新型磁存儲器件有望解決AI“內(nèi)存瓶頸”

美國和意大利研究人員發(fā)表研究報告稱，他們開發(fā)出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲器件，其體積很小，耗能也非常低，很可能有助于解決目前人工智能（AI）發(fā)展所遭遇的“內(nèi)存瓶頸”問題。

在新研究中，研究團(tuán)隊(duì)使用了柱狀反鐵磁材料，這是以前科學(xué)家從未探索過的幾何形狀。研究表明，生長在重金屬層上的、直徑低至800納米的反鐵磁鉑錳（PtMn）柱，通過極低電流后可以在不同的磁態(tài)之間可逆地轉(zhuǎn)換。通過改變寫入電流的振幅，即可實(shí)現(xiàn)多級存儲特性。

研究人員指出，基于反鐵磁鉑錳柱制成的存儲器件體積僅為現(xiàn)有的基于反鐵磁材料存儲設(shè)備的1/10，而更重要的是，新型器件的制造方法與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造規(guī)范兼容，這意味著存儲設(shè)備制造商可以輕松采用新技術(shù)，而無需購買新設(shè)備。

研究人員指出，新型磁存儲器件很小，耗能很低，有望使反鐵磁存儲器走向?qū)嶋H應(yīng)用，并幫助解決AI的“內(nèi)存瓶頸”問題。目前，他們正努力尋求進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸，改善數(shù)據(jù)寫入耗能的方法，以盡快將新技術(shù)投入實(shí)際應(yīng)用。