• 
    

    
    

      99热精品在线国产_美女午夜性视频免费_国产精品国产高清国产av_av欧美777_自拍偷自拍亚洲精品老妇_亚洲熟女精品中文字幕_www日本黄色视频网_国产精品野战在线观看 ?

      三維晶體管陣列有望打破摩爾定律

      2019-11-27 21:50:37
      汽車(chē)零部件 2019年11期
      關(guān)鍵詞:肖特基摩爾定律晶體管

      目前,用于計(jì)算機(jī)處理器的硅集成電路正接近單個(gè)芯片上晶體管的最大可行密度,至少在二維陣列中是這樣。摩爾定律看似已難以維持。美國(guó)密歇根大學(xué)一研究團(tuán)隊(duì)卻另辟蹊徑,將晶體管陣列帶入三維空間,在最先進(jìn)的硅芯片上直接堆疊第二層晶體管。這一研究為開(kāi)發(fā)打破摩爾定律的硅集成電路鋪平了道路。

      摩爾定律認(rèn)為,集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔兩年便會(huì)增加一倍。目前硅集成電路的晶體管密度已接近極限。而隨著硅晶體管尺寸變得越來(lái)越小,它們的工作電壓也在不斷下降,導(dǎo)致最先進(jìn)的處理芯片可能會(huì)與觸摸板、顯示驅(qū)動(dòng)器等高電壓接口組件不兼容,后者需要在更高電壓下運(yùn)行,以避免錯(cuò)誤的觸摸信號(hào)或過(guò)低亮度設(shè)置之類(lèi)的影響。這就需要額外的芯片來(lái)處理接口設(shè)備和處理器之間的信號(hào)轉(zhuǎn)換。

      為解決上述問(wèn)題,密歇根大學(xué)研究人員通過(guò)附加器件層的單片三維集成,來(lái)提高硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路的性能。他們首先使用含鋅和錫的溶液覆蓋硅芯片,在其表面形成均勻涂層,隨后短暫烘烤使其干燥,經(jīng)過(guò)不斷重復(fù)后制成一層約75 nm厚的氧化鋅錫膜。使用該氧化鋅錫膜制造的薄膜晶體管可以承受比下方硅芯片更高的電壓。

      為了解決兩個(gè)器件層之間的電壓失配問(wèn)題,研究人員采用了頂部肖特基、底部歐姆的接觸結(jié)構(gòu),在觸點(diǎn)添加的肖特基門(mén)控薄膜晶體管和垂直薄膜二極管具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能。測(cè)試顯示,在集成了高壓薄膜晶體管后,基礎(chǔ)硅芯片仍然可以工作。

      研究人員表示,硅集成電路在低電壓(約1 V)下工作,但可以通過(guò)單片集成薄膜晶體管來(lái)提供高電壓處理能力,從而免除了對(duì)額外芯片的需求。他們的新方法將氧化物電子學(xué)的優(yōu)勢(shì)引入到單個(gè)硅晶體管中,有助于更緊湊、具有更多功能的芯片的開(kāi)發(fā)。

      相關(guān)論文刊發(fā)在最新一期《自然·電子學(xué)》雜志上。

      猜你喜歡
      肖特基摩爾定律晶體管
      超高速光電計(jì)算芯片"掙脫”摩爾定律
      2.6萬(wàn)億個(gè)晶體管
      大自然探索(2021年7期)2021-09-26 01:28:42
      摩爾定律
      場(chǎng)發(fā)射ZrO/W肖特基式場(chǎng)發(fā)射陰極研究進(jìn)展
      電子制作(2018年12期)2018-08-01 00:47:46
      溝道MOS 勢(shì)壘肖特基(TMBS)和超級(jí)勢(shì)壘整流器
      電子制作(2017年19期)2017-02-02 07:08:45
      一種新型的耐高溫碳化硅超結(jié)晶體管
      電子器件(2015年5期)2015-12-29 08:42:07
      碳納米管晶體管邁出商用關(guān)鍵一步
      威廉·肖特基的機(jī)器人夢(mèng)助硅谷崛起
      意法半導(dǎo)體(ST)新款100V晶體管提高汽車(chē)應(yīng)用能
      英飛凌推出第五代1200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二極管
      射洪县| 嘉黎县| 错那县| 蒲江县| 电白县| 沾化县| 花莲市| 台湾省| 龙井市| 张掖市| 二连浩特市| 自贡市| 确山县| 全椒县| 阿勒泰市| 团风县| 博兴县| 合山市| 双城市| 新泰市| 黑河市| 板桥市| 桐梓县| 抚顺市| 安塞县| 宣化县| 景德镇市| 金平| 桦南县| 精河县| 洪洞县| 宁国市| 宜章县| 平乐县| 松潘县| 安徽省| 七台河市| 贡山| 庄浪县| 鹤山市| 大方县|