美國(guó)和奧地利科學(xué)家在最新一期《科學(xué)》雜志刊文稱(chēng)，他們?cè)诹孔优R界材料內(nèi)觀察到數(shù)十億個(gè)流動(dòng)電子之間的量子糾纏。

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)16 日?qǐng)?bào)道，在最新研究中，科學(xué)家們檢查了由鐿、銠、硅組成的材料YbRh2Si2 在接近并越過(guò)兩個(gè)量子相臨界點(diǎn)時(shí)的電磁行為，發(fā)現(xiàn)了該金屬內(nèi)數(shù)十億個(gè)流動(dòng)電子間的量子糾纏。研究合作者、萊斯大學(xué)的斯其苗說(shuō)，這是糾纏導(dǎo)致量子臨界性迄今最有力的直接證據(jù)。

斯其苗還說(shuō)：“在量子臨界點(diǎn)，傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為，只有自旋部分才是臨界點(diǎn)。但如果電荷部分和自旋部分發(fā)生量子糾纏，那么電荷部分也變得至關(guān)重要。在最新研究中，我們?cè)诖帕孔优R界點(diǎn)探測(cè)到電荷部分，發(fā)現(xiàn)了導(dǎo)致量子臨界性的量子糾纏非常直接的新證據(jù)?！?/p>

斯其苗是萊斯大學(xué)量子材料中心主任，他指出，量子糾纏是存儲(chǔ)和處理量子信息的基礎(chǔ)。同時(shí)，科學(xué)家認(rèn)為，量子臨界性可以導(dǎo)致高溫超導(dǎo)性。因此，最新研究可為量子信息和高溫超導(dǎo)技術(shù)提供平臺(tái)，促進(jìn)這兩大技術(shù)的發(fā)展，為計(jì)算、通信等領(lǐng)域的新技術(shù)打開(kāi)大門(mén)。