響應(yīng),形成了不同偏心程度下的井眼校正圖版,可用于陣列側(cè)向測井資料的實時井眼校正。

      1 儀器電極系結(jié)構(gòu)及工作模式

      儀器電極系由主電極A0,監(jiān)督電極M1(M1′),M2(M2′),…,M6(M6′),屏蔽電極 A1(A1′),A2(A2′),…,A6(A6′)組成。監(jiān)督電極、屏蔽電極均以A0對稱分布,且每對電極以短線相接[10-12]。陣列側(cè)向測井儀器共可獲得5種不同探測深度的電阻率曲線,其中模式5探測深度最深,模式1探測深度最淺。

      2 有限元正演模擬及地層模型

      側(cè)向類測井的正演計算可歸結(jié)為穩(wěn)流場的計算問題。陣列側(cè)向測井的正演響應(yīng)可用偏微分方程來描述[13]:

      式中:R為模型中不同位置的電阻率(例如在井眼中R為鉆井液電阻率,在侵入帶中R為侵入帶電阻率,在地層中R為原狀地層電阻率),Ω·m;μ為描述地層模型中電場分布的電位場,V。

      針對特定的模型邊界條件,對式(1)加上電絕緣、電流連續(xù)等邊界條件,形成定解問題。利用三維有限元法求解該定解問題,需構(gòu)建能量泛函。通過構(gòu)造合適的泛函,將定解問題轉(zhuǎn)換成泛函的極值問題[14]:

      式中:φ為泛函;IE為電極發(fā)出的電流,A;μE為電極上的電位,V;E為電極個數(shù)。

      式(2)中積分區(qū)間為地層模型除去電極系的區(qū)域,求和是對所有電極。實現(xiàn)模型離散化,并利用前線解法對該極值問題進行求解,可實現(xiàn)陣列側(cè)向測井響應(yīng)快速求解。

      在實際模擬過程中,由于屏蔽電流發(fā)出的電流未知,采用電場疊加原理,將儀器工作時的總場分解為7個分場。給每個電場賦予不同的加權(quán)系數(shù),再進行電場疊加,最后可以實現(xiàn)總電場的合成。實際正演計算過程中采用的地層模型如文獻[15]所示,偏心塊指的是儀器邊界與井壁之間的距離。

      3 陣列側(cè)向測井井眼校正圖版研制

      3.1 居中條件下的井眼校正圖版

      地層模型為50 m×50 m×50 m的正方體,儀器在井眼中居中測量,鉆井液電阻率為1 Ω·m。模擬地層電阻率從1增大到1 000 Ω·m時陣列側(cè)向測井的響應(yīng)特性。圖1為儀器居中條件下陣列側(cè)向測井模式1—5的井眼校正圖版。井眼校正圖版橫坐標為視電阻率Ra與鉆井液電阻率Rm的比值,井眼校正圖版縱坐標為原始地層電阻率Rt與視電阻率Ra的比值,以井徑r為模數(shù)。井徑從203.2mm開始,以50.8mm為步長,逐步遞增至558.8mm。

      圖1 儀器居中條件下陣列側(cè)向測井井眼校正圖版

      由圖1可知,探測深度越淺的測量模式受井眼的影響越大,其中模式1、模式2受井眼的影響最大。對于模式1,當井徑大于355.6mm后,井眼校正曲線出現(xiàn)明顯上翹趨勢,說明此時測量的視電阻率開始嚴重偏離地層真電阻率,且地層真電阻率越大,偏離程度也越大;當井徑小于304.8mm時,模式1的井眼校正系數(shù)隨著地層電阻率的增大基本在1.00~1.15波動,此時視電阻率與地層真電阻率較接近,模式1受井眼影響較小。對于模式2,當井徑大于508.0mm后,井眼校正曲線出現(xiàn)明顯上翹趨勢,說明此時測量的視電阻率開始嚴重偏離地層真電阻率,且地層真電阻率越大,偏離程度也越大;當井徑小于457.2mm時,模式1的井眼校正系數(shù)隨著地層電阻率的增大基本在1.00~1.20波動,此時視電阻率與地層真電阻率較接近,模式2受井眼影響較小。模式3、模式4、模式5的井眼校正系數(shù)隨著井徑的變化逐漸增大,基本在1.00~1.30波動,且井眼校正曲線隨著地層電阻率的變化并沒有出現(xiàn)上翹的趨勢,說明這3種模式受井眼影響相對較小。

      3.2 偏心條件下的井眼校正圖版

      圖2—6分別是儀器在不同偏心條件下,模式1—5的井眼校正圖版。井眼校正圖版橫坐標為視電阻率與鉆井液電阻率的比值,井眼校正圖版縱坐標為井眼校正系數(shù)。井徑從203.2mm開始,以50.8mm為步長,逐步遞增至558.8mm。偏心塊越小,儀器偏心程度越大,偏心塊大小值S分別取12.7,50.8mm。

      圖2 模式1井眼校正圖版

      由圖2可知,在儀器偏心的情況下,模式1的井眼校正圖版與儀器居中時的校正圖版差別較大,故對陣列側(cè)向測井的模式1的井眼校正應(yīng)充分考慮儀器偏心的影響。當井徑小于203.2mm時,偏心程度的大小對模式1響應(yīng)影響不大;當井徑大于254.0mm后,儀器響應(yīng)隨著儀器偏心程度的增大而減小,導(dǎo)致井眼校正系數(shù)變大且井眼越大,儀器響應(yīng)受偏心影響就越大。

      圖3 模式2井眼校正圖版

      由圖3與圖1對比可知,模式2響應(yīng)受儀器偏心的影響較大。當井徑小于304.8mm時,校正圖版與儀器未偏心時差別并不大,此時儀器偏心的影響較小;當井徑大于355.6mm后,儀器響應(yīng)隨著偏心程度的增大開始明顯較小,導(dǎo)致井眼校正系數(shù)急劇增大,此時應(yīng)注意對模式2的儀器偏心校正工作。

      圖4 模式3井眼校正圖版

      由圖4可知,模式3的井眼校正系數(shù)只有在井徑大于406.4mm后才開始隨儀器偏心程度的變化而變化。隨著偏心程度的增大,模式3的井眼校正系數(shù)隨著增大,即儀器偏心程度越大,井眼分流效應(yīng)越強。在大井眼中應(yīng)注意對模式3的偏心校正。

      圖5 模式4井眼校正圖版

      由圖5可知,井徑小于406.4mm時,各偏心情況,下模式4與儀器居中時的井眼校正圖版相似性較好。井徑大于406.4mm后,模式4的井眼校正系數(shù)在大電阻率地層出現(xiàn)急劇增大現(xiàn)象,且偏心程度越大,井眼校正系數(shù)越大,此時應(yīng)注重對模式4的井眼校正。

      圖6 模式5井眼校正圖版

      由圖6可知,不同偏心程度所對應(yīng)模式5的井眼校正圖版相似性較好,井眼校正系數(shù)基本在1.00~1.30波動,說明模式5受井眼、儀器偏心的影響較小。

      4 結(jié)論

      1)儀器居中測量時,陣列側(cè)向測井模式1、模式2受井徑影響較大,不同井徑對應(yīng)的井眼校正系數(shù)隨著地層電阻率的增大而急劇增大;模式3、模式4、模式5受井眼影響較小,井眼校正系數(shù)隨地層電阻率的增大較穩(wěn)定,基本上小于1.30。

      2)儀器偏心測量時,模式1至模式5的井眼校正系數(shù)都會有一定程度的增大,說明儀器偏心時井眼分流效應(yīng)增強。模式1、模式2在井眼較小時,儀器偏心的影響就十分強烈,造成井眼校正系數(shù)急劇增大;而模式3、模式4只有當井眼大到一定程度,儀器響應(yīng)才開始受到儀器偏心的影響;模式5響應(yīng)基本不受儀器偏心的影響。

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