方景禮
(南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,江蘇 南京 210023)
目前在微電子領(lǐng)域的表面處理技術(shù)中,化學(xué)鍍鎳/金層以其價(jià)格適中、耐磨性好、分散能力強(qiáng)、可焊性好和多次焊接性能、良好的打線性能,能兼容多種助焊劑,能在多種類(lèi)型的基體,例如Al、Cu、Si、聚合物表面進(jìn)行鎳/金的沉積,同時(shí),它又是一種極好的銅面保護(hù)層。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品向輕、薄、短、小的方向發(fā)展,F(xiàn)1ip Chip(倒裝芯片封裝技術(shù))越來(lái)越得到重視。Flip Chip技術(shù)中的凸點(diǎn)制作工藝有多種,如通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍?cè)谛酒琁/O金屬墊上直接制作凸點(diǎn)。多數(shù)工藝則是先在I/O金屬墊上制作一金屬層,然后通過(guò)印刷錫膏或直接放置成型錫球的方法制作凸點(diǎn)?;瘜W(xué)鍍鎳金具有廉價(jià)和適用于Sn/Pb合金和粘合劑、良好的可焊性和阻擋擴(kuò)散性等優(yōu)點(diǎn),化學(xué)鍍鎳/金
在UBM技術(shù)中可以用作凸點(diǎn)的基底或作為凸點(diǎn)與導(dǎo)電粘結(jié)劑的連接。
化學(xué)鍍鎳/金鍍層可滿(mǎn)足更多種組裝要求,具有可焊接、可接觸導(dǎo)通、可打線、可散熱等功能,同時(shí)其板面平整、SMD(表面貼裝器件)焊盤(pán)平坦,適合于細(xì)密線路、細(xì)小焊盤(pán)的錫膏熔焊,能較好用于COB及BGA的制作,又是一種極好的銅面保護(hù)層。因此,化學(xué)鍍鎳/金工藝在印制線路板的制作上得到迅速推廣應(yīng)用[1]-[3]。
化學(xué)鍍鎳/置換鍍金的反應(yīng)式為:
Ni2P+4[Au(CN)2]-→4Au+P+2[Ni(CN)4]2-
金配離子腐蝕Ni-P合金產(chǎn)生金鍍層,殘留的P留在Au/Ni層之間造成“黑帶”,“黑墊”現(xiàn)象使焊接性能明顯降低(如圖1)。
圖1 化學(xué)鍍鎳金時(shí)形成的”黑帶”
隨著印制電路板和芯片上的線路設(shè)計(jì)更加復(fù)雜,線寬和線距更小,化學(xué)鍍鎳金過(guò)程中容易出現(xiàn)的問(wèn)題主要是鍍鎳金層出現(xiàn)滲漏問(wèn)題。尤其對(duì)超高密度線路板和芯片,由于化學(xué)鍍鎳時(shí)鈀活化劑易夾雜在兩線路之間,引起滲鍍或超鍍(over plating)或線路交聯(lián),使線路短路,造成產(chǎn)品報(bào)廢。
為了確定化學(xué)鍍鎳金工藝的使用極限線寬和線距,我們選用的CIS硅晶圓,表面已經(jīng)電鍍有銅層,線條寬為60 μm,線距分別為10 μm~60 μm的芯片來(lái)進(jìn)行化學(xué)鍍鎳,化學(xué)鍍鎳采用市售化學(xué)鎳/金用的化學(xué)鍍鎳用的各種溶液,所用工藝流程為:除油(45 ℃,2 min)→微蝕(室溫,1 min)→預(yù)浸(室溫,1 min)→鈀活化(室溫,3min)→后浸(室溫,2 min)→化學(xué)鍍鎳(82 ℃,15 min,pH4.4~4.8)。試驗(yàn)樣品為銅芯,線寬均60 μm,結(jié)果如圖2和圖3所示化鎳嚴(yán)重交聯(lián),這表明化學(xué)鍍鎳工藝的使用極限線寬和線距為60 μm以上。
圖2 芯片化學(xué)鍍鎳后的交聯(lián)情況
圖3 線寬線距為60 μm和60 μm的芯片化學(xué)鍍鎳后的交聯(lián)情況
目前超大規(guī)模集成電路(ULSI)和印制電路板所使用的金屬材料有銅或金等等。銅的成本價(jià)格低,導(dǎo)電性及熱導(dǎo)性?xún)?yōu)良,具有良好均勻性、致密性,但它也有許多缺點(diǎn),如易氧化,尤其是加熱時(shí)更易氧化,易與周?chē)沫h(huán)境發(fā)生反應(yīng),會(huì)和空氣中二氧化碳作用形成銅綠,與基體的粘附性差,易在硅中形成擴(kuò)散,在較低的溫度下就可以形成銅與硅的化合物。金鍍層具有耐色變性能好,同時(shí)具有耐腐蝕、耐磨損、抗氧化、接觸電阻低、可焊接性好、可熱壓鍵合等優(yōu)良性能,又可作為功能性、防護(hù)性鍍層,因而鍍金層也廣泛用于電子產(chǎn)品,但其成本價(jià)格高。銀鍍層反射率高,導(dǎo)電導(dǎo)熱性能優(yōu)良,焊接性能好,可熱壓鍵合,對(duì)高頻信號(hào)的損耗極小,它在硅中不易擴(kuò)散,易晶化,孔隙率小,可以避免使用阻擋層材料而增加工藝和成本,最主要的是銀具有金屬中最小的電阻率(1.61 μΩ.cm)[7],因此微堿性化學(xué)鍍銀能取代化學(xué)鎳金用于線寬線距<30 μm超高密度PCB和ULSI的新技術(shù)。
(1)符合表面終飾未來(lái)發(fā)展之必備要求;
(2)成本低;
(3)產(chǎn)品適用性廣,適于剛性和撓性印制板和芯片;
(4)工藝簡(jiǎn)單、操作溫度較低、時(shí)間短;
(5)IPC2003會(huì)議評(píng)比為信賴(lài)性最佳(72 ℃,RH85%,48周);
(6)導(dǎo)電性最佳,表面平整,無(wú)尖端發(fā)射問(wèn)題,有利于高速、高頻訊號(hào)發(fā)展;
(7)優(yōu)異的微盲孔覆蓋性;
(8)可打鋁線(Al wire bonding);
(9)適用于水平和垂直生產(chǎn)線使用;
(10)對(duì)超高密度線路不會(huì)發(fā)生交聯(lián)現(xiàn)象。
化學(xué)鍍銀采用的是我們專(zhuān)利的工藝與藥水[8],選用CIS硅晶圓,表面已經(jīng)電鍍有銅層,線條寬為60 μm,線距分別為10到60 μm的芯片來(lái)進(jìn)行化學(xué)鍍銀,所用工藝流程為:
除油(45 ℃,2 min)→微蝕(室溫,1 min)→稀硫酸洗(室溫,1min)→預(yù)浸銀(30 ℃,1 min,pH8.8-9.2)→浸銀(60 ℃,4 min,pH8.8~9.2),各步驟間有三次DI水洗。所得結(jié)果如圖4、圖5所示,均沒(méi)有交聯(lián)(如圖4、圖5)。
圖4 芯片化學(xué)鍍銀后的情況
圖5 線寬60 μm和線距20 μm的片化學(xué)鍍銀后沒(méi)有交聯(lián)
由圖可見(jiàn),線寬60 μm、線距在10~60 μm的超細(xì)線路經(jīng)化學(xué)鍍銀后外觀均勻、平整,都沒(méi)有交聯(lián)或漏鍍等現(xiàn)象。這表明化學(xué)鍍銀工藝適于線距小到10 μm的超高密度芯片和PCB的電鍍,是可取代化學(xué)鎳金用于線寬線距<30 μm超高密度PCB和ULS(其大規(guī)模集成電路)I的新技術(shù)。
(1)銀層在155 ℃烘烤后的可焊性(如圖6)。
圖6 銀層在155 ℃烘烤后的可焊性
(2)回流焊數(shù)次前后的可焊性(如圖7)。
圖7 銀層在回流焊數(shù)次后的可焊性
銀層在 Heller 回流焊機(jī)上重熔數(shù)次后的可焊性仍然優(yōu)異,超過(guò)了B公司銀層的水平,可焊性與 ENIG(化學(xué)鍍鎳金)相近,說(shuō)明化學(xué)鍍銀層具有優(yōu)良的焊接性能。
(1)銀層在155 ℃烘烤后的打線性能(如圖8)。
圖8 烘烤后的打線性能
(2)回流焊數(shù)次前后的打線性能(如圖9)。
圖9 回流焊數(shù)次后的打線性能
浸銀層在155 ℃下烘烤4 h前后的打線性能是優(yōu)良的,其效果與 ENIG 相當(dāng),浸銀層在通過(guò)3次回流焊后仍具有優(yōu)良的打線性能,其效果與ENIG 相當(dāng),說(shuō)明化學(xué)鍍銀層具有優(yōu)良的打線性能。
雖然厚度為0.2~0.3 μm的化學(xué)鍍銀層就可達(dá)到PCB化學(xué)鍍鎳金(4 μm Ni+0.1 μm Au)的焊接和打線性能,但為了進(jìn)一步提高化學(xué)鍍銀層的抗蝕性和抗氧化性能,增強(qiáng)打金線的強(qiáng)度,也可在0.2 μm化學(xué)鍍銀層上再鍍上0.05~0.1 μm的化學(xué)鍍金層.這樣形成的化學(xué)鍍銀/化學(xué)鍍金有如下的優(yōu)點(diǎn):
(1)化學(xué)鍍銀不需要鈀催化劑,不會(huì)出現(xiàn)超鍍或交聯(lián)現(xiàn)象,適于超高密度線路板和超大規(guī)模集成電路芯片的電鍍;
(2)化學(xué)鍍銀取代化學(xué)鍍鎳不會(huì)出現(xiàn)”黑墊”和”黑帶”,不會(huì)影響焊接性能;
(3)用化學(xué)鍍銀/化學(xué)鍍金取代電鍍鎳/金可以節(jié)約金的用量;
(4)化學(xué)鍍銀,化學(xué)鍍銀/化學(xué)鍍金的成本低于化學(xué)鍍鎳/置換鍍金、化學(xué)鍍鎳/化學(xué)鍍鈀/置換鍍金或電鍍鎳/金;
(5)化學(xué)鍍銀或化學(xué)鍍銀/化學(xué)鍍金可能是適于5G時(shí)代使用的新技術(shù),值得深入研究和開(kāi)發(fā)。