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      國產(chǎn)DDR4內(nèi)存預計年內(nèi)上市

      2018-11-12 03:55:46
      中國計算機報 2018年30期
      關鍵詞:推向市場紫光內(nèi)存

      本報訊 日前,國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示,目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國微預計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。

      在此之前,紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示,未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入,對于公司來說,DDR3內(nèi)存芯片是主流,而DDR4芯片會在年內(nèi)完成設計和生產(chǎn)。

      據(jù)悉,紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。

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