劉元鳳,方懷防,察冬梅,吳斯洋,黃 濤
(中南民族大學化學與材料科學學院,武漢 430074)
量子點(quantum dots,QDs)因具有良好的發(fā)光性能,在生物標記、細胞成像、傳感材料等方面得到廣泛應用[1]。但因自身的穩(wěn)定性、選擇性等問題限制,需要在應用前對其進行修飾。SiO2因具有良好的生物相容性、穩(wěn)定性和透光性,且表面含有豐富的羥基,已成為最理想的表面包覆材料之一。SiO2包覆常用的方法主要有反相微乳液法和“Stober”法,其中反相微乳液法過程相對“Stober”法簡單,對粒徑和尺寸分布的控制較好[2],在SiO2包覆方面得到了廣泛應用。然而在包覆過程中,仍不可避免造成發(fā)光性能的嚴重下降[3],大大影響后續(xù)分析應用的靈敏度。
為解決此問題,人們從不同方面對反相微乳液法制備CdTe@SiO2進行了研究,比如在包覆前對量子點進行預處理[4-6],或制備過程中選用不同的硅烷化條件等[7-8]。然而,其中大多數方法總的量子產率保持率仍不是很高。因此,為減少包覆過程中熒光效率的大幅度下降,進一步探索反相微乳液體系制備CdTe@SiO2的最佳條件仍具有重要意義?;谕聹?0/環(huán)已烷/1-已醇/CdTe量子點反相微乳液體系,考察了各因素對制備的CdTe@SiO2量子點的影響,并對其機理進行了探討。
氯化鎘(CdCl2·2.5H2O)、 3-巰基丙酸(MPA)、碲粉(Te),均購于阿拉丁化學試劑有限公司; 硼氫化鈉(NaBH4)、吐溫80、正硅酸四乙酯(TEOS)、環(huán)已烷、氨水(25%)、1-已醇、1-丁醇、1-辛醇、異丙醇及無水乙醇均為分析純,購于國藥集團化學試劑有限公司;熒光素(C20H12O5),購于北京化工廠。
UV-2550型紫外-可見分光光譜儀(日本島津公司);FEI Tecnai G20型透射電子顯微鏡(TEM,美國FEI公司);F-7000型分子熒光光譜儀(日本Hitachi公司)。
采用兩步法合成CdTe 量子點,根據文獻[9]略作改進,具體如下:(1)NaHTe溶液:往試劑瓶中加入10 mL蒸餾水,通氮氣30 min除氧,再將4 mmol的NaBH4加入試劑瓶中,待固體溶解完全,迅速加入1 mmol的碲粉,常溫下反應2 h,得到NaHTe溶液。(2)Cd前驅體:在室溫條件下,將100 mL蒸餾水加入到250 mL三口燒瓶中,通氮氣攪拌30 min,稱取1 mmol CdCl2·2.5H2O加入燒瓶中,溶解完全后,向此溶液中加入150 μL 巰基丙酸,緩慢滴加1 mol/L NaOH,調節(jié)溶液 pH 值到10~11,得到Cd前驅體溶液。(3)CdTe 量子點:將新制得的NaHTe快速加入帶有Cd前驅體溶液的三口燒瓶中,得到橙紅色透明溶液,在100 ℃氮氣氛圍下回流2 h,得到CdTe 量子點。
采用反相微乳液法合成CdTe@SiO2量子點,在文獻[10]基礎上略作改進,具體如下:將15 mL 環(huán)已烷、3.6 mL 助表面活性劑和3.5 mL吐溫80混合,攪拌30 min至澄清,然后加入800 μL CdTe量子點水溶液,常溫下攪拌 30 min,形成透明且性質穩(wěn)定的油包水微乳液,再將一定量的TEOS和氨水加入到微乳液體系中,連續(xù)攪拌24 h后,用異丙醇破乳、無水乙醇和水離心,除去上清液,最后用水定容到5 mL,用于后續(xù)表征。
通過與標準物質熒光素 (量子產率為65%)進行比較來計算量子產率[11](Φx),即測量量子點和熒光素水溶液在同一激發(fā)波長處的熒光發(fā)射峰面積,測量時標準物質和待測物質的紫外吸收應均小于 0.05,按照如下公式計算量子產率。
(1)
式中:x和s分別代表待測樣品和標準物質;Φ為量子產率;I和A分別代表樣品的熒光發(fā)射峰面積和紫外吸收強度。
圖1 CdTe量子點的TEM照片Fig.1 TEM image of CdTe QDs
TEM表征是將超聲分散好的CdTe 量子點溶液滴在銅網T10023碳支持膜上,晾干,在透射電子顯微鏡下觀測拍照,加速電壓為200 kV。圖1是CdTe 量子點的透射電鏡圖,從圖中可以看出,以銅網T10023碳支持膜為背景,背景主要是灰白相間的,均勻分布的CdTe量子點為黑色小顆粒狀。合成的量子點近似球型,粒徑大約2~3 nm。根據可見分光光譜測定結果,利用理論公式[12]計算CdTe 量子點的粒徑,結果為2.8 nm,兩者相吻合。
CdTe 量子點的激發(fā)和發(fā)射光譜如圖2所示。由圖可知,圖2(a)中量子點的激發(fā)光譜波長范圍較寬,圖2(b)中發(fā)射光譜峰形對稱,峰較強,說明量子點光學性能優(yōu)良。按照2.4中的公式計算得出CdTe 量子點的量子產率為33.0%。
圖2 CdTe量子點的激發(fā)和發(fā)射光譜,激發(fā)電壓400 V,狹縫寬度均為10 nmFig.2 Excitation and emission spectra of the CdTe QDs, excitation voltage, 400 V;slit width, 10 nm
3.3.1 反應時間的影響
保持微乳液體系中吐溫80、環(huán)己烷、量子點以及助表面活性劑1-己醇的用量恒定,考察CdTe@SiO2熒光性能隨反應時間的變化情況。由圖3可知,隨著反應時間的增加,CdTe@SiO2發(fā)射波長藍移,熒光強度先增強后下降。從12 h到24 h,可能是由于該階段溶液中TEOS的濃度足以使SiO2殼層的生長平穩(wěn)進行,熒光強度增強。從24 h增加到48 h,可能是隨著量子點的生長,溶液中的TEOS濃度逐漸開始不足,CdTe@SiO2的生長平衡被打破,開始產生Ostwald“熟化”現象[13]。量子點長時間與水解產物接觸會發(fā)生猝滅,導致整個過程中的熒光強度下降,因此,反應時間為24 h較好。
3.3.2 TEOS用量的影響
TEOS作為硅烷前驅體,其用量將直接影響最終形成的CdTe@SiO2的熒光強度和粒徑大小??疾旒尤氩煌w積的 TEOS對CdTe@SiO2熒光性能的影響,結果如圖4所示。由圖可知,隨著TEOS 用量的增多, CdTe@SiO2的發(fā)射波長紅移,熒光強度先下降后增強。這可能是因為TEOS用量為120 μL時,相對量子點的投入量較小,獲得的微球中均包含有量子點,甚至出現了包含了多個量子點的CdTe@SiO2,熒光強度相對較強。
圖3 不同反應時間制得的CdTe@SiO2量子點的熒光光譜Fig.3 Fluorescence spectra of CdTe@SiO2 QDs prepared at different reaction time
圖4 不同TEOS用量制得的CdTe@SiO2量子點的熒光光譜Fig.4 Fluorescence spectra of CdTe@SiO2 QDs prepared by different TEOS dosage
隨著TEOS用量的進一步增加,熒光強度先降低后增強可能與TEOS水解速度有關。當TEOS用量為200 μL時,水解和縮合速率緩慢,可能存在形成多核和單核CdTe@SiO2量子點,此時因TEOS水解縮合反應的速率不同,形成的SiO2殼層表面存在缺陷,導致量子點在微乳液體系中發(fā)生猝滅,熒光強度下降。隨后TEOS用量為400 μL,形成的SiO2殼層表面缺陷減少,熒光強度也逐漸呈增強趨勢。當TEOS用量達到600 μL時,水解與縮合速度適中,且量子點與TEOS兩者用量比例適當,更趨向形成單核包覆且包覆完全的CdTe@SiO2,熒光強度增強,但得到的產物粒徑較大。綜上,當TEOS用量為120 μL時,CdTe@SiO2性能最佳。
3.3.3 氨水用量的影響
氨水作為催化劑,在一定范圍內能夠加速硅烷前驅體 TEOS 的水解和水解產物的縮合,并且對量子點的熒光強度也有直接影響,同時其投入量還關系到微乳液中的油水比[14]。保持油水比不變,考察不同體積氨水對CdTe@SiO2熒光性能變化情況,結果如圖5所示。由圖可知,隨著氨水用量的增加,發(fā)射波長藍移,熒光強度先下降后增強,氨水用量120 μL時,獲得的CdTe@SiO2熒光最強。這可能因為此時氨水濃度相對較大,TEOS的水解速率增大,促進了單體的形成,形成的SiO2包覆殼層速率更快,減少了包覆過程中熒光猝滅,熒光強度相對較強。當氨水濃度較低時,TEOS水解和縮合速率緩慢,此時氨水促進TEOS水解形成的SiO2殼層不足以包覆微乳液體系中的CdTe量子點,量子點盡管能夠生長,但長時間與水解產物接觸,使熒光性能受到很大影響。因此當氨水用量為120 μL時,CdTe@SiO2熒光性能最佳。
3.3.4 助表面活性劑種類的影響
助表面活性劑可以降低界面膜的剛性,降低油水界面張力,促使分散度增大,形成穩(wěn)定的微乳液。由圖6可知,加入不同碳鏈長度的助表面活性劑,制得CdTe@SiO2的熒光強度隨碳鏈長度的增加先增大后降低。這可能是由于在CdTe@SiO2生長的最后階段,由表面活性劑提供的穩(wěn)固空間結構能防止顆粒團聚,能夠得到熒光性能穩(wěn)定的CdTe@SiO2,其中助表面活性劑的最大增溶水量決定了微乳液體系的穩(wěn)定性[15]。1-辛醇及1-丁醇鏈的長度與環(huán)己烷的鏈長度相差較大,對體系的增溶水量影響不如1-己醇明顯,它們優(yōu)先溶解于環(huán)己烷中,增加了其在油相的濃度,減少了膠束的聚集數,降低了增溶水量。1-己醇對體系的增溶水量相對較大,因此選擇1-己醇為助表面活性劑,使得微乳液體系更穩(wěn)定,得到發(fā)光效率較高的CdTe@SiO2量子點。
圖5 不同氨水用量制得的CdTe@SiO2量子點的熒光光譜Fig.5 Fluorescence spectra of CdTe@SiO2 QDs prepared with different ammonia dosage
圖6 不同助表面活性劑種類制得的CdTe@SiO2量子點的熒光光譜Fig.6 Fluorescence spectra of CdTe@SiO2 QDs prepared by different cosurfactants
綜上,反相微乳液法制備CdTe@SiO2的最佳條件為:TEOS和氨水的用量均為120 μL,反應時間為 24 h,助表面活性劑為1-己醇。其中TEOS與氨水的用量對包覆過程中保持高發(fā)光效率量子點作用較顯著。
在銅網T10032碳支持膜上滴加超聲分散均勻的CdTe@SiO2量子點溶液,晾干,在透射電子顯微鏡下觀測拍照,加速電壓為200 kV。TEM表征結果如圖7所示,以銅網T10032碳支持膜為背景,可以清楚的觀察到量子點包覆SiO2后有明顯的核殼結構,尺寸分布均一,有少許團聚,粒徑在85 nm左右。
圖7 CdTe@SiO2 量子點的透射電鏡圖Fig.7 TEM image of CdTe@SiO2 QDs
如圖8所示,圖8(a)中CdTe@SiO2激發(fā)光譜波長范圍較寬,圖8(b)中發(fā)射光譜峰形對稱,峰較強。與包覆前相比,激發(fā)和發(fā)射波長發(fā)生了小幅度藍移,大約6 nm左右。按照公式(1)計算得量子產率為27.9%,量子產率保持率為84.5%,熒光強度得到了較好的保持。
圖8 CdTe@SiO2量子點的激發(fā)和發(fā)射光譜,激發(fā)電壓400 V,狹縫寬度均為10 nmFig.8 Excitation and emission spectra of the CdTe@SiO2 QDs, excitation voltage, 400 V; slit width, 10 nm
本文通過考察TEOS和氨水的用量、反應時間及助表面活性劑的種類對反相微乳液法制備高發(fā)光效率CdTe@SiO2量子點的影響,得到了CdTe@SiO2量子點的最佳制備條件。該條件下量子產率保持率為84.5%,與目前制備CdTe@SiO2量子點相比較而言,包覆后熒光猝滅較小,保持了相對較高的的原始熒光效率,有利于提高后續(xù)分析檢測的靈敏度。