本報訊 日前,國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示,目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國微預計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
在此之前,紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示,未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入,對于公司來說,DDR3內(nèi)存芯片是主流,而DDR4芯片會在年內(nèi)完成設計和生產(chǎn)。
據(jù)悉,紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。