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      基于Multisim的晶體管輸入特性仿真研究

      2020-08-06 15:00賈哲
      卷宗 2020年15期
      關(guān)鍵詞:電路仿真晶體管

      摘 要:應(yīng)用Multisim仿真軟件,采用虛擬示波器測(cè)量和掃描分析功能兩種方式仿真晶體管輸入特性曲線。在晶體管輸入特性曲線教學(xué)過(guò)程中通過(guò)仿真的使用,促進(jìn)了學(xué)生對(duì)知識(shí)點(diǎn)的掌握和理解,提高了學(xué)習(xí)電子技術(shù)的興趣。

      關(guān)鍵詞:Multisim;電路仿真;晶體管;輸入特性曲線

      1 引言

      Multisim是美國(guó)國(guó)家儀器(NI)有限公司推出的以Windows為基礎(chǔ)的一個(gè)專門(mén)用于電子電路仿真與設(shè)計(jì)的EDA工具軟件。該軟件以圖形界面為主,用可以根據(jù)自己的習(xí)慣和熟悉程度來(lái)使用[1].利用Multisim軟件構(gòu)建電路,不僅操作簡(jiǎn)單,而且能直觀地觀察電路的運(yùn)行結(jié)果。晶體管的特性曲線是描述晶體管各極的電壓和電流變化關(guān)系的曲線,是分析電子技術(shù)中晶體管電路的依據(jù),是圖解分析法的基礎(chǔ)。一些重要參數(shù)也均可以從特性曲線上反映出來(lái),分析晶體管工作狀態(tài)或其電路時(shí)了解其特性曲線是很重要的。晶體管的特性曲線主要有輸入特性曲線和輸出特性曲線兩種,在以往教學(xué)或?qū)嶒?yàn)中通常采用的逐點(diǎn)測(cè)量畫(huà)出曲線,操作或演示較為繁瑣;本文將應(yīng)用Multisim軟件分析晶體管輸入特性曲線,調(diào)整參數(shù)方便,測(cè)量效率高,可快速得到晶體管輸入特性曲線。

      2 虛擬示波器測(cè)量方式仿真輸入特性曲線

      選用教材中給出的晶體管輸入特性曲線逐點(diǎn)描繪法測(cè)試電路,通過(guò)調(diào)節(jié)電路中的E1、E2、Rp1和Rp,可測(cè)量得到輸入特性曲線。但采用這種方法仿真測(cè)試,調(diào)整過(guò)程較為繁瑣,得出數(shù)據(jù)后,還需描點(diǎn)繪制,效率較低,不利于課堂教學(xué)演示。故在教學(xué)仿真演示過(guò)程中,對(duì)此電路進(jìn)行了改進(jìn),改進(jìn)后的電路如圖1所示,選擇示波器A通道觀測(cè)Rb兩端的電壓,B通道觀測(cè)晶體管的基射電壓uBE。由于A通道為Rb兩端的電壓,而Rb又設(shè)置為10千歐,流過(guò)它的電流全部流入基極,故測(cè)量所得的Rb電壓相當(dāng)于iB,但是為Rb電壓的0.0001倍。

      晶體管的集電極和發(fā)射極直接連接UCC電源,電壓被設(shè)置成固定值,此時(shí)uCE=0V。打開(kāi)電源和示波器,并將示波器的時(shí)基工作方式切換到“A/B”工作方式,此時(shí)相當(dāng)于縱軸為iB,橫軸為uBE,調(diào)整示波器的相關(guān)參數(shù),顯示出合適的圖形。此時(shí)顯示的曲線就是晶體管在uCE=0V時(shí)的輸入特性曲線,它類似于二極管的正向特性曲線,并與教材中給出的輸入特性曲線相一致。而后在課堂上設(shè)置疑問(wèn),提問(wèn)在uCE為其他電壓時(shí),輸入特性曲線會(huì)有所變化嗎,顯然需要測(cè)量得到。分別設(shè)置UCC=0.5V,UCC=0.5V,即uCE=0.5V,uCE=1V,同樣的方法可得到輸入特性曲線。引導(dǎo)學(xué)生對(duì)比曲線,其發(fā)現(xiàn)在電壓增加時(shí),曲線會(huì)右移;可進(jìn)一步設(shè)置疑問(wèn),在uCE增大時(shí),曲線會(huì)一直右移嗎。將uCE設(shè)置大于1V不同的數(shù)值后,發(fā)現(xiàn)測(cè)得的輸入特性曲線和uCE=1V的那一條非常接近。

      3 直流掃描分析仿真輸入特性曲線

      Multisim除了可利用其提供的各種虛擬儀器進(jìn)行仿真測(cè)試外,還提供了電路分析功能,可對(duì)電路的設(shè)計(jì)等進(jìn)一步的分析和仿真,如電路的瞬態(tài)分析,直流掃描分析,溫度掃描分析,時(shí)域和頻域分析,噪聲和失真分析等[2]。使用虛擬示波器仿真輸入特性曲線時(shí),把電源頻率設(shè)置為較低值時(shí),可展示出曲線的形成過(guò)程,較為形象直觀。但采用這種測(cè)量方法的前提是學(xué)生要了解測(cè)量的依據(jù)和原理,對(duì)部分學(xué)生來(lái)說(shuō)理解起來(lái)有一定的難度,故可采用分析功能中直流掃描分析來(lái)得到晶體管的輸入特性曲線。

      將圖1仿真電路中的Rb去掉(用導(dǎo)線連接),對(duì)電路進(jìn)行直流掃描分析,具體參數(shù)設(shè)置如圖2所示。電源1選擇為UBB,設(shè)置0至1V變化,變化增量為0.05V,電源2選擇為UCC,設(shè)置0至3V變化,變化增量為0.5V。輸出選擇為iB,掃描分析后可直接得到7條不同uCE數(shù)值下的晶體管的輸入特性曲線。通過(guò)直流掃描分析可在一幅圖中仿真出多條不同uCE數(shù)值的曲線,教學(xué)中對(duì)比分析起來(lái)更加簡(jiǎn)便直觀,學(xué)生能較為快速的發(fā)現(xiàn)和掌握輸入特性曲線的特點(diǎn)。

      4 溫度對(duì)輸入特性曲線的影響

      在分析完輸入特性曲線的特點(diǎn)后,應(yīng)用溫度掃描功能可進(jìn)一步分析溫度對(duì)晶體管輸入特性曲線的影響??蓪D中的UBB改為大小為20μA的恒流源,UCC設(shè)置為5V,掃描分析中溫度參數(shù)設(shè)置為0℃—50℃變化,每10℃分析一次,可得到不同溫度下uBE的數(shù)值和曲線,具體數(shù)值如表1所示。根據(jù)此表格,顯而易見(jiàn)地可看出此晶體管在溫度每升高10℃時(shí),uBE下降9mV。更換其他類型晶體管和改變電流參數(shù)后,uBE下降數(shù)值略有變化。因此,通過(guò)觀察表格,對(duì)比數(shù)據(jù),可快速總結(jié)出在相同的iB下,溫度升高時(shí),uBE會(huì)略有減小,相應(yīng)地輸入特性曲線會(huì)發(fā)生左移。

      5 結(jié)語(yǔ)

      在晶體管輸入特性曲線教學(xué)中,應(yīng)用Multisim仿真軟件分析,能快速地得到晶體管輸入特性曲線,便于分析觀察,提高了學(xué)生的課堂參與熱情,引發(fā)了他們的思考,加深了其對(duì)電子技術(shù)課程內(nèi)容的掌握。

      參考文獻(xiàn)

      [1]韓新風(fēng).Multisim軟件在任意N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J].吉首大學(xué)學(xué)報(bào),2019.

      [2]馬捷.基于Proteus與Multisim的晶體管輸出特性仿真研究[J].儀表技術(shù),2014.

      作者簡(jiǎn)介

      賈哲(1980-),男,火箭軍士官學(xué)校,教師。

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