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      Mg4Nb2O9/CaTiO3復(fù)合介質(zhì)陶瓷的制備與性能研究

      2019-09-10 23:34:23金姣倪愛斌
      關(guān)鍵詞:電性能收縮率粉體

      金姣 倪愛斌

      摘 要:采用一步固相燒結(jié)法制備了(1–x)Mg4Nb2O9+xCaTiO3顆粒復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷。研究了陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能。研究了燒結(jié)工藝對陶瓷的相組成、晶體結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。研究表明,在預(yù)燒溫度均為1080℃時,成燒溫度從1235℃升至1435℃,收縮率不斷升高,在1385oC后收縮率變化不大。當(dāng)x=0.4,預(yù)燒溫度1080℃,成燒溫度1385℃保溫24h得到的復(fù)合陶瓷的性能達(dá)到最佳。

      隨著移動通信在現(xiàn)代生活中的普及,人們對微波介電的材料越來越關(guān)注。當(dāng)前,對具有高Q值,合適的介電常數(shù)和接近于零的諧振頻率溫度系數(shù)的微波介電陶瓷的需求越來越大。[1]Mg4Nb2O9陶瓷具有優(yōu)良的微波介電性能,如高品質(zhì)因素(Qf=190 000 GHz),但由于其介電常數(shù)εr偏低(εr=12.5)以及諧振頻率溫度系數(shù)τf太大(τf=-70*10-6/℃)。[2]所以一般與CaTiO3復(fù)合制備Mg4Nb2O9/CaTiO3復(fù)合介質(zhì)陶瓷來使用。[3]但由于Mg4Nb2O9和CaTiO3之間易發(fā)生化學(xué)反應(yīng),不利于形成復(fù)合相,一般采用兩步法分別合成法。[4]本文為了節(jié)省能耗和生產(chǎn)時間,更利于工廠實際應(yīng)用,采用一步法制備Mg4Nb2O9/CaTiO3復(fù)合介質(zhì)陶瓷,研究了燒結(jié)溫度和比例對陶瓷材料性能的影響。

      1 實驗

      采用一步固相法制備(1–x)Mg4Nb2O9+xCaTiO3陶瓷,x取0.2-0.8。以Nb2O5(純度99.5%),MgO(純度99.9%),CaCO3(純度99.9%)和 TiO2(純度99.9%)。按照化學(xué)配比x= 0.2-0.8,稱取原料,放入尼龍球磨罐中,以無水乙醇作為介質(zhì),在行星磨中進行一次球磨(24 h*200r/min)。樣品經(jīng)烘干、過篩后,在1080℃預(yù)燒 24 h,獲得復(fù)合粉體。用同樣的方法進行二次球磨(24 h*15r/min),將制得的粉體,球磨、干燥、過篩后,加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的聚乙烯醇(PVA)造粒,壓制成φ20 mm ×10 mm 的圓片,1235℃至1435℃成燒24 h,獲得(1–x)Mg4Nb2O9+xCaTiO3粉體。采用 Archimedes 法測定樣品的體積密度。選用X 射線衍射(XRD)儀對樣品進行物相分析,測量范圍 2θ為10°~50°。用掃描電鏡(SEM)觀測樣品的顯微結(jié)構(gòu)。采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測量樣品微波介電性能。

      2 結(jié)果與討論

      通過所得的XRD圖表面,在1080的預(yù)燒溫度,和1235℃至1435℃成燒24 h的條件下,均能得到純相復(fù)合陶瓷。

      圖1為x取0.4時候,0.6Mg4Nb2O9+0.4CaTiO3復(fù)合陶瓷粉體在不同的成燒溫度下的收縮率和致密度曲線。由圖1可知,在1235℃下成燒后的收縮率最低,說明該溫度下成燒溫度過低導(dǎo)致收縮率過低。同時發(fā)現(xiàn)隨著成燒溫度的升高,收縮率和密度都是先升高后略微下降。成燒溫度達(dá)到1385℃時,試樣的收縮率和密度達(dá)到最大值,收縮率23%,密度4.1g/cm3。

      圖2為1385℃成燒溫度下,x分別取0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8時,所得的SEM圖,由圖可知X小于0.5時,隨著x值得變大,氣孔越少,粉體致密度越好。X大于0.5后,隨著x值得變大,粉體顆粒出現(xiàn)異常長大,氣孔變多。由圖可知X=0.4和0.5時,顆粒氣孔少,陶瓷組織非常致密。

      3 結(jié)論

      在預(yù)燒溫度均為1080℃時,成燒溫度從1235℃升至1435℃,收縮率先不斷升高,在1385oC后收縮率變化不大。當(dāng)x=0.4,預(yù)燒溫度1080℃,成燒溫度1385 ℃保溫24h得到的復(fù)合陶瓷的性能達(dá)到最佳,介電常數(shù)εr=28.38,品質(zhì)因素Qf=13232 GHz,諧振頻率溫度系數(shù)τf=-24.8*10-6/℃。

      參考文獻

      [1]趙梅瑜,王依琳.高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的研究進展[J].電子元件與材料,2005,24(12):50–54.

      [2]KUMADA N,TAKI K,KINOMURA N.Single crystal structure re?finement of a magnesium [J].Mater Res Bull,2000,35:1 017–1 021.

      [3]KELL R C,GREENHAM A C,OLDS G C E.High-permittivity temperature-stable ceramic εr dielectrics with low microwave loss [J].J Am Ceram Soc,1973,56(7):352–354

      [4]姚國光,田秀勞,劉鵬 .Mg4Nb2O9/CaTiO3復(fù)合介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)和介電性能[J].硅酸鹽學(xué)報,2008,36卷11期.

      【項目來源】:浙江省高等學(xué)校訪問工程師校企合作項目:移動4g基站用諧振器的高Q陶瓷粉體的研究

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