王 玲,熊雨婷,崔兆純,賈藍(lán)波,范晨子,劉淑賢,聶軼苗
(1.華北理工大學(xué)礦業(yè)工程學(xué)院,河北省礦業(yè)開發(fā)與安全技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,河北唐山063210;2.國(guó)家地質(zhì)實(shí)驗(yàn)測(cè)試中心)
超細(xì)二氧化硅具有親水性、補(bǔ)強(qiáng)性、增稠性及防粘結(jié)性等特性,廣泛應(yīng)用于橡膠、涂料、醫(yī)藥、油墨等領(lǐng)域[1]。然而超細(xì)二氧化硅表面羥基的存在是影響其與有機(jī)基體結(jié)合的主要因素之一[2]。尤其采用硅酸鹽礦物酸法直接制備的超細(xì)二氧化硅產(chǎn)品,雖然生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、能耗低、產(chǎn)品附加值高,大大降低了超細(xì)二氧化硅的生產(chǎn)成本,但是產(chǎn)品表面羥基鍵合嚴(yán)重、分散性能差、易團(tuán)聚,大大限制了其發(fā)展[3]。因此,在超細(xì)二氧化硅的應(yīng)用研究中表面改性是極為重要的步驟。在粉體表面改性中,硅烷偶聯(lián)劑是較為常見(jiàn)的一種表面改性劑,可用于許多無(wú)機(jī)礦物填料或顏料的表面處理,尤其對(duì)含硅酸成分較多的石英粉、白炭黑等的效果最好[4]。筆者以橄欖石直接酸溶制備的超細(xì)二氧化硅為原料,采用硅烷偶聯(lián)劑對(duì)其進(jìn)行改性研究,探討其改性效果。
超細(xì)二氧化硅由橄欖石酸溶自制[5-6]:常壓下將粒度為0.074 mm 的橄欖石在液固體積質(zhì)量比為20 mL/g、反應(yīng)溫度為90 ℃、攪拌轉(zhuǎn)速為500 r/min、加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%的聚乙二醇-6000 條件下,在4 mol/L 的硫酸溶液中浸出反應(yīng)4 h,然后過(guò)濾、水洗、干燥,得到白色粉末,即為超細(xì)二氧化硅,密封備用。化學(xué)藥劑主要為市售無(wú)水乙醇、KH-550、KH-560、KH-570;去離子水。儀器主要包括恒溫磁力攪拌器、電子天平、電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱和真空泵。
取30 mL 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90%的乙醇溶液置于100 mL 三角瓶中,加入一定量硅烷偶聯(lián)劑。三角瓶恒溫水浴置于磁力攪拌器上,安裝好冷凝回流裝置。磁力攪拌一段時(shí)間后加入1 g 超細(xì)二氧化硅,改性反應(yīng)一定的時(shí)間。反應(yīng)結(jié)束后用無(wú)水乙醇多次洗滌、抽濾,烘干,待測(cè)。
超細(xì)二氧化硅表面羥基數(shù)測(cè)量: 稱取2 g 改性二氧化硅置于200 mL 燒杯中,用25 mL 無(wú)水乙醇潤(rùn)濕,加入75 mL NaCl 溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%),用磁力攪拌器攪拌均勻,向燒杯中緩慢滴加HCl 溶液(0.1 mol/L)調(diào)節(jié)溶液pH 至4.0,再緩慢滴加NaOH溶液(0.1 mol/L)調(diào)節(jié)溶液pH 至9.0,根據(jù)式(1)計(jì)算超細(xì)二氧化硅表面羥基數(shù)(n,個(gè)/g)[7]。
式中:c 為NaOH 溶液濃度,0.1 mol/L;V 為pH 從4.0升到9.0 所消耗NaOH 溶液體積,mL;NA為阿伏加德羅常數(shù),6.02×1023,mol-1;m 為超細(xì)二氧化硅質(zhì)量,g。
改性二氧化硅接枝率計(jì)算: 利用改性前后超細(xì)二氧化硅的熱失重曲線根據(jù)式(2)計(jì)算接枝率[8]。
式中:m1、m2為改性后和改性前超細(xì)二氧化硅質(zhì)量損失,g;m1-m2即為超細(xì)二氧化硅表面改性劑接枝量,g;m總為熱重分析前超細(xì)二氧化硅質(zhì)量,g。
利用HCT-3 型微機(jī)差熱天平測(cè)定超細(xì)二氧化硅在常壓下的熱失重(TG-DTA)曲線;利用CA-100B 型接觸角測(cè)量?jī)x測(cè)定樣品的接觸角; 利用FTIR-8400S 型紅外光譜儀(FT-IR)對(duì)改性前后樣品的表面特征基團(tuán)進(jìn)行分析; 利用NKT6100-D 型激光粒度分析儀對(duì)樣品的粒徑分布進(jìn)行測(cè)定。
2.1.1 硅烷偶聯(lián)劑品種的影響
在改性時(shí)間為2 h、改性溫度為60 ℃、改性劑用量為1.5 mL/g 條件下,采用不同品種的硅烷偶聯(lián)劑KH-550、KH-560、KH-570 對(duì)二氧化硅進(jìn)行改性實(shí)驗(yàn)。圖1a 為不同種類硅烷偶聯(lián)劑改性二氧化硅的表面羥基數(shù),未改性二氧化硅表面羥基數(shù)高達(dá)4.82×1020個(gè)/g,經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑處理二氧化硅表面羥基數(shù)明顯減少,其中經(jīng)KH-550 處理的二氧化硅表面羥基數(shù)為4.02×1020個(gè)/g,減少最多。圖1b 為不同種類硅烷偶聯(lián)劑改性二氧化硅的熱重分析曲線,20~150 ℃的質(zhì)量損失為二氧化硅脫除吸附水,200~400 ℃的質(zhì)量損失為硅烷偶聯(lián)劑分解,500 ℃后樣品的質(zhì)量基本保持不變; 未改性二氧化硅在200~400 ℃也出現(xiàn)質(zhì)量損失,為橄欖石酸溶制備二氧化硅過(guò)程中加入分散劑的質(zhì)量損失。圖1c 為不同種類硅烷偶聯(lián)劑改性二氧化硅的表面接枝率,KH-550 改性后的二氧化硅表面接枝率最高,達(dá)到4.42%;KH-560、KH-570 改性后的二氧化硅表面接枝率稍低,為1.50%~1.60%。接枝率越高,超細(xì)二氧化硅表面的羥基數(shù)越少。圖1d 為不同硅烷偶聯(lián)劑改性二氧化硅的接觸角,其結(jié)果與表面羥基含量及接枝率分析結(jié)果一致。未改性二氧化硅接觸角僅為10.49°,親水性強(qiáng);改性后二氧化硅親水性明顯改善,尤其經(jīng)KH-550 改性后接觸角可達(dá)36.22°。后續(xù)實(shí)驗(yàn)以KH-550 為改性劑。
圖1 硅烷偶聯(lián)劑品種對(duì)二氧化硅改性效果的影響
2.1.2 改性時(shí)間的影響
在改性溫度為60 ℃、KH-550 用量為1.5 mL/g條件下,考察改性時(shí)間對(duì)二氧化硅改性效果的影響。圖2a 為不同改性時(shí)間改性二氧化硅的表面羥基數(shù),隨著改性時(shí)間延長(zhǎng)二氧化硅表面羥基數(shù)顯著減少,改性5 h 表面羥基數(shù)減少至3.40×1020個(gè)/g,繼續(xù)延長(zhǎng)改性時(shí)間表面羥基數(shù)減少趨勢(shì)變緩。這是因?yàn)?,利用硅烷偶?lián)劑改性二氧化硅,實(shí)際是硅烷偶聯(lián)劑水解產(chǎn)物與二氧化硅表面羥基發(fā)生脫水縮合反應(yīng)從而實(shí)現(xiàn)二氧化硅表面改性;在改性反應(yīng)起始階段KH-550 水解較少,體系中能與—OH 反應(yīng)的水解產(chǎn)物較少,二氧化硅改性效果較差;隨著反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng),大量硅烷偶聯(lián)劑水解,反應(yīng)速率增大,二氧化硅表面羥基數(shù)顯著減少[9];一定時(shí)間后反應(yīng)趨于飽和,二氧化硅表面羥基數(shù)減少趨勢(shì)變緩。圖2b 為不同改性時(shí)間改性二氧化硅的熱重分析曲線,并計(jì)算其接枝率(見(jiàn)圖2c)。由圖2c 看出,隨著改性時(shí)間增加二氧化硅的表面接枝率顯著提高,改性時(shí)間由2 h 增加到5 h時(shí),二氧化硅的表面接枝率由4.42%升高到5.20%;繼續(xù)延長(zhǎng)改性時(shí)間接枝率變化不大,與前述改性時(shí)間對(duì)表面羥基數(shù)的影響一致。進(jìn)一步對(duì)不同改性時(shí)間改性二氧化硅的接觸角進(jìn)行分析,結(jié)果見(jiàn)圖2d,當(dāng)改性時(shí)間從2 h 延長(zhǎng)到5 h 時(shí),二氧化硅的接觸角顯著增大,在5 h 時(shí)達(dá)到55.10°;繼續(xù)延長(zhǎng)改性時(shí)間,接觸角變化不大。后續(xù)實(shí)驗(yàn)二氧化硅的改性時(shí)間為5 h。
圖2 改性時(shí)間對(duì)二氧化硅改性效果的影響
2.1.3 改性劑用量的影響
在改性時(shí)間為5 h、改性溫度為60 ℃條件下,考察改性劑KH-550 用量對(duì)二氧化硅改性效果的影響。圖3a 為不同KH-550 用量改性二氧化硅的表面羥基數(shù),隨著KH-550 用量逐漸加大,二氧化硅表面羥基數(shù)顯著減少,當(dāng)改性劑用量達(dá)到6 mL/g 時(shí),二氧化硅表面羥基數(shù)減少至2.27×1020個(gè)/g;繼續(xù)增加改性劑用量,二氧化硅表面羥基數(shù)變化不大。這是因?yàn)?,一定量的二氧化硅其表面硅羥基數(shù)量是一定的,當(dāng)—OH 與KH-550 反應(yīng)飽和后改性效果即不再發(fā)生明顯變化[9]。對(duì)不同改性劑用量下的二氧化硅進(jìn)行熱重分析(圖3b)并計(jì)算其接枝率(見(jiàn)圖3c)。由圖3c 看出,隨著KH-550 用量增加二氧化硅表面接枝率顯著升高,當(dāng)改性劑用量由1.5 mL/g 增加至6 mL/g時(shí),二氧化硅表面接枝率由5.19%提高到7.74%;繼續(xù)增加KH-550 用量,二氧化硅表面接枝率變化不大,與前述改性劑用量對(duì)表面羥基的影響一致。進(jìn)一步對(duì)不同改性劑用量改性的二氧化硅接觸角進(jìn)行分析,結(jié)果見(jiàn)圖3d,隨著改性劑用量增加二氧化硅接觸角顯著增大,在改性劑用量為6 mL/g 時(shí)二氧化硅接觸角達(dá)到90.50°;繼續(xù)增加改性劑用量,二氧化硅接觸角變化不大。后續(xù)實(shí)驗(yàn)改性劑用量為6 mL/g。
圖3 KH-550 用量對(duì)二氧化硅改性效果的影響
2.1.4 改性溫度的影響
在改性時(shí)間為5 h、KH-550 用量6 mL/g 條件下,考察改性溫度對(duì)二氧化硅改性效果的影響。圖4a 為改性溫度對(duì)二氧化硅表面羥基數(shù)的影響,在改性溫度低于75 ℃時(shí),隨著改性溫度升高二氧化硅表面羥基數(shù)顯著減少,75 ℃時(shí)二氧化硅表面羥基數(shù)減少至2.08×1020個(gè)/g;繼續(xù)升高溫度,二氧化硅表面羥基數(shù)則表現(xiàn)為升高趨勢(shì)。這是因?yàn)?,在改性溫度較低時(shí)KH-550 與二氧化硅表面羥基以物理吸附為主;而溫度較高時(shí)KH-550 與二氧化硅表面羥基之間以化學(xué)反應(yīng)為主,且化學(xué)平衡主要向反方向進(jìn)行;并且改性溶劑乙醇水溶液在溫度較高時(shí)處于蒸發(fā)-凝結(jié)狀態(tài),不利于二氧化硅的改性[10]。對(duì)不同改性溫度下的二氧化硅進(jìn)行熱重分析(見(jiàn)圖4b)并計(jì)算其接枝率(見(jiàn)圖4c)。由圖4c 看出,在較低改性溫度下二氧化硅接枝率較低,隨著溫度升高接枝率顯著增加;當(dāng)改性溫度為75 ℃時(shí)接枝率達(dá)到最大,為8.35%;繼續(xù)升高反應(yīng)溫度二氧化硅接枝率有下降趨勢(shì)。進(jìn)一步對(duì)不同改性溫度下二氧化硅的接觸角進(jìn)行分析,結(jié)果見(jiàn)圖4d,當(dāng)改性溫度從30 ℃上升到75 ℃時(shí)二氧化硅接觸角顯著增大,在75 ℃時(shí)達(dá)到最大值101.51°;繼續(xù)提高改性溫度,二氧化硅接觸角則表現(xiàn)為降低趨勢(shì)。后續(xù)實(shí)驗(yàn)二氧化硅改性溫度為75 ℃。
圖4 改性溫度對(duì)二氧化硅改性效果的影響
2.2.1 FT-IR 表征
利用FT-IR 對(duì)改性前后二氧化硅進(jìn)行表征,結(jié)果見(jiàn)圖5。3422 cm-1處為硅羥基和結(jié)合水中—OH的伸縮振動(dòng)吸收峰,2929、2882、1464 cm-1處為C—H 的伸縮振動(dòng)峰和面內(nèi)彎曲振動(dòng)峰,1640 cm-1處為二氧化硅中游離水分子H—O—H 的彎曲振動(dòng)吸收峰,1081 cm-1處為Si—O—Si 的反對(duì)稱伸縮振動(dòng)吸收峰,952 cm-1處為—Si—OH 的彎曲振動(dòng)吸收峰,800 cm-1處為—Si—O—Si 的對(duì)稱伸縮振動(dòng)吸收峰,465 cm-1處為—Si—O—Si—的彎曲振動(dòng)吸收峰[11]。改性二氧化硅FT-IR 圖在1516 cm-1附近出現(xiàn)了新的吸收峰,為改性劑KH-550 中氨基的N—H變形振動(dòng)吸收峰;在1000~1100 cm-1處出現(xiàn)極寬峰,為C—N 鍵伸縮振動(dòng)峰[11],說(shuō)明KH-550 成功接枝在二氧化硅表面。
圖5 改性前后二氧化硅FT-IR 圖
2.2.2 粒徑分析
對(duì)改性前后二氧化硅的粒度分布進(jìn)行分析,結(jié)果見(jiàn)圖6。改性前后SiO2的粒徑分布基本相同,表明采用KH-550 對(duì)二氧化硅進(jìn)行表面改性,改性過(guò)程對(duì)二氧化硅的粒徑分布基本無(wú)影響。
圖6 改性前后二氧化硅粒徑分布
1)探討了硅烷偶聯(lián)劑品種、改性時(shí)間、改性劑用量及改性溫度等因素對(duì)橄欖石酸溶制備的超細(xì)二氧化硅改性效果的影響,得到最佳改性條件:硅烷偶聯(lián)劑KH-550 加入量為6 mL/g,改性時(shí)間為5 h,改性溫度為75 ℃。2)采用KH-550 對(duì)橄欖石酸溶制備的超細(xì)二氧化硅進(jìn)行改性,表面羥基數(shù)可減少至2.08×1020個(gè)/g、接枝率為8.35%、接觸角達(dá)到101.51°,可極大地提高超細(xì)二氧化硅的表面疏水性。