王步冉，李 珍，譚 欣，翟亞紅

(1.西南電子設(shè)備研究所，四川 成都 610036；2.電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,四川 成都 610054)

0 引言

隨著集成電路領(lǐng)域的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷縮小，集成電路的功率密度持續(xù)增加，為了制造超低功率CMOS集成電路，已研究了具有超陡亞閾值擺幅(SS)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，主要有隧穿晶體管[1]、雪崩晶體管[2]、微納米晶體管(NEM FETs)和鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NCFET)[3]，其SS小于物理極限值60 mV/dec。負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管將鐵電薄膜集成到柵極疊層中，被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超陡SS的一種有前途的方法[4]。本文主要研究的是鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過在傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵上引入鐵電材料，利用鐵電材料的負(fù)電容效應(yīng)產(chǎn)生的電壓放大效應(yīng)使晶體管溝道中表面電位被放大，從而實(shí)現(xiàn)SS的降低。

本文設(shè)計(jì)了一種基于絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)的NCFET，利用TCAD Sentaurus仿真和器件工具對(duì)其進(jìn)行仿真研究，得到了SS為30.931 mV/dec的NCFET器件結(jié)構(gòu)和參數(shù)。最后仿真研究了鐵電層厚度、等效柵氧化層厚度對(duì)NCFET器件特性的影響。

1 NCFET原理及仿真研究的器件結(jié)構(gòu)

1.1 NCFET低亞閾值擺幅原理

在熱力學(xué)限制下，傳統(tǒng)MOSFET的SS存在一個(gè)極限值(為60 mV/dec)，SS的表達(dá)式[5]為

(1)

式中:VG為外部柵極電壓；ID為漏極電流；φS為半導(dǎo)體表面勢(shì)；CMOS為本征MOSFET的電容，其是由半導(dǎo)體耗盡層電容(Cdep)和柵氧化層電容(Cox)串聯(lián)；CG為總的柵電容；kT/q為熱電勢(shì)[6]，室溫下為26 mV。由式(1)可看出，對(duì)于傳統(tǒng)MOSFET而言，SS存在一個(gè)理論極限值約為60 mV/dec。

NCFET實(shí)現(xiàn)低亞閾值擺幅的原理是利用柵極疊層的鐵電材料的負(fù)電容效應(yīng)。圖1為鐵電材料的雙勢(shì)阱能帶圖。圖中，U為鐵電材料的吉布斯自由能，P為鐵電材料的極化強(qiáng)度。當(dāng)外加電壓V=0時(shí)，根據(jù)能量最小原則，A、B點(diǎn)為穩(wěn)定態(tài)(見圖1)，而負(fù)電容區(qū)域(NC)位于能量最大的區(qū)域，因此，在無外加電壓時(shí)，鐵電材料不會(huì)處于NC狀態(tài)。隨著V的逐漸增大，能帶發(fā)生彎曲，當(dāng)V>Vc(Vc為鐵電材料的矯頑電壓)時(shí)，此時(shí)能量最小點(diǎn)(即穩(wěn)定狀態(tài))為B′點(diǎn)，因此會(huì)發(fā)生從A′點(diǎn)向B′點(diǎn)移動(dòng)的過程，此過程會(huì)經(jīng)過圖中所示的負(fù)電容NC區(qū)域[7]。

圖1 鐵電材料雙勢(shì)阱能帶圖

對(duì)于NCFET而言，CG是由鐵電電容(CFE)和Cox串聯(lián)，在CFE處于負(fù)電容區(qū)域時(shí)，結(jié)合式(1)可知，如果CG<0，則可得到低于60 mV/dec的SS。要使CG<0，就要|CFE|0，故可得到NCFET正常工作且可有效降低SS，則有CMOS<|CFE|

在CMOS<|CFE|

(2)

由式(2)可知，|CFE|和CMOS越接近，即兩個(gè)電容的匹配度越高，CFE的放大能力就越強(qiáng)。

1.2 NCFET器件結(jié)構(gòu)

基于SOI結(jié)構(gòu)的NCFET的器件模型及等效電容模型如圖2所示，器件結(jié)構(gòu)為在基于SOI結(jié)構(gòu)的本征MOSFET的柵氧化層上堆疊金屬層/鐵電層/金屬層(M/FE/M)柵極疊層。因金屬層等勢(shì)面的存在，在圖2(b)的等效電容模型中可認(rèn)為CFE和Cox是串聯(lián)的形式。需要注意的是CFE和Cdep均為非線性電容。

器件結(jié)構(gòu)中的金屬層為氮化鈦(TiN)，鐵電層材料為摻鋯的氧化鉿——HfZrO2，其中Hf與Zr的濃度比Hf∶Zr=1∶1[9]。但是，本文得到的結(jié)論并不局限于此材料，所有具有負(fù)電容效應(yīng)的鐵電材料均可用作NCFET中鐵電電容結(jié)構(gòu)中的鐵電層，本文選取HfZrO2材料，是因?yàn)橄鄬?duì)于傳統(tǒng)鐵電材料(如BaTiO3、PbZrTiO3(PZT)、SBT[10]和P(VDF-TrFE)[11]等)，鐵電氧化鉿材料與硅CMOS工藝具有很好的兼容性，通常可通過摻雜Si、Zr、Y、Al、Gd、Sr和La等不同元素獲得具有鐵電性質(zhì)的HfO2基薄膜[12-13]。

圖2 基于SOI襯底的NCFET器件的結(jié)構(gòu)及等效電容模型

2 仿真結(jié)果及討論

首先通過TCAD Sentaurus仿真對(duì)添加了包含鐵電材料的柵極疊層的NCFET進(jìn)行分析。NCFET具體參數(shù)如表1所示。其中對(duì)于本征MOSFET的溝道長(zhǎng)度、摻雜濃度等參數(shù)是按照TCAD Sentaurus中標(biāo)準(zhǔn)的SOI器件結(jié)構(gòu)設(shè)置,鐵電材料的各向異性參數(shù)(α,β,γ)參見文獻(xiàn)[12]。

表1 NCFET具體參數(shù)

2.1 鐵電層厚度的影響

為了研究鐵電層厚度(tfe)對(duì)NCFET器件性能的影響，首先確定仿真中tfe的范圍，CFE處于負(fù)電容狀態(tài)且器件整體處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)有CMOS<|CFE|

2) 取極限情況|CFE|=Cox，其中Cox=εox/tox，因此可得tox=2|α|εox。本文采用的鐵電材料是HfZrO2，由表1可得，α=-6.8×1010cm/F。因此,在tox=4 nm時(shí)，分別仿真了tfe=20 nm，30 nm，50 nm，60 nm的NCFET。不同tfe下的NCFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖3所示。

圖3 不同tfe下的NCFET轉(zhuǎn)移特性曲線

由圖3可知，隨著tfe增加，轉(zhuǎn)移特性曲線斜率越來越陡。在tox=4 nm時(shí)，不同tfe的NCFET的SS如表2所示。由表2可知，隨著tfe的增加，NCFET的SS在減小，且都突破了60 mV/dec的熱力學(xué)限制。這表示在亞閾區(qū)NCFET的電流控制能力比傳統(tǒng)晶體管的極限能力更強(qiáng)，且tfe越大，關(guān)斷電流即SOI負(fù)電容晶體的泄露電流越小，同時(shí)開啟電流越大，即驅(qū)動(dòng)能力也越大，電流開關(guān)比也隨tfe增大而增大。

表2 不同tfe的NCFET的亞閾值擺幅(tox=4 nm)

隨著tfe增加，NCFET亞閾區(qū)性能的提高可以通過電容匹配[8]來解釋。隨著tfe的增加，CFE的絕對(duì)值減小，與CMOS的值逐漸接近，兩個(gè)電容耦合度提高，則由負(fù)電容效應(yīng)產(chǎn)生的電壓放大效應(yīng)[9]就更顯著，即可以用更小的柵壓控制較大的ID。

2.2 等效柵氧化層厚度

為了研究tox對(duì)NCFET器件性能的影響，在tfe=50 nm時(shí)，分別仿真了tox=2 nm，4 nm和6 nm的NCFET。不同tox下的NCFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖4所示。表3為在tfe=50 nm時(shí)，SS的具體數(shù)值。

圖4 不同tox下的NCFET轉(zhuǎn)移特性曲線

tox/nmSS/(mV·dec-1)230.931449.392652.021

由圖4可知，隨著tox減小，轉(zhuǎn)移特性曲線斜率越來越陡。這是因?yàn)殡S著tox越小，Cox越大，則具有放大效果的|CFE|可達(dá)最大值，為了CG<0，需滿足|CFE|

3 結(jié)論

本文基于SOI襯底的NCFET，建立了NCFET器件的模型，利用TCAD Sentaurus對(duì)NCFET進(jìn)行仿真研究。仿真結(jié)果表明，在本征MOSFET上添加包含鐵電材料的柵極疊層，通過施加外加?xùn)艍嚎傻玫截?fù)鐵電電容，從而使NCFET的亞閾值擺幅小于60 mV/dec，降低器件的功耗。最終，我們仿真獲得了一種亞閾值擺幅為30.931 mV/dec的NCFET器件的結(jié)構(gòu)和參數(shù)。本文的仿真結(jié)果與NCFET的“電容匹配”理論一致。

此外，仿真研究了鐵電層厚度和柵氧化層厚度對(duì)NCFET器件性能的影響，仿真結(jié)果如下：

1) 鐵電層厚度增加，NCFET亞閾值擺幅減小，且電流開關(guān)比提高。

2) 等效氧化層厚度減小，NCFET亞閾值擺幅減小。