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      提高PoE 供電系統(tǒng)雷擊浪涌防護可靠性的研究

      2020-06-09 07:52:38陶德彪蔡建華
      江蘇通信 2020年2期
      關(guān)鍵詞:浪涌終端設備以太網(wǎng)

      林 天 李 山 陶德彪 蔡建華

      中通維易科技服務有限公司

      0 引言

      隨著“寬帶中國”戰(zhàn)略的推進實施,我國正加快建設“光網(wǎng)城市”,打造“信息高速公路”,有效支撐“網(wǎng)絡強國”“數(shù)字中國”建設和數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展。為此,需要借助現(xiàn)有寬帶網(wǎng)絡,全面優(yōu)化無線終端設備接入FTTx 模式,獲取多樣化、個性化、安全穩(wěn)定的網(wǎng)絡服務,進一步提升寬帶用戶的體驗。

      為滿足不同場景無線覆蓋的需要,可以采用基于PoE(Power Over Ethernet)供電系統(tǒng)的智能AC(Access Controller)+AP(Access Point)組網(wǎng)的方式,實現(xiàn)“信號滿屋、無縫接入”,從而彌補信號覆蓋不完全的缺陷。無線終端接入設備的小型化導致PCB 空間越來越拮據(jù),其高度的集成化也暴露了抗干擾性越來越脆弱的缺陷,因此必須重視提升PoE 供電系統(tǒng)對雷擊浪涌的防護能力。

      1 雷電危害分析

      1.1 雷電的放電特性

      雷電的破壞作用主要是由雷電流引起的。雷電流在幾微秒內(nèi)由零突變到最大幅值,而電流幅值也在數(shù)十微秒內(nèi)急劇衰減下降,可見雷電流是一種幅值極大、作用時間極短的瞬變過程。在此過程中瞬間釋放出巨大的能量,對人、電子設備和建筑等都會造成極大危害。

      1.2 雷電流泄放路徑

      當雷擊發(fā)生在終端設備附近時,強大的雷電產(chǎn)生感應電流,通過傳輸信號線、設備間連接線和地埋電力線入侵,到達受電設備電源線并反擊到終端設備以太網(wǎng)接口、AP 以太網(wǎng)接口。由于計算機、PoE供電設備等都是浮地設備,當雷擊瞬間過電壓(過電流)超過設備端口設計的耐受水平時,極易過壓擊穿。感應電流從受電設備保護地線進行L-PE、N-PE 泄放大地;而局域網(wǎng)線則對邏輯地線等進行泄放。

      1.3 標準要求及試驗波形

      雷擊浪涌(沖擊)抗擾度是衡量電氣和電子設備對由于開關(guān)和雷電瞬變過電壓引起的單極性浪涌(沖擊)抗干擾的能力。建立統(tǒng)一的基準,用模擬雷擊干擾設備的方式來評價浪涌(沖擊)時的性能。作為基礎標準,GB/T 17626.5-2019《電磁兼容、試驗和測量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗》規(guī)定了試驗方法、測量技術(shù)和適用范圍等,具有系統(tǒng)性和指導性。作為產(chǎn)品標準,YD/T 993-2016《有線電信終端設備防雷技術(shù)要求及試驗方法》不僅專門針對有線電信終端設備浪涌抗擾度規(guī)定了具體技術(shù)要求和推薦了詳細的試驗程序,而且為有線電信終端雷電防護設計和雷擊過電壓(過電流)抗力試驗提供了重要技術(shù)依據(jù),具有針對性和可實施性。

      對電源適配器外部端口進行浪涌(沖擊)試驗。首先,在被測設備(EUT)阻抗未知時,由于在EUT 內(nèi)部存在沖擊保護元件,所以其動作后發(fā)生短路或起鉗位作用,或者絕緣閃絡、元器件擊穿等都會引起EUT 阻抗在沖擊作用下發(fā)生變化。其次,當EUT 處在由雷擊引起的電磁脈沖環(huán)境中時,沖擊電壓和沖擊電流之間會通過EUT 阻抗變化而相互轉(zhuǎn)化。由此可見,很難僅用單一沖擊電壓或沖擊電流來全面評價其性能。故采用1.2/50μs和8/20μs組合波,如圖1和圖2所示。即1.2/50μs為開路電壓波形,8/20μs 為短路電流波形。對于低阻抗EUT,組合波發(fā)生器模擬輸出8/20μs 波形,可作為沖擊電流發(fā)生器使用;對于高阻抗EUT,輸出1.2/50μs 波形,可作為沖擊電壓發(fā)生器。對通信端口RJ45以太網(wǎng)接口進行浪涌(沖擊)試驗,根據(jù)YD/T 993-2016標準,采用10/700μs 組合波發(fā)生器對其進行電壓等級浪涌試驗(浮地產(chǎn)品不做線-地浪涌試驗),如圖3 和圖4 所示。

      圖1 組合波發(fā)生器電路原理圖(1.2/50μs-8/20μs)

      圖2 1.2/50μs 開路電壓波形

      圖3 組合波發(fā)生器電路原理圖(10/700μs-5/320μs)

      圖4 開路電壓波形(10/700μs)

      2 浪涌防護原理及常用器件

      雷擊浪涌(沖擊)抗擾度作為EMC 重要的測試指標之一,通常運用EMC 三要素(電磁干擾源—耦合路徑—敏感源)使其無法形成有效干擾。對于雷擊浪涌,通過浪涌發(fā)生器輸出規(guī)定的波形,模擬確定的干擾源,經(jīng)線纜(電路)或空間等耦合路徑,傳導至接口芯片(器件)或疊加部分控制信號等敏感源。在所有EMC 測試項目中,浪涌(沖擊)具有速率較低的特點,常用的測試波形有1.2/50μs、8/20μs 和10/700μs,都是μs 級的波形,其高頻分量干擾也相對較小。通過利用電路中“疏”和“堵”兩種方式的浪涌保護設計思路來解決泄放路徑問題。“疏”的方式就是利用氣體放電管(GDT)、半導體放電管(TSS)、瞬態(tài)抑制二極管(TVS)等保護器件提供較低的阻抗回路,引導浪涌能量疏通泄放到大地,而在電路中并聯(lián)電容也能起到“疏”的作用;對于“堵”的方式,一般是采用電氣隔離的方法,如隔離變壓器、電感、電阻和串聯(lián)電容等器件,浪涌能量得到有效隔離,阻止傳導至后級電路。

      3 試驗問題分析及措施

      3.1 試驗測量

      YD/T 993-2016 標準規(guī)定了雷擊浪涌(沖擊)抗擾度試驗等級為電源適配器交流端口L-N 和L、N-PE 均為6kV,波形為1.2/50μs、8/20μs 組合波,正負各5 次;通信端口RJ45 以太網(wǎng)接口縱向、橫向均為1.5kV,波形為10/700μs,正負各5次。結(jié)合GB/T 17626.5-2008 標準,對雷擊浪涌(沖擊)干擾進行相關(guān)試驗。試驗布置如圖5 所示。

      圖5 浪涌施加到電源的原理圖和實物接線圖

      3.2 試驗儀器

      多功能雷擊浪涌發(fā)生器,SG-5010G,蘇州泰思特電子科技有限公司;全自動沖擊電流模擬器,S10C20,蘇州泰思特電子科技有限公司;數(shù)字存儲示波器,DSOX4104A,KEYSIGHT 公司;數(shù)字萬用表,F(xiàn)LUKE233,F(xiàn)LUKE 公司。

      3.3 結(jié)果分析

      通過2017 年廣東電信智能組網(wǎng)設備AC+面板AP 產(chǎn)品招標評價檢測發(fā)現(xiàn),雷擊浪涌項目通過率不足20%。表1、表2 和表3 為具體測試結(jié)果,A-G 表示廠家。廠家A、B、D、E、F、G 提供的待測設備為AC+PoE 交換機一體化終端設備;廠家C 提供的待測設備為AC+PoE 交換機分體式終端設備。其中,B 和G 電源適配器交流端口未能通過差模干擾試驗。G 網(wǎng)絡側(cè)WAN 接口未能通過橫向試驗。A、D 和E 用戶側(cè)LAN 接口(PoE)未能通過橫向試驗。H 的AP 面板網(wǎng)絡側(cè)WAN 接口未能通過橫向試驗。測試樣品在雷擊浪涌(沖擊)測試過程中發(fā)生不同程度的雷擊損壞,如電源適配器內(nèi)壓敏電阻(MOV)擊穿、通信端口RJ45 以太網(wǎng)接口炸裂、后級控制電路損壞等。

      經(jīng)查看B 和G 電源適配器內(nèi)部電路并測量,發(fā)現(xiàn)電路上B 設置延時保險熔斷;G 設置延時保險未損壞,但與其并聯(lián)壓敏電阻失效。對于通信端口RJ45 以太網(wǎng)接口,一類是未采取特殊雷擊防護措施,完全依賴隔離變壓器的絕緣強度,出現(xiàn)擊穿或電痕現(xiàn)象;另一類是發(fā)生在第二級防護電路中,TVS 因過電流而燒毀損壞。

      表1 AC 設備測試結(jié)果

      表2 AP 面板測試結(jié)果

      表3 PoE 交換機測試結(jié)果

      3.4 措施及建議

      對于交流電源端口,合理設置熔斷型保險絲,確保浪涌瞬間大電流不動作。其后直接使用MOV 也會存在老化和起火的風險。因此,在交流電源端口,采用GDT 與MOV 串聯(lián),以便延長MOV 的使用壽命。當雷擊浪涌要求較高時,相應MOV 殘壓較高,當后級整流橋或場效應管(MOSFET)耐壓較低時,有可能導致整流橋或MOSFET 失效,可采用差模兩極防護方式,如圖6 所示,即在整流橋后再增加一個MOV或共模電感上并聯(lián)放電管,進一步抑制過電壓的沖擊,使其提高抗干擾能力。

      圖6 增強型抑制過電壓電路

      對于RJ45 以太網(wǎng)接口,PSE 端:PSE 芯片對以太網(wǎng)供電的管理主要是通過一個MOS 管(外置或內(nèi)置)來實現(xiàn)的。通常MOS 管的體二極管對產(chǎn)品的雷擊性能會有很大的影響,特別是PSE 芯片在PSE-N 線對機殼地打負向浪涌時特別容易損壞。那么,在PSE-N 線上加一個反向二極管,不會影響到PSE 芯片的正常工作,卻能阻斷浪涌通過體二極管的這條路徑,避免MOS 或者PSE 芯片損壞。PD 端:采用多級保護電路進行防雷,主要在以太網(wǎng)接口處采用半導體放電管(TSS)進行差模和共模保護;相比其他TSS 具有響應速度更快、電氣特性穩(wěn)定、通流量較低、長期可靠性等優(yōu)點;可在納秒級時間內(nèi)將電壓鉗位于比擊穿電壓更低的水平。在網(wǎng)絡芯片與網(wǎng)絡變壓器之間的信號線上加載ESD 器件,確保消除或降低通過網(wǎng)絡變壓器耦合到后端電壓的影響。

      4 總結(jié)

      在網(wǎng)使用未做防護或防護不合理的終端設備,都將面臨遭受雷擊損壞的風險,降低在網(wǎng)運行設備的安全性和穩(wěn)定性。結(jié)合GB/T 17626.5-2008 和YD/T 993-2016 標準,運用EMC三要素(干擾源—耦合路徑—敏感源)多途徑阻斷控制,使其無法形成有效干擾。確保在網(wǎng)運行的終端設備對雷擊浪涌(沖擊)防護留有足夠的裕量,根據(jù)實際需求可增加試驗電壓,以便適用于高雷暴日下的雷擊浪涌環(huán)境。

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