碳化硅(SiC)具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)穩(wěn)定性和抗輻射等突出的特性與優(yōu)勢(shì)，決定了其在高功率器件、高頻器件、高光效發(fā)光器件等領(lǐng)域的應(yīng)用極為廣泛。碳化硅單晶在低壓/高頻、中電壓和高壓/高頻多個(gè)領(lǐng)域具有完全替代硅材料的優(yōu)勢(shì)。受各種因素影響，國(guó)內(nèi)碳化硅單晶品質(zhì)和產(chǎn)能遠(yuǎn)不能滿足產(chǎn)業(yè)需求。

碳化硅電阻法4英寸導(dǎo)電型晶體

蘇州維特萊恩集團(tuán)公司是專業(yè)從事智能制造裝備設(shè)計(jì)與生產(chǎn)、光電新材料研發(fā)及其裝備制造的企業(yè)，于2014年9月與俄羅斯LETI法創(chuàng)始人Tairov及其團(tuán)隊(duì)開展技術(shù)合作，經(jīng)過5年合作研究，掌握了4英寸和6英寸電阻法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)。晶體最大直徑160 mm、等徑厚度達(dá)25～35 mm、微管密度≤2 cm2/個(gè)、基面位錯(cuò)密度≤1200 cm2/個(gè)、電阻率0.01～0.035 Ω·cm，晶體利用率高達(dá)85%。經(jīng)過中外團(tuán)隊(duì)的通力合作，掌握了長(zhǎng)晶過程和工藝參數(shù)的自動(dòng)化控制技術(shù)、生長(zhǎng)爐溫場(chǎng)和生長(zhǎng)區(qū)流場(chǎng)調(diào)控技術(shù)和對(duì)缺陷和多型抑制的工藝技術(shù)。蘇州維特萊恩集團(tuán)公司能在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)的突破，得益于采用了有別于感應(yīng)法的電阻法加熱方式。電阻法能夠?qū)崿F(xiàn)徑向溫度可調(diào)和軸向溫度可控，能有效地避免晶體生長(zhǎng)過程中多型、層錯(cuò)缺陷增殖的出現(xiàn)，因而更適合生長(zhǎng)6英寸以上的碳化硅單晶。

碳化硅電阻法4英寸導(dǎo)電型晶體

碳化硅電阻法6英寸導(dǎo)電型晶體