Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀及其應(yīng)用

江 濤，韓慢慢，付 甲

(西安石油大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，陜西 西安 710065)

0 引言

Mo-Si 金屬間化合物材料具有很多優(yōu)質(zhì)性能。其具有較高的力學(xué)性能，良好的耐磨損性能、導(dǎo)電性能和抗高溫氧化性能等，主要包括Mo3Si，Mo5Si3，MoSi2。將Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷材料相復(fù)合制備Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料。其具有較高的力學(xué)性能和良好的耐磨損性能、抗高溫氧化性能以及優(yōu)良的耐腐蝕性能等。本文闡述了Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀、制備工藝、顯微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、耐磨損性能和抗氧化性能等，并對(duì)Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析和預(yù)測(cè)。

1 Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的制備技術(shù)

由于Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷材料均具有優(yōu)良的性能，而且Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷材料相容性良好。所以，可以將Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷材料相復(fù)合制備Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料。Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的制備工藝主要采用粉末冶金工藝進(jìn)行制備。其中，粉末冶金工藝主要包括熱壓燒結(jié)工藝、常壓燒結(jié)工藝、放電等離子燒結(jié)工藝，熱等靜壓燒結(jié)工藝，反應(yīng)燒結(jié)工藝，原位反應(yīng)制備工藝等。還可以采用自蔓延高溫合成工藝進(jìn)行制備復(fù)合材料。

2 Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

2.1 Mo-Si/Si3N4復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

Singh 等[1]采用機(jī)械合金化工藝球磨Mo 粉末和Si3N4粉末原位反應(yīng)制備出Si3N4-MoSi2復(fù)合材料，并研究球磨能量對(duì)機(jī)械活化(Mo+Si3N4)粉末的影響。嘗試從Mo 和Si3N4之間的反應(yīng)制備MoSi2過(guò)程研究機(jī)械活化過(guò)程中球磨能量和研磨介質(zhì)的類型，鉬粉末和氮化硅粉末的混合物按摩爾比例為1∶1，1∶2 和1∶3 進(jìn)行機(jī)械球磨。使用WC，鋼和氧化鋯研磨介質(zhì)的機(jī)械活化過(guò)程，評(píng)估這些球磨粉末混合物的高能球磨和熱解后獲得的結(jié)果。對(duì)Mo+xSi3N4(x=3,2,1)粉末混合物使用WC 研磨介質(zhì)機(jī)械活化所需的最佳球磨沖擊能量較小從而導(dǎo)致了樣品熱解溫度下降。Singh 等[2]采用機(jī)械活化Mo 粉末和Si3N4粉末原位合成Si3N4-MoSi2復(fù)合材料，并研究原位合成工藝制備的 Si3N4-MoSi2復(fù)合材料的制備工藝，物相組成，顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能等。鉬粉末和氮化硅粉末的混合物在摩爾比例為1∶3 時(shí)，通過(guò)高能球磨0 h—100 h 進(jìn)行機(jī)械活化，觀察到球磨過(guò)程中沒(méi)有MoSi2的形成。差熱分析(DTA)和熱重分析(TGA)結(jié)果表明，隨著球磨時(shí)間的增加，Mo 和Si3N4之間發(fā)生反應(yīng)。球磨后的粉末混合物在不同溫度下（1000 ℃和1400 ℃）之間的原位反應(yīng)合成Si3N4-MoSi2復(fù)合材料。觀察到在10 h—100 h 球磨后的Mo 樣品在1400 ℃熱解后完全轉(zhuǎn)化成了MoSi2。在未球磨的Mo 樣品中，較低含量鉬的硅化物Mo5Si3被檢測(cè)到。在機(jī)械活化10 h 球磨后的樣品在1400 ℃反應(yīng)1 h 后，沒(méi)有形成Mo5Si3。熱解樣品MoSi2衍射峰的強(qiáng)度隨著球磨時(shí)間的增加而增強(qiáng)。在熱解樣品中可以觀察到納米和亞微米尺寸的MoSi2粒子均勻分布在Si3N4基體中。袁磊等[3]研究了Mo 粉加入量對(duì)反應(yīng)燒結(jié)MoSi2-Si3N4-BN 復(fù)合材料的力學(xué)性能的影響。采用反應(yīng)燒結(jié)法于1450 ℃氮?dú)鈿夥障卤? h，原位合成了MoSi2-Si3N4-BN 復(fù)合材料。研究了Mo 粉加入量對(duì)MoSi2-Si3N4-BN 復(fù)合材料的顯氣孔率、體積密度和抗彎強(qiáng)度的影響，利用X-射線衍射研究了 Mo 粉末不同加入量下MoSi2-Si3N4-BN 復(fù)合材料的物相組成，并利用掃描電鏡對(duì)MoSi2-Si3N4-BN 復(fù)合材料的表面和斷面形貌進(jìn)行了觀察和分析，同時(shí)探討了Mo5Si3的形成機(jī)理。

2.2 Mo-Si/SiC 復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

Subrahmanyam 等[4]研究了燃燒合成制備的MoSi2-SiC 復(fù)合材料的熱化學(xué)分析、物相組成、顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能等。對(duì)自蔓延高溫合成SiC 顆粒增強(qiáng)MoSi2基復(fù)合材料進(jìn)行熱化學(xué)計(jì)算。可以通過(guò)自蔓延反應(yīng)采用鉬粉末、Si 粉末、C 粉末制備MoSi2-SiC 復(fù)合材料。在反應(yīng)不同初始溫度形成MoSi2-SiC 復(fù)合材料并計(jì)算絕熱溫度。計(jì)算在不同溫度和摩爾比例時(shí)，形成 MoSi2液相量。Hambartsumyan 等[5]研究了Mo-Si-C-催化劑的活化燃燒特征，并制備出MoSi2-SiC 復(fù)合粉末且研究MoSi2-SiC 復(fù)合粉末的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)。在很寬的范圍內(nèi)對(duì)化學(xué)成分的激活，通過(guò)燃燒合成工藝制備MoSi2-SiC 基陶瓷復(fù)合材料。鉬粉末，硅粉末和炭黑粉末作為初始原料，聚四氟乙烯作為一種活化添加劑，揭示了燃燒過(guò)程的具有低溫和高溫的演化階段特征。對(duì)最終產(chǎn)品進(jìn)行了掃描電鏡，X 射線衍射和化學(xué)分析。Zhu 等[6]制備出MoSi2-MoB-SiC 陶瓷復(fù)合材料，并研究 MoSi2-MoB-SiC 陶瓷復(fù)合材料的制備工藝和性能。在Mo，Si 以及粉末混合物通過(guò)自蔓延高溫合成原位合成MoB 和SiC 顆粒增強(qiáng)的MoSi2基復(fù)合材料。自蔓延高溫合成MoSi2-MoB-SiC 產(chǎn)品通過(guò)真空熱壓燒結(jié)工藝在1400 ℃、保溫90 min 下，制備較高致密度(相對(duì)密度＞97.5 %)燒結(jié)塊材。隨著反應(yīng)混合物含量增加導(dǎo)致MoSi2-MoB-SiC 復(fù)合材料組織細(xì)化以及維氏硬度和斷裂韌性得到顯著的提高。熱壓燒結(jié)工藝制備的復(fù)合材料成分為MoSi2-0.4MoB-0.1SiC，具有晶粒粒徑為1 μm—5 μm，維氏硬度為12.5 GPa，抗彎強(qiáng)度為537 MPa，斷裂韌性為3.8 MPa·m1/2。這些復(fù)合材料優(yōu)良的力學(xué)性能表明，MoB 和SiC 顆粒增強(qiáng)MoSi2基復(fù)合材料可以用于候選的應(yīng)用結(jié)構(gòu)材料。

Gao 等[7]采用酚醛樹(shù)脂浸漬高溫分解制備出MoSi2-RSiC 復(fù)合材料，并研究了MoSi2-RSiC 復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和性能，以及MoSi2-Si-Al 金屬合金熔融浸滲復(fù)合制備工藝。酚醛樹(shù)脂和浸漬裂解工藝結(jié)合MoSi2-Si-Al 合金活化熔滲組合工藝制備MoSi2-RSiC 復(fù)合材料。其中，RSiC(反應(yīng)燒結(jié)碳化硅)作為一個(gè)基體。通過(guò)X-射線衍射、掃描電鏡、力學(xué)性能測(cè)試等手段研究了滲透溫度對(duì)MoSi2-RSiC 復(fù)合材料的物相組成、顯微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和電性能的影響。結(jié)果表明，得到接近完全致密的MoSi2-RSiC 復(fù)合材料具有三維互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。MoSi2-RSiC 復(fù)合材料的物相組成主要是 SiC，MoSi2，Mo(Si,Al)2和少量的殘余硅。隨著滲透溫度的增加，復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度先增大后減小。1800 ℃時(shí)滲透得到復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度達(dá)到171.40 MPa，比RSiC 基體高107.63 %。復(fù)合材料的斷裂性能表現(xiàn)出典型的脆性斷裂。該復(fù)合材料滲透溫度為 1900 ℃時(shí)，具有體積電阻率為2.90×10-3Ω·cm，是RSiC 基體的四倍。Kang 等[8]通過(guò)原位反應(yīng)燒結(jié)工藝制備出納米SiCp/ MoSi2復(fù)合材料，并研究納米SiCp/MoSi2復(fù)合材料的低溫氧化行為。由原位反應(yīng)熱壓燒結(jié)經(jīng)過(guò)機(jī)械球磨Mo，Si 和C 元素粉末制備具有不同SiC 體積分?jǐn)?shù)的納米SiC 顆粒增強(qiáng)MoSi2基復(fù)合材料。X 射線衍射檢測(cè)表明，復(fù)合材料是由α-MoSi2相和β-SiC 相所組成；透射電子顯微鏡表明，原位反應(yīng)形成β-SiC 粒徑范圍為20 nm—100 nm，大多數(shù)分布在晶界且一些顆粒嵌入在 MoSi2晶粒中。納米SiC/MoSi2復(fù)合材料在空氣中于500 ℃進(jìn)行了等溫氧化和熱循環(huán)試驗(yàn)。氧化過(guò)程和循環(huán)氧化過(guò)程中，500 ℃保溫500 h 并且循環(huán)50 次。所有復(fù)合材料都具有優(yōu)良的抗氧化性能和良好的抗循環(huán)氧化性能。同時(shí)探討復(fù)合材料在低溫下氧化的機(jī)理。Chen等[9]研究了原位反應(yīng)無(wú)壓燒結(jié)制備SiC/ MoSi2復(fù)合材料。采用原位無(wú)壓燒結(jié)Mo，Si，C 元素粉末制備了SiC 顆粒增強(qiáng)MoSi2基復(fù)合材料，同時(shí)利用X 射線衍射儀研究了不同溫度下樣品的物相組成，并采用掃描電子顯微鏡和X 射線能譜儀研究顯微組織。可以看出，在1100 ℃的高溫條件下主相為Mo 和Si，伴有少量富鉬產(chǎn)品Mo5Si3和Mo3Si。當(dāng)燒結(jié)溫度達(dá)到1300 ℃時(shí)，主要相改為MoSi2和SiC。1550 ℃高溫?zé)Y(jié)120 min 得到具有良好分散性的SiC 顆粒和增強(qiáng)MoSi2的MoSi2/SiC 復(fù)合材料。在這些復(fù)合材料中，孔隙率演變符合孔隙減少模型。10%SiC/MoSi2復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度和斷裂韌性分別達(dá)到274.5 MPa 和5.5 MPa·m1/2。與單相MoSi2相比，MoSi2/SiC 復(fù)合材料的強(qiáng)度和韌性分別增加約為40.8 %和30.6 %。

Mitra 等[10]研究了反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備的MoSi2和MoSi2/SiCp 復(fù)合材料的制備工藝，顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。在1450 ℃—1500 ℃溫度范圍內(nèi)，通過(guò)反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝使用Mo，Si 和SiC 原料粉末制備單相MoSi2和MoSi2-20vol%SiC 復(fù)合材料。在外部壓力下Si 原子擴(kuò)散進(jìn)入Mo 晶格中，Mo 和Si 之間發(fā)生反應(yīng)導(dǎo)致MoSi2形成。最初的Mo顆粒大小影響形成MoSi2晶粒尺寸。單相MoSi2也采用1700 ℃真空熱壓燒結(jié)MoSi2粉末進(jìn)行制備。該MoSi2/SiCp 復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度和硬度比單相熱壓燒結(jié)多晶MoSi2有適度增長(zhǎng)。研究表明，添加碳化硅顆粒增強(qiáng)的MoSi2/SiCp 復(fù)合材料的高溫壓縮屈服強(qiáng)度顯著增加，MoSi2晶粒尺寸強(qiáng)烈影響復(fù)合材料的斷裂韌性與微觀機(jī)制。Kurokawa 等[11]研究了MoSi2-SiC 復(fù)合材料的制備工藝和抗氧化性能。采用放電等離子燒結(jié)工藝制備出無(wú)SiO2夾雜物的完全致密的MoSi2-SiC 復(fù)合材料，并研究MoSi2-SiC 復(fù)合材料的氧化行為。使用元素Mo，Si 和C 混合粉末在1673 K 或1873 K 采用放電等離子燒結(jié)方法進(jìn)行燒結(jié)，制備MoSi2和MoSi2-SiC復(fù)合材料，即原位合成MoSi2和MoSi2-SiC 復(fù)合材料燒結(jié)同時(shí)進(jìn)行。因此，制備出完全致密的MoSi2及含有少量SiO2夾雜物的MoSi2基復(fù)合材料。燒結(jié)體在773 K 空氣中的加速氧化區(qū)和在1773 K 被動(dòng)氧化區(qū)進(jìn)行了氧化試驗(yàn)。在復(fù)合材料中，在加速氧化區(qū)的鉬和硅的同時(shí)，氧化受到顯著抑制。1773 K 氧化過(guò)程中，復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的抗氧化性能，形成一個(gè)保護(hù)性的二氧化硅涂層。Mitra等[12]研究了反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備出MoSi2/SiCp復(fù)合材料，并研究反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備出MoSi2/SiCp 復(fù)合材料的性能表征。采用Mo 粉末，Si 粉末和SiC 粉末混合物在1450 ℃—1500 ℃溫度范圍內(nèi)通過(guò)反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備MoSi2/SiC復(fù)合材料。Mo 和Si 之間完全發(fā)生反應(yīng)導(dǎo)致形成MoSi2。MoSi2/SiCp 復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度和硬度比單相熱壓燒結(jié)多晶MoSi2材料適度增加。試樣的氧化在表面，試樣暴露于空氣中500 ℃、保溫250 h，最終氧化產(chǎn)物是MoO3和SiO2。在氧化的初始階段形成Mo-Si-O 復(fù)合相。

Subrahmanyam 等[13]研究了采用燃燒合成工藝制備出MoSi2-SiC 復(fù)合材料。MoSi2-SiC 基復(fù)合材料通過(guò)自蔓延高溫合成熱爆模式進(jìn)行制備，使用鉬，硅和碳元素粉末混合物。所制備的產(chǎn)品表征采用化學(xué)分析，X-射線衍射和掃描電子顯微鏡進(jìn)行研究。在燃燒溫度條件下，MoSi2產(chǎn)品的形態(tài)是熔融狀態(tài)的。復(fù)合材料中碳化硅具有非常細(xì)小的顆粒形態(tài)。Lu 等[14]研究了原料對(duì) MoSi2-10vol %SiC 復(fù)合材料的制備工藝，顯微結(jié)構(gòu)和性能的影響。通過(guò)自蔓延燃燒原位合成制備MoSi2-10vol %SiC 復(fù)合材料，使用在三種不同的復(fù)合系統(tǒng)Mo-Si-C，Mo-Si-Mo2C 和Mo-Si-SiC。燃燒合成溫度均高于 1800 K，并且產(chǎn)品均由MoSi2，SiC 和微量粉末所組成。通過(guò)1400 ℃真空熱壓燒結(jié)工藝制備出高致密度 MoSi2材料和MoSi2-10vol %SiC 復(fù)合材料。SiC 顆粒均勻地分散在MoSi2基復(fù)合材料中。使用鉬，硅，碳化硅原料制備的MoSi2-10vol%SiC 復(fù)合材料具有優(yōu)異的力學(xué)性能：硬度為12.21 GPa，彎曲強(qiáng)度為773.4 MPa，斷裂韌性為3.65 MPa·m1/2。Wei 等[15]研究了鉬和鉬硅化合物制備MoSi2/SiC 復(fù)合材料的制備工藝過(guò)程和反應(yīng)動(dòng)力學(xué)。采用溶解-沉淀-噴霧干燥-氫還原相結(jié)合的方法制備了Mo/Si/SiC 復(fù)合粉末，粉末進(jìn)行熱壓燒結(jié)工藝的燒結(jié)溫度大于1400 ℃，形成MoSi2/SiC 復(fù)合材料。對(duì)Mo/Si/SiC相反應(yīng)分析，鉬晶粒的晶粒生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)和Mo5Si3和MoSi2相變動(dòng)力學(xué)和H2還原后產(chǎn)物通過(guò)定量XRD 技術(shù)完成。此外，Mo/Si/SiC 復(fù)合粉末和熱壓燒結(jié)工藝制備的MoSi2/SiC 復(fù)合材料，采用SEM，TEM，HRTEM 進(jìn)行了表征。研究表明，燒結(jié)得到的MoSi2/SiC 復(fù)合材料塊材表現(xiàn)出化學(xué)成分均勻，晶粒細(xì)小的優(yōu)良性質(zhì)。Xu 等[16]研究了微波燒結(jié)工藝原位反應(yīng)工藝制備出SiC-MoSi2復(fù)合材料。通過(guò)精確控制微波反應(yīng)燒結(jié)工藝原位制備含20vol %SiC 增強(qiáng)MoSi2基復(fù)合材料。通過(guò)Mo，Si，C 粉末反應(yīng)燒結(jié)后得到SiC 顆粒均勻分散在MoSi2基體中。燒結(jié)產(chǎn)品的物相組成包括 MoSi2，Mo4.8Si3C0.6和SiC。復(fù)合材料的相對(duì)密度為91.5 %，彎曲強(qiáng)度為251.29 MPa，維氏硬度為7.86 GPa 和斷裂韌性為8.17 MPa·m1/2。研究發(fā)現(xiàn)，在微波反應(yīng)燒結(jié)制備致密的SiC-MoSi2復(fù)合材料中，加熱過(guò)程是關(guān)鍵。

Narciso-Romero 等[17]采用在Mo2C 和SiC 之間的原位固態(tài)置換反應(yīng)合成和制備(MoSi2,Mo5Si3)/SiC 復(fù)合材料，并研究(MoSi2,Mo5Si3)/SiC 復(fù)合材料的制備工藝、物相組成、顯微結(jié)構(gòu)以及力學(xué)性能等。MoSi2金屬間化合物作為高溫結(jié)構(gòu)材料具有很大的潛力，但斷裂韌性和高溫強(qiáng)度較低。MoSi2這些性能的改善可以通過(guò)添加SiC 顆?；蚓ы氃鰪?qiáng)或Mo5Si3合金化過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)。(MoSi2,Mo5Si3)/SiC 復(fù)合材料通過(guò)原位反應(yīng)工藝進(jìn)行制備。根據(jù)Mo-Si-C系統(tǒng)得到的多相復(fù)合材料使用Mo2C 和Si 之間的固相反應(yīng)進(jìn)行制備。從混合樣品中制備，包括不同比例的Si 和Mo2C 的混合粉末?；旌戏勰┩ㄟ^(guò)真空熱處理在壓力為40 MPa 和氬氣氣氛下制備燒結(jié)塊材。燒結(jié)塊材表現(xiàn)出不同比例的SiC，MoSi2和Mo5Si3。得到燒結(jié)塊材的硬度范圍從12 GPa到14 GPa，斷裂韌性KIC超過(guò)8 MPa·m1/2，遠(yuǎn)高于 MoSi2材料的性能。Buchheit 等[18]研究了Mo5Si3C-SiC 復(fù)合陶瓷的制備工藝過(guò)程和熱性能。25vol %的Mo-Si-C 三元化合物和碳化硅原料通過(guò)反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備出Mo5Si3C-SiC 復(fù)相陶瓷，燒結(jié)后得到 Mo5Si3C-SiC 復(fù)相陶瓷相對(duì)密度為96 %。經(jīng)過(guò)2150 ℃熱處理得到該復(fù)合材料的電阻率從室溫為4.60 Ω·cm 下降至700 ℃時(shí)為4.15 Ω·cm。SiC 陶瓷熱導(dǎo)率在2150 ℃以上時(shí)為100 W/mK，在室溫下降低至62 W/mK，在500 ℃下降至68 W/mK。使用導(dǎo)熱系數(shù)的計(jì)算模型，有 160 W/mK 和170 W/mK 作為常溫?zé)釋?dǎo)率的比較基線。在Mo5Si3C-SiC 復(fù)合陶瓷材料中，SiC 相是相互關(guān)聯(lián)的。連續(xù)SiC 相的存在使得Mo5Si3C-SiC 復(fù)合陶瓷材料的熱導(dǎo)率由室溫至500 ℃溫度范圍平均增長(zhǎng)50 %。熱導(dǎo)率的增加歸因于容納雜質(zhì)，通常會(huì)在SiC 晶粒和晶界存在三元相。Zakeri 等[19]研究了MoSi2-SiC 納米復(fù)合粉末的機(jī)械化學(xué)合成制備工藝。MoSi2-25wt.%SiC 納米復(fù)合粉末是通過(guò)機(jī)械球磨Mo 粉末、Si 粉末和石墨粉末進(jìn)行制備。并研究了機(jī)械球磨時(shí)間和退火溫度的影響。晶體結(jié)構(gòu)的變化和粉末形態(tài)的變化通過(guò)X-射線衍射和掃描電鏡進(jìn)行研究。MoSi2和SiC 是通過(guò)球磨10 h 得到，所有的MoSi2高溫和低溫多晶型現(xiàn)象是通過(guò)較短時(shí)間球磨進(jìn)行觀察。高溫多晶型向低溫多晶型轉(zhuǎn)變是發(fā)生在900 ℃退火20 h 形成的。結(jié)果表明，球磨20 h 得到的主要晶粒尺寸和應(yīng)變分別為31.8 nm和1.19 %。MoSi2-SiC 復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能和均勻致密的顯微結(jié)構(gòu)。Zakeri 等[20]研究了原始成分對(duì)通過(guò)機(jī)械球磨工藝制備的MoSi2-SiC 納米復(fù)合粉末的形成過(guò)程的影響。MoSi2-SiC 納米復(fù)合材料是通過(guò)機(jī)械球磨Mo 粉末，Si 粉末和石墨粉末進(jìn)行制備，對(duì)球磨時(shí)間和熱處理溫度的影響進(jìn)行了研究。MoSi2-SiC 復(fù)合材料的物相形成和物相轉(zhuǎn)變通過(guò)X-射線衍射進(jìn)行研究。球磨粉末的顯微結(jié)構(gòu)通過(guò)掃描電鏡和透射電鏡進(jìn)行研究。球磨時(shí)間為10 h 和20 h 分別合成制備含有25 %SiC 和50 %SiC 復(fù)合材料。MoSi2的高溫相通過(guò)球磨20 h得到，熱處理工藝導(dǎo)致MoSi2高溫相向MoSi2低溫相的轉(zhuǎn)變。Mo5Si3是通過(guò)MoSi2和多余的石墨反應(yīng)得到的產(chǎn)物。研究結(jié)果表明，機(jī)械球磨20 h 后得到產(chǎn)物的顆粒尺寸較小。

Krishnarao 等[21]采用SiO2或者Si3N4與Mo 和碳發(fā)生原位反應(yīng)生成MoSi2-SiC 復(fù)合材料，并研究原位反應(yīng)生成MoSi2-SiC 復(fù)合材料的制備工藝、物相組成、顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。MoSi2-SiC 復(fù)合粉體的合成在1300 ℃時(shí)，使用反應(yīng)混合物(Mo-SiO2-C)，(Mo-Si3N4-C)和(Mo-SiO2-Si3N4-C)進(jìn)行制備。(Mo-SiO2-C)粉末系統(tǒng)組成主要反應(yīng)形成Mo5Si3和Mo3Si。Peng 等[22]研究了反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備出SiC/MoSi2復(fù)合材料，通過(guò)反應(yīng)熱壓燒結(jié)Mo，Si和C 的混合粉末制備致密SiC/MoSi2納米復(fù)合材料。聚合物處理工藝使得納米SiC 顆粒均勻涂覆在Si 粉表面。用X 射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和能譜分析對(duì)SiC/MoSi2復(fù)合材料的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)定。得到的納米復(fù)合材料是由MoSi2，β-SiC 以及少量的Mo5Si3和SiO2組成，獲得納米SiC 顆粒均勻分散在MoSi2基體中。單相MoSi2材料和SiC/MoSi2納米復(fù)合材料的相對(duì)密度都在98 %以上。15vol %SiC/MoSi2復(fù)合材料的室溫抗彎強(qiáng)度為610 MPa，與MoSi2基體相比提高141 %。SiC/MoSi2納米復(fù)合材料的斷裂韌性優(yōu)于純MoSi2，并且納米復(fù)合材料在1200 ℃時(shí)屈服強(qiáng)度達(dá)到720 MPa。Krnel 等[23]研究了AlN-SiC-MoSi2導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的抗氧化行為。對(duì)AlN-SiC-MoSi2導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)改性效果，電阻率及力學(xué)強(qiáng)度的影響進(jìn)行了研究。在低于1000 ℃溫度下，樣品失重是由于MoSi2氧化后形成的MoO3的蒸發(fā)。但AlN/SiC 基體不會(huì)出現(xiàn)粉化現(xiàn)象和強(qiáng)度退化。盡管事實(shí)上在這些溫度下，MoSi2迅速氧化。溫度高于1000 ℃的復(fù)合材料增量是由于在表面上形成保護(hù)性莫來(lái)石涂層，這對(duì)材料應(yīng)用在高溫下提供了良好的抗氧化性能。力學(xué)行為表明，在1000 ℃—1400 ℃的溫度范圍內(nèi)，運(yùn)用該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)陶瓷具有良好的適用性。另一方面氧化環(huán)境導(dǎo)致的復(fù)合材料，由于表面改性導(dǎo)致導(dǎo)電性能顯著地減少。Wang 等[24]研究了采用MoCl5-聚甲基硅烷雜化模板制備多孔SiC-MoSi2陶瓷。含鉬陶瓷先驅(qū)體聚合物首次合成了聚甲基硅烷和氫在室溫下進(jìn)行反應(yīng)。不溶性聚合物嵌入二氧化硅膠體晶體模板空隙內(nèi)的聚合物，并在1400 ℃、氬氣氣氛中，轉(zhuǎn)化為長(zhǎng)程有序三維大孔SiC-MoSi2陶瓷，隨后在模板拆除后裂解。珠狀大孔SiC-MoSi2陶瓷約88 %的陶瓷產(chǎn)量具有高溫穩(wěn)定性較高的比表面積和半導(dǎo)體行為。此外，大孔SiC-MoSi2陶瓷涂層表面上的孔可以作為催化劑載體。陶瓷先驅(qū)體聚合物和陶瓷燒結(jié)塊材通過(guò)紅外分析、熱分析、X 射線衍射、掃描電鏡和透射電鏡進(jìn)行測(cè)試。Zhang 等[25]研究了Mo(Si,Al)2-SiC 復(fù)合材料的原位反應(yīng)制備工藝過(guò)程，采用原位反應(yīng)合成Mo(Si1-xAlx)2-SiC 復(fù)合材料，通過(guò)熱壓燒結(jié)工藝制備Mo(Si,Al)2-SiC 復(fù)合材料。研究表明，原位反應(yīng)合成Mo(Si,Al)2-SiC復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能和均勻致密的顯微結(jié)構(gòu)。

Wang 等[26]研究了原位反應(yīng)和熱壓燒結(jié)工藝制備的SiCp/MoSi2復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。純MoSi2和具有不同SiC 顆粒體積含量的SiC/MoSi2復(fù)合材料是通過(guò)原位反應(yīng)和熱壓燒結(jié)工藝制備的。研究了原位反應(yīng)形成的SiC 顆粒對(duì)SiCp/MoSi2復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)，抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性的影響。研究結(jié)果表明，SiC/MoSi2復(fù)合材料的相對(duì)密度，抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性都比純MoSi2材料高。Alman 等[27]研究了由Mo 粉末，Si 粉末，C 纖維原位反應(yīng)合成制備碳化硅，增強(qiáng)MoSi2復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)觀察。碳化硅增強(qiáng)MoSi2復(fù)合材料是潛在的高溫結(jié)構(gòu)復(fù)合材料。SiC 的添加能夠提高M(jìn)oSi2基體材料的抗蠕變性能和斷裂韌性。研究了原始成分控制材料的形態(tài)，并通過(guò)熱壓反應(yīng)燒結(jié)工藝合成制備的MoSi2/SiC 復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)。其中，MoSi2/SiC 復(fù)合材料是通過(guò)熱壓燒結(jié)Mo 粉末和Si 粉末以及石墨纖維而制備的。研究結(jié)果表明，MoSi2/SiC 復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能和均勻致密的顯微結(jié)構(gòu)。Oh 等[28]研究了通過(guò)高頻感應(yīng)加熱和燃燒合成方法制備致密的MoSi2-SiC 復(fù)合材料，并研究了MoSi2-SiC 復(fù)合材料的力學(xué)性能。致密的MoSi2-SiC 復(fù)合材料是通過(guò)高頻感應(yīng)加熱燃燒合成方法制備的。原料粉末是Mo 粉末、Si 粉末和C 粉末，通過(guò)感應(yīng)電流和機(jī)械壓力相結(jié)合完成燃燒合成過(guò)程和致密化過(guò)程。較高致密度的 MoSi2-SiC 復(fù)合材料的相對(duì)密度為98 %，MoSi2-SiC 復(fù)合材料是通過(guò)施加60 MPa 的壓力和感應(yīng)電流加熱燒結(jié)的。MoSi2和SiC 的平均晶粒尺寸較小同時(shí)，還出現(xiàn)少量Mo5Si3C 相。MoSi2-SiC 復(fù)合材料的斷裂韌性和硬度值分別為4.8 MPa·m1/2和1410 kg/mm2。研究結(jié)果表明，MoSi2-SiC 復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能和均勻致密的顯微結(jié)構(gòu)。Kurokawa 等[29]研究了放電等離子燒結(jié)工藝制備MoSi2-SiC 復(fù)合材料的制備工藝和性能，通過(guò)放電等離子燒結(jié)工藝制備完全致密的MoSi2-SiC 復(fù)合材料。原料粉末是球磨工藝得到的復(fù)合粉末。研究了Mo-Si-C 混合粉末的燒結(jié)過(guò)程和致密化過(guò)程。對(duì)于制備MoSi2-SiC 復(fù)合材料最適宜的燒結(jié)溫度依靠SiC 含量，并且隨著SiC 含量的增加而逐漸增加。所以，完全致密MoSi2-SiC復(fù)合材料可以很容易采用放電等離子燒結(jié)工藝進(jìn)行制備。研究結(jié)果表明，MoSi2-SiC 復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能和均勻致密的顯微結(jié)構(gòu)。

2.3 Mo-Si/ZrB2復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

Liu 等[30]采用熱壓燒結(jié)原位反應(yīng)法制備出ZrB2-MoSi2片狀復(fù)合材料，并研究了熱壓燒結(jié)原位反應(yīng)法制備出ZrB2-MoSi2片狀復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。使用元素Zr 粉末、B 粉末、Mo粉末、Si 粉末為原料，通過(guò)反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備出部分組織具有原位生成片狀 ZrB2晶粒的ZrB2-MoSi2復(fù)合材料。采用燃燒合成反應(yīng)原位生成的ZrB2相具有獨(dú)特的特點(diǎn)，長(zhǎng)大后形成片狀顆粒，在高溫條件下分布在Mo-Si-B 三元液相周圍。力學(xué)性能依靠ZrB2片狀顆粒的晶粒尺寸和縱橫比。在熱壓燒結(jié)條件下，導(dǎo)致一部分織構(gòu)組織的片狀ZrB2顆粒發(fā)生旋轉(zhuǎn)和調(diào)整，表現(xiàn)為燒結(jié)樣品的不同方向各向異性的力學(xué)性質(zhì)。對(duì)通過(guò)反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備部分組織的ZrB2-MoSi2復(fù)合材料的顯微組織和組織結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理進(jìn)行了研究。Silvestroni 等[31]研究了加入MoSi2添加劑鋯和鉿的硼化物進(jìn)行透射電鏡觀察以及復(fù)合材料的致密化機(jī)理。ZrB2和HfB2添加20vol %的MoSi2兩種無(wú)壓燒結(jié)陶瓷的組織結(jié)構(gòu)，通過(guò)掃描電鏡和透射電鏡進(jìn)行研究和分析。碳化物和過(guò)渡金屬的氧化物和MoB 被觀察到分散在硼化物基體中。實(shí)驗(yàn)結(jié)果研究表明，Mo-Si-B 液相在高溫條件下的形成，有力地促進(jìn)了致密化過(guò)程。Guo 等[32]研究了熱壓燒結(jié)ZrB2-MoSi2-SiC 復(fù)合材料的熱學(xué)性能和電學(xué)性能。對(duì)含MoSi2和SiC 的ZrB2基復(fù)合材料的熱性能和電性能進(jìn)行了研究，以及對(duì)熱壓燒結(jié)工藝制備的ZrB2-MoSi2-SiC 復(fù)合材料中MoSi2和SiC 含量的影響進(jìn)行了研究。采用納米放電技術(shù)和電流電壓法分別測(cè)量了室溫下的ZrB2-MoSi2-SiC 復(fù)合材料的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。結(jié)果表明，ZrB2-MoSi2-SiC 復(fù)合材料的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能都依靠于MoSi2的含量和SiC 的含量。觀察到所有組合物的熱導(dǎo)率都超過(guò)75W·(m·K)-1。組成為包含20vol %MoSi2-30vol %SiC-ZrB2復(fù)合材料測(cè)定的最大電導(dǎo)率為97.55 W·(m·K)-1，并且觀察到ZrB2-MoSi2-SiC 復(fù)合材料所有成分的電導(dǎo)率都較高。姜子晗等[33]采用放電等離子燒結(jié)(SPS)工藝制備出MoSi2/ZrB2基超高溫陶瓷，并研究了MoSi2/ZrB2復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。采用放電等離子體燒結(jié)(SPS)工藝，添加體積分?jǐn)?shù)為10 %—20 %的MoSi2燒結(jié)助劑制備出MoSi2/ZrB2超高溫陶瓷。

2.4 Mo-Si/Al2O3復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

Wang 等[34]研究了MoSi2-5vol %Al2O3復(fù)合材料的制備工藝、顯微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能，使用Mo、Si、Al 和MoO3原料粉末采用自蔓延燃燒原位合成制備MoSi2-5vol %Al2O3復(fù)合材料，對(duì)產(chǎn)品的燃燒方式和自蔓延反應(yīng)的溫度以及物相組成進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，燃燒模式是一個(gè)穩(wěn)態(tài)自蔓延工藝，復(fù)合材料是由MoSi2和Al2O3所組成。采用1300 ℃至1600 ℃真空熱壓燒結(jié)制備高致密度的MoSi2-5vol %Al2O3復(fù)合材料。1400 ℃時(shí)燒結(jié)得到的MoSi2-5vol %Al2O3復(fù)合材料具有精細(xì)結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的力學(xué)性能：晶粒粒度為 5 μm，維氏硬度為11.14 GPa，彎曲強(qiáng)度為435 MPa，斷裂韌性為4.53 MPa·m1/2。Fahrenholtz 等[35]采用反應(yīng)燒結(jié)工藝制備出 Al2O3-MoSi2復(fù)合材料，并研究了Al2O3-MoSi2復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。Al2O3和Mo-Si 金屬間化合物反應(yīng)形成的復(fù)合材料物相組成主要是MoSi2，Mo(Si,Al)2和Mo3Al8，通過(guò)鉬鋁硅酸鹽粉末混合物反應(yīng)熱壓燒結(jié)工藝制備出Al2O3-MoSi2復(fù)合材料。金屬間化合物和陶瓷的比率以及金屬間化合物相的組成是通過(guò)控制粉末系統(tǒng)反應(yīng)物摩爾比例的變化或采用不同的硅鋁酸鹽的前驅(qū)體。對(duì)復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)采用掃描電鏡進(jìn)行了表征，通過(guò)確定的四點(diǎn)彎曲強(qiáng)度對(duì)復(fù)合材料的力學(xué)性能、楊氏模量、硬度、熱膨脹系數(shù)進(jìn)行了研究。Bonnet 等[36]采用自蔓延高溫合成工藝制備MoSi2/Al2O3復(fù)合材料，并研究自蔓延高溫合成工藝制備MoSi2/Al2O3復(fù)合材料的制備工藝條件和顯微結(jié)構(gòu)。以鋁，氧化鉬，硅或二氧化硅為原料，通過(guò)自蔓延高溫合成反應(yīng)得到MoSi2/Al2O3基復(fù)合材料。反應(yīng)開(kāi)始后，鋁很快地熔化，釋放的熱使反應(yīng)產(chǎn)物達(dá)到最高溫度，高到足以讓原料粉末發(fā)生部分或完全熔化。由MoSi2或Al2O3粉體原料達(dá)到了控制的最高溫度。最終產(chǎn)品的微觀結(jié)構(gòu)研究表明，硅化物均勻分散在氧化鋁基體中，硅化物是由MoSi2和Mo(Si,Al)2晶粒包圍Mo5Si3相。該基體是由氧化鋁顆粒與無(wú)定形莫來(lái)石相組成，最高溫度值影響最終產(chǎn)品的性質(zhì)和物相組成的分布。Chen 等[37]研究了Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和抗氧化性能等。Mo5Si3-Al2O3復(fù)合粉末通過(guò)球磨MoO3粉末、Mo粉末、Si 粉末和Al 粉末進(jìn)行制備。致密的納米結(jié)構(gòu)的Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料通過(guò)熱壓燒結(jié)工藝制備。研究了Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)，力學(xué)性能和抗氧化性能。研究結(jié)果表明，Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料相比于Mo5Si3合金具有更高的力學(xué)性能和抗氧化性能。Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料具有相對(duì)密度為96.1 %，Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料的硬度為15.2 GPa，抗彎強(qiáng)度為630 MPa，斷裂韌性為6.53 MPa·m1/2。此外，1400 ℃時(shí)的復(fù)合材料具有較高的強(qiáng)度(276 MPa)。在600 ℃的氧化實(shí)驗(yàn)研究表明，添加Al2O3有效地抑制了Mo5Si3的粉化氧化現(xiàn)象。1200 ℃時(shí)Mo5Si3-Al2O3復(fù)合材料表面形成氧化皮（包括SiO2-Al2O3），并且SiO2-Al2O3薄膜表現(xiàn)出良好的抗氧化性能。陳輝等[38]研究了納米Al2O3/Mo5Si3復(fù)合粉體的機(jī)械化學(xué)合成制備工藝，并研究了納米Al2O3/Mo5Si3復(fù)合粉體的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)[38]。以MoO3粉末、Mo 粉末、Si 粉末及Al 粉末為原料，采用機(jī)械化學(xué)還原法原位合成納米Al2O3/Mo5Si3復(fù)合粉體并對(duì)固態(tài)反應(yīng)過(guò)程進(jìn)行了探討。趙雪等[39]研究了采用機(jī)械球磨參數(shù)對(duì)機(jī)械合金化工藝制備Al2O3/Mo5Si3復(fù)合粉體特性的影響，并研究Al2O3/Mo5Si3復(fù)合粉體的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)。以MoO3粉末、Mo 粉末、Si 粉末及Al 粉末為原料，采用機(jī)械化學(xué)還原法制備了Al2O3/Mo5Si3復(fù)合粉體。陳輝等[40]研究了機(jī)械化學(xué)還原法制備Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3納米復(fù)合粉體，并研究了Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3納米復(fù)合粉體的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)。以MoO3粉末、Si 粉末和Al 粉末為原料，采用機(jī)械化學(xué)還原法制備了Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3納米復(fù)合粉體。

2.5 Mo-Si/ZrC 復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

Silvestroni 等[41]研究了無(wú)壓燒結(jié)工藝制備的ZrC 基復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和性能。由于MoSi2添加燒結(jié)助劑可以通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)工藝制備ZrC 基復(fù)合材料。經(jīng)初步測(cè)試，ZrC 基體材料和兩個(gè)混合ZrC-HfC 和ZrC-ZrB2含有20vol %MoSi2的復(fù)合材料在1900 ℃至1950 ℃致密化過(guò)程，得到最終相對(duì)密度（96 %至98 %）。致密燒結(jié)體的平均粒徑從5 μm 至9 μm，在燒結(jié)過(guò)程中形成次生相如SiC 和Zr-Mo-Si 基化合物。對(duì)在室溫下Mo-Si/ZrC 復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度，以及Mo-Si/ZrC 復(fù)合材料在1200 ℃和1500 ℃的抗彎強(qiáng)度進(jìn)行了測(cè)試。

2.6 Mo-Si/TiC 復(fù)合材料的研究發(fā)展現(xiàn)狀

Zakeri 等[42]研究了球料比例對(duì)MoSi2-TiC 納米復(fù)合粉末的機(jī)械化學(xué)合成制備工藝的影響，MoSi2-TiC 納米復(fù)合粉體通過(guò)機(jī)械球磨工藝合成與制備出來(lái)。采用不同球料比例的球磨工藝，使用Mo 粉末、Si 粉末、Ti 粉末、石墨粉末作為原料粉末，通過(guò)X-射線衍射研究了這種MoSi2-TiC納米復(fù)合材料的形成過(guò)程，球磨粉末的形態(tài)和微觀結(jié)構(gòu)分別通過(guò)掃描電鏡和透射電子顯微鏡進(jìn)行了研究。球磨30 h 后球料比例為5∶1，未完全形成。然而球料比例為15∶1 和20∶1，球磨10 h后完全形成這種MoSi2-TiC 復(fù)合材料。隨著研磨時(shí)間的延長(zhǎng)，導(dǎo)致β-MoSi2相部分轉(zhuǎn)化為更高含量的α-MoSi2相?；诜治霾⑼ㄟ^(guò)透射電鏡圖像驗(yàn)證，所有球料比獲得了平均晶粒尺寸小于25 nm 的納米粉體，球料比為10∶1 和15∶1，經(jīng)過(guò)球磨獲得非常好的亞微米粉末團(tuán)聚體。劉世民等[43]研究了Al-MoSi2-TiC 陶瓷基復(fù)合材料的制備工藝和力學(xué)性能；研究了Al-MoSi2-TiC 陶瓷基復(fù)合材料的燒結(jié)工藝，利用MoSi2高溫蠕變的特性促進(jìn)TiC 粉料的高溫?zé)Y(jié)；探討了添加少量的金屬鋁粉對(duì)復(fù)合材料力學(xué)性能的影響；用掃描電鏡和X-射線衍射對(duì)Al-MoSi2-TiC 復(fù)合材料的顯微形貌和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。顏建輝等[44]研究了TiC-MoSi2復(fù)合材料的原位合成制備工藝及其低溫氧化特性。為了改善MoSi2力學(xué)性能和低溫抗氧化性能，選用TiC 顆粒來(lái)增強(qiáng)補(bǔ)韌MoSi2，通過(guò)X-射線衍射和掃描電鏡表征合成MoSi2基復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)，并研究了預(yù)氧化對(duì)MoSi2基復(fù)合材料低溫抗氧化性能的影響。

3 Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的研究發(fā)展趨勢(shì)及其應(yīng)用

綜上所述，可以將Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷材料相復(fù)合制備Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料。例如：Mo-Si/Si3N4、Mo-Si/SiC、Mo-Si/Al2O3、Mo-Si/ZrB2、Mo-Si/ZrC、Mo-Si/TiC 等復(fù)合材料。此外，可以將Mo-Si 金屬間化合物與其他陶瓷材料相復(fù)合制備Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料。例如：Mo-Si/ ZrN、Mo-Si/AlN、Mo-Si/TiB2、Mo-Si/TiN、Mo-Si/ WC、Mo-Si/HfC、Mo-Si/HfB2、Mo-Si/ZrO2等復(fù)合材料。Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)應(yīng)該是首先開(kāi)發(fā)更多類型的復(fù)合材料，擴(kuò)大陶瓷基體材料的種類和范圍，陶瓷材料包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物等。然后，研究和開(kāi)發(fā)新型的制備技術(shù)，降低復(fù)合材料的制備成本，提高生產(chǎn)效率，并積極提高復(fù)合材料的性能。并且研究Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷基體之間的界面結(jié)合性能。最后，積極研究和開(kāi)發(fā)Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料在工程領(lǐng)域中的應(yīng)用。Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料因具有優(yōu)良的抗高溫氧化性能可以應(yīng)用到耐高溫工程領(lǐng)域中。Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料還因具有優(yōu)良的耐磨損性能可以應(yīng)用到耐磨損工程領(lǐng)域中。

4 結(jié)論與展望

Mo-Si 金屬間化合物材料和陶瓷材料都具有很多優(yōu)良的性能，可以將Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷相復(fù)合制備Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料。Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能和良好的耐磨損性能以及具有優(yōu)良的耐腐蝕性能等。Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，綜合以下幾點(diǎn)。

（1）開(kāi)發(fā)更多的陶瓷基體與Mo-Si 金屬間化合物相復(fù)合制備復(fù)合材料，陶瓷材料包括氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷等。擴(kuò)大陶瓷基體材料的種類和范圍，開(kāi)發(fā)新工藝、新技術(shù)，降低生產(chǎn)成本。

（2）提高M(jìn)o-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料的綜合性能，并研究Mo-Si 金屬間化合物與陶瓷基體之間的界面結(jié)合性能。

（3）積極開(kāi)發(fā)Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料在工程領(lǐng)域中可能應(yīng)用的領(lǐng)域。例如，應(yīng)用在耐高溫工程，耐磨損工程，耐腐蝕工程以及其他工程領(lǐng)域等。由于Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料具有較高的力學(xué)性能，良好的耐磨損性能、耐腐蝕性能以及具有優(yōu)良的抗高溫氧化性能。所以，Mo-Si 金屬間化合物/陶瓷復(fù)合材料將在工程領(lǐng)域得到廣泛的研究和應(yīng)用。