• 
    

    
    

      99热精品在线国产_美女午夜性视频免费_国产精品国产高清国产av_av欧美777_自拍偷自拍亚洲精品老妇_亚洲熟女精品中文字幕_www日本黄色视频网_国产精品野战在线观看 ?

      扇出型晶圓級封裝專利技術(shù)綜述

      2019-10-21 15:55:51賈楓
      科學與財富 2019年28期
      關(guān)鍵詞:跡線絕緣層晶片

      賈楓

      一、扇出型晶圓級封裝技術(shù)概述

      扇出型(Fan-out)封裝和扇入型封裝是一組相對的概念。傳統(tǒng)的晶圓級尺寸封裝是一種扇入型結(jié)構(gòu),封裝尺寸和芯片尺寸一致,雖然能大幅降低封裝后的芯片尺寸,但是在單顆芯片上的植球數(shù)量受限,因此,該晶圓封裝形式難以應用于高I/O端口數(shù)的通訊芯片上。而扇出型晶圓級封裝技術(shù)則大大改進了扇入型封裝方式的弊端。所謂的扇出,是指焊球的布局并不局限于芯片表面積,這表示在焊球間距不變時,通過增加可用于設(shè)置球焊點的面積,扇出型封裝可以提供更多I/O數(shù)量。此外,扇出結(jié)構(gòu)還具有另外兩個特點,一是在塑封材料中埋設(shè)芯片,而不是在層狀基板中,二是重布線層不是設(shè)置在基板上的。除了可以顯著提高I/O數(shù)量外,扇出結(jié)構(gòu)還可以得到更小的封裝尺寸、更好的電學熱學性能和更高的封裝密度。

      二、扇出型晶圓級封裝技術(shù)的發(fā)展演進

      圖1展示了扇出型晶圓級封裝的發(fā)展脈絡(luò)。本文將本領(lǐng)域?qū)@墨I主要分文三類,第一類主要涉及新的器件結(jié)構(gòu),第二類主要涉及工藝步驟的優(yōu)化,第三類則主要涉及解決本領(lǐng)域的重要技術(shù)問題。本文將結(jié)合專利文獻對其中的技術(shù)問題分支進行重點分析。

      塑封材料具有較其他半導體載體材料更大的膨脹系數(shù)。在扇出型封裝結(jié)構(gòu)中,使用塑封材料替代載體載體后,封裝結(jié)構(gòu)中的熱膨脹差異變得尤為突出。伴隨塑封材料的固化,晶片發(fā)生翹曲。翹曲將會在后續(xù)步驟中造成對準難,沉積均勻性差,再布線層與晶片接觸不良等諸多問題。因此,翹曲成為該領(lǐng)域最需要解決的技術(shù)問題,圖3示出了幾種典型的解決方案。

      1)通過設(shè)置應力消除層

      新科金朋在其專利US2014/0246779中公開了一項通過設(shè)置應力消除層緩解翹曲問題的專利。其中設(shè)置有一絕緣層136,絕緣層136覆蓋在絕緣層134上。該絕緣材料層的厚度為2-30微米,在室溫下具有大于100MPa的抗張強度和20%-150%的延伸率。在后續(xù)的重布線工藝中,絕緣層136可保護管芯124的有源面130以及導電層132,減小破裂、翹曲及其他傷害。

      2)通過在塑封層中埋入翹曲補償層

      NXP在專利US2014/0369015公開了一種通過設(shè)置翹曲補償層降低組件翹曲程度的方法。研究者發(fā)現(xiàn)如果采用銅或其他具有較大熱膨脹系數(shù)的材料制作翹曲補償層,則器件將出現(xiàn)向下彎曲的凹面形態(tài),而如果采用具有較低熱膨脹系數(shù)的材料制作翹曲補償層,則器件將出現(xiàn)向上彎曲的凸面形態(tài)。相比于凹面形態(tài),凸面形態(tài)的器件更易被真空吸嘴固定于卡盤上,故研究者確定采用較低熱膨脹系數(shù)的材料制作翹曲補償層,并具體研究了如何根據(jù)半導體器件30和塑封層50的熱膨脹系數(shù)確定最佳的翹曲補償層材料。

      3)通過在塑封層中設(shè)置凹陷部分

      SPIL在其專利US2014/0342506中公開了一種通過在絕緣層中形成凹部以釋放應力的方法。研究人員在該專利中公開了在載體基板200上設(shè)置粘接層220,在粘接層220上設(shè)置圍繞中心區(qū)域的擋止件21。隨后進行塑封工藝,將塑封材料設(shè)置在整個載體基板上。隨后將載體基板200、粘接層220以及擋止件21一并去除,塑封材料23中則留下了原來被擋止件21占據(jù)的空間,即凹部230。凹部230可釋放該絕緣層23的應力,從而改善絕緣層23的翹曲程度。

      晶片位移

      塑封材料在固化過程中會收縮,收縮尺度可能達到幾十微米。這將導致已經(jīng)對準設(shè)置的晶片和重布線互連結(jié)構(gòu)發(fā)生相對位移,甚至因錯位而破壞電連接。尤其是在多芯片堆疊的結(jié)構(gòu)中,收縮和位移出現(xiàn)在多個方向上,因此,晶片位移也是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

      1)使用定位結(jié)構(gòu)

      矽品在其專利US2016/0005695中公開了一項用以解決扇出型封裝對準問題的技術(shù)方案。該專利提供的技術(shù)方案是在塑封層上的晶片外圍區(qū)域上提供凸起的定位結(jié)構(gòu),隨后按照常規(guī)手段制作重分布層。雖然重分布結(jié)構(gòu)中的介電層是不透明的,由于凸起結(jié)構(gòu)和塑封層之間明顯的高度差,該定位結(jié)構(gòu)仍然可以輕易的被光刻機、臺階儀及激光成像儀等識別,從而保證了制作重分布層時的對準精度。

      2)通過粘接材料

      新科金朋在專利US2011/00740中公開了一種通過設(shè)置粘接材料來避免晶片位移的方法。在載帶上的固晶區(qū)域設(shè)置連續(xù)膜狀粘接材料或孤立島狀粘接材料,固晶區(qū)域用于貼裝半導體晶片的有源面。粘接材料由PVC和紫外感應添加劑混合而成的柔性塑膠材料。當完成貼裝半導體器件后,在載帶上覆蓋足以包覆器件的塑封材料,粘接材料可有效防止在塑封步驟中半導體晶片與載帶之間發(fā)生位移。

      3)通過設(shè)置相適應的重分布布線層

      Deca Technologies在其專利US8656333中公開了一種通過設(shè)置重分布層解決芯片錯位導致的一系列技術(shù)問題的方法。研究人員發(fā)現(xiàn)在放置晶片以及塑封成型階段很容易導致晶片發(fā)生平面內(nèi)的位置偏移或旋轉(zhuǎn)。本專利公開的方法中包括一預制層結(jié)構(gòu),該預制層中包括一組金屬跡線,該金屬跡線可以在晶片固定之間制作,也可在晶片固定后制作,也可與第二組跡線一起形成。具體流程為,在晶元放置于載帶上并完成塑封后,根據(jù)當下的位置計算并設(shè)計第二組跡線,第二組跡線用于提供晶片焊盤到凸塊下金屬焊盤之間的導電通路。由于每次晶片的偏移不同,預制層中的第一組跡線的端點相對于晶片焊盤的位置也不同,技術(shù)人員需根據(jù)實際需要計算和實際用于連接二者的第二組跡線,這就是該技術(shù)所謂的與位移相適應的重分布線層。

      三、結(jié)語

      本文對扇出型封裝技術(shù)進行了概述,重點對各種結(jié)構(gòu)進行了分類,避免容易出現(xiàn)的概念混淆,并提供了各種結(jié)構(gòu)的代表專利。當各種類型的結(jié)構(gòu)已經(jīng)基本固定,難于獲得新的授權(quán)專利的情況下,各申請人已經(jīng)將專利布局重心轉(zhuǎn)移到了對技術(shù)問題的解決上。本文重點分析了本領(lǐng)域突出的技術(shù)問題以及各申請人為解決這些技術(shù)問題所提出的技術(shù)方案。

      猜你喜歡
      跡線絕緣層晶片
      降水自記跡線及雨量數(shù)字化提取質(zhì)檢技術(shù)
      雙晶片懸臂梁式壓電傳感器的有限元仿真研究
      復合絕緣層漆包線熱老化壽命數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析
      電線電纜(2018年1期)2018-03-16 02:19:08
      尋血獵犬復合跡線氣味追蹤訓練
      一種水電容式電纜絕緣層缺陷的檢測方法研究
      電線電纜(2017年4期)2017-07-25 07:49:49
      在硬質(zhì)地面追蹤初期如何提高警犬把線能力
      IBM發(fā)明納米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍
      電子世界(2016年22期)2016-03-12 22:15:32
      金剛石多線切割材料去除率對SiC晶片翹曲度的影響
      麥加輕軌站臺2.5 m絕緣層施工技術(shù)
      熱老化對RVV電纜絕緣層內(nèi)部結(jié)構(gòu)與絕緣失效機理的研究
      中國塑料(2014年12期)2014-10-17 02:49:45
      海门市| 盐津县| 汝阳县| 黔东| 枣阳市| 林西县| 义马市| 揭东县| 九江县| 张家界市| 贵德县| 北川| 晋中市| 汤原县| 石屏县| 定日县| 乾安县| 龙岩市| 赣榆县| 元江| 江永县| 邵武市| 玛曲县| 东台市| 巴东县| 乳山市| 和政县| 莫力| 饶阳县| 亳州市| 台安县| 昆明市| 太仆寺旗| 溆浦县| 福建省| 霞浦县| 云龙县| 张家口市| 沭阳县| 军事| 长春市|