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      GIS變電站中電弧重燃對VFTO的影響研究*

      2021-04-12 08:41:54歐美英朱金枝
      關(guān)鍵詞:觀測點電弧全過程

      胡 瑞,歐美英,朱金枝

      (1.滁州學(xué)院 機械與電氣工程學(xué)院,安徽 滁州 239000;2.滁州現(xiàn)代模具股份有限公司,安徽 滁州 239000)

      0 引 言

      目前,SF6氣體絕緣變電站(Gas Insulation Substation,GIS)已被廣泛使用。隔離開關(guān)為GIS里廣泛使用的一種電氣設(shè)備,因隔離開關(guān)無專門的滅弧設(shè)備,滅弧能力不強,且動觸頭運動速率慢,故在分合閘時,動靜觸頭間隙之間會發(fā)生重燃現(xiàn)象。此時,電弧放電會引起振蕩,這種振蕩頻率極高,在極短的時間內(nèi),形成階躍性質(zhì)的行波電壓。此行波在GIS和與GIS相連的設(shè)備間傳播,在阻抗驟變處就會發(fā)生折射和反射,產(chǎn)生畸變的波形,造成抖波前的過電壓,這就是特快速暫態(tài)過電壓(Very-Fast-Transient over Voltage,VFTO)[1]。

      GIS的本體和與GIS聯(lián)結(jié)的設(shè)備的絕緣性能可能會因為VFTO的傳播而造成損害,且由于VFTO的特性,易產(chǎn)生電磁干擾,進而可能會影響相關(guān)二次設(shè)備[2],GIS的故障率會隨電壓等級的提高而增加。

      國內(nèi)外對VFTO的探究熱點主要聚焦在GIS中VFTO的計算、產(chǎn)生機理、限制措施等方面。研究方法主要是實驗室模擬,在GIS變電站進行實際測量,使用現(xiàn)代計算機仿真計算。通過仿真軟件在計算機上進行仿真計算是國內(nèi)外研究者大多采用的一種方法。通過仿真軟件來探究VFTO的前提條件是建立準(zhǔn)確的電弧模型。閱讀相關(guān)文獻如文獻[3-11]可知,部分學(xué)者使用電磁暫態(tài)仿真軟件來研究VFTO時,沒有考慮完整的電弧單次放電全過程,電弧的熄弧階段很少被考慮到。由圖1可以發(fā)現(xiàn),單次電弧放電全過程包含3個狀態(tài),只考慮即將擊穿狀態(tài)與穩(wěn)定燃燒狀態(tài),是無法建立準(zhǔn)確的電弧模型的,熄弧狀態(tài)也需要被考慮到。故本文將綜合考慮電弧發(fā)展的3種狀態(tài),設(shè)計了一種單次電弧擊穿模型,在該單次擊穿模型的基礎(chǔ)上聯(lián)合重燃理論,設(shè)計了一種重燃模型;并借助ATP-EMTP軟件對設(shè)計的電弧模型進行了仿真分析。

      1 電弧模型構(gòu)建方法研究

      1.1 定值電阻模型

      早期因?qū)﹄娀〉臋C理了解不深,常用一電阻R(2~5)Ω串聯(lián)一理想開關(guān)來模擬電弧的單次放電過程,這就是定值電阻模型。隨著對電弧機理認(rèn)識的加深,該模型有了一定的改進,使用電感L和電阻R串聯(lián)來模擬電弧的單次放電過程(R=2Ω,L=0.5 μH)??梢灾?,電弧過程是相當(dāng)復(fù)雜的非線性過程,定值電阻模型并不能準(zhǔn)確模擬電弧的狀態(tài),具有一定誤差,只是在估算時使用。

      1.2 時變電阻模型

      有學(xué)者根據(jù)電弧的電阻會隨時間迅速變化的特性,提出了時變電阻模型。目前,時變電阻模型有指數(shù)模型和雙曲線模型。

      1.2.1 指數(shù)電阻模型

      顧名思義,指數(shù)電阻模型模擬電弧的發(fā)展過程是通過指數(shù)函數(shù)來實現(xiàn)的。具體可用式(1)表示:

      (1)

      式(1)中:R0=1012Ω,T=lns,Ra=0.5 Ω。圖1所示即為電弧單次放電全過程。

      圖1 電弧單次放電全過程

      由圖1可以看出一個完整的電弧放電過程主要由3個狀態(tài)組成。以電弧放電時間為順序,依次為AB段(即將擊穿階段)、BC段(穩(wěn)定燃燒階段)、CD段(熄弧階段)。式(1)主要考慮了AB段(即將擊穿階段),BC段(穩(wěn)定燃燒階段)與CD段(熄弧階段)考慮的并不是很充分。故該模型并沒有考慮完整的電弧單次放電全過程,且可以發(fā)現(xiàn)該模型只與時間有關(guān)。所以,其仍然無法準(zhǔn)確模擬電弧放電全過程。

      1.2.2 雙曲線電阻模型

      該模型具體可用式(2)表示:

      R=0,t>tδ

      (2)

      式(2)中,Z為GIS的母線波阻抗,間隙擊穿一次所用時間用tδ表示。根據(jù)文獻[8]可以得出tδ的具體表達式,如式(3)所示:

      tδ=(1~1.5)/P

      (3)

      式(3)中,GIS中的氣體壓強用P表示(對SF6氣體來說,P=1~1.5 Mpa)。根據(jù)式(2)和式(3)可以發(fā)現(xiàn),該模型引入了系數(shù)Z和tδ,不再是只考慮時間因素對電弧的影響,也考慮了器件本身特點對電弧的影響,故該模型有了一定的進步。根據(jù)式(2)可以發(fā)現(xiàn),該模型主要考慮了電弧的即將擊穿階段與穩(wěn)定燃燒階段,當(dāng)ttδ時,表示穩(wěn)態(tài)燃燒,此時R為0。由此,可以發(fā)現(xiàn)該模型雖有改進,但仍未考慮完整的電弧放電過程。

      1.3 Mayr電弧模型

      當(dāng)電流過零時,Mayr模型可以更好地模擬電弧放電過程。具體可用式(4)表示:

      (4)

      其中,N0=30.9 kW,θ2=0.3×10-6s。

      1.4 Cassie電弧模型

      在電流較大環(huán)境下,Cassie模型可以更好地模擬電弧放電過程。具體可用式(5)表示:

      (5)

      其中,θ1=1.2×10-6s。

      上述兩種電弧模型更多地考慮了電弧內(nèi)部因素對電弧放電過程的影響,可以更好地模擬電弧放電全過程。

      1.5 電弧單次擊穿模型構(gòu)建

      通過以上分析,考慮完整的電弧放電全過程,設(shè)計了一種單次電弧擊穿模型。該模型綜合考慮了電弧放電的各個狀態(tài),考慮每段的放電特性,使用不同的電弧模型。在即將擊穿階段,使用時變電阻模型;在穩(wěn)態(tài)燃燒階段,使用Cassie電弧模型;在熄弧階段,使用Mayr電弧模型。

      由圖1可以發(fā)現(xiàn),在AB段(即將擊穿階段),電弧的電阻正在快速下滑,電弧的電流在快速增長。在BC段(穩(wěn)定燃燒階段),電阻維持不變。在CD段(熄弧階段),電阻又快速增長,導(dǎo)致此階段的電流又快速減少。可以發(fā)現(xiàn),電弧在上述各狀態(tài)之間過渡時,必然伴隨著電流的變化,故電弧各個階段的過渡可以通過追蹤電弧電流來實現(xiàn)。首先,可設(shè)變量I0(令初值I0=0)和I,每進行一步仿真,記錄該仿真步長下的電弧電流值,將此次步長得到的值賦給I,上一次的值賦給I0。若I>1.1I0,說明電弧的電流在逐漸增長,可知,此時處在AB段(即將擊穿階段);若0.9I0

      圖2 單次電弧擊穿流程圖

      1.6 電弧重燃模型構(gòu)建

      重燃是研究電弧必然要考慮的一個問題(圖3),也是造成VFTO的主要原因。目前,弧隙介質(zhì)強度恢復(fù)學(xué)說作為一種重燃理論使用較為廣泛。該理論認(rèn)為,造成重燃的原因可能是間隙恢復(fù)電壓大于介質(zhì)的絕緣恢復(fù)強度。由文獻[12]可以得到,短間隙條件下SF6氣體擊穿電壓(kV)為

      圖3 電弧重燃流程圖

      U0=88.5δd+0.38

      (6)

      式(6)中,d表示開關(guān)兩級間距(cm),δ表示空氣相對密度。

      2 1 000 kV GIS變電站仿真模型的構(gòu)建

      在仿真軟件ATP-EMTP中構(gòu)建某1 000 kV GIS變電站模型來驗證設(shè)計的電弧模型。該變電站的出線端使用線路終端設(shè)備且并聯(lián)電抗器,高壓側(cè)采取雙母線分段接線方法,另外在分段母線處安裝了避雷器。對該GIS變電站,規(guī)定其運行方式為使用1#主變時,線路2L的電由母線直接送達,斷路器已經(jīng)斷開,隔離開關(guān)可以進行操作。圖4即為該運行方式下的等效計算電路。

      圖4 等效計算電路

      在該模型中可取相電壓的峰值作為電壓的基準(zhǔn)值,此時有

      3 兩種電弧模型下的VFTO的仿真分析

      圖5為兩種電弧模型下各觀測點的VFTO模型。由圖5可以發(fā)現(xiàn),兩種電弧模型在各觀測點的VFTO波形的變化趨向基本上是一致的,在幅值處兩種電弧模型略有區(qū)別。單次電弧擊穿模型在各觀測點的VFTO波形的幅值相較于指數(shù)模型較大,波形更陡??赡苁且驗閱未坞娀舸┠P鸵腚娀‰娏鬟@個參數(shù)來監(jiān)測電弧各階段的變化,故電流變化時,電弧電阻也將實時變化。但是,指數(shù)電阻模型中電弧電阻只與時間有關(guān)。且單次電弧擊穿模型考慮了電弧的熄弧階段,相較于時變電阻模型更加完整地考慮了電弧的放電過程,可以更好地模擬電弧現(xiàn)象。

      (a)變壓器側(cè)隔離開關(guān)上波形

      表1為兩種電弧模型在各觀測點VFTO波形的極值??梢园l(fā)現(xiàn)在操作隔離開關(guān)處兩種模型的極值幾乎一致,且VFTO波形變化趨勢也幾乎一致,這說明在操作隔離開關(guān)處兩種模型模擬效果相同。在變壓器側(cè)隔離開關(guān)與母線端部BUS1,單次電弧擊穿模型下的VFTO波形的極值大于指數(shù)電阻模型下的該處極值。此時,因為本文設(shè)計的電弧模型綜合考慮了電弧的3個階段,且電弧電阻嚴(yán)格隨著電弧電流變化,造成了兩種模型下關(guān)鍵設(shè)備處的極值差別。

      表1 兩種電弧模型在各觀測點VFTO波形的極值

      4 電弧重燃模型下的仿真分析

      研究電弧,必然要考慮重燃。在上述單次電弧擊穿模型基礎(chǔ)上聯(lián)合重燃理論,設(shè)計了電弧重燃模型。

      通過圖6可以發(fā)現(xiàn),考慮重燃影響后,兩種電弧模型在各觀測點VFTO的變化趨向是存在著顯著差異的。表2是兩種電弧模型在各觀測點的VFTO的極值。通過表2可以發(fā)現(xiàn),在重燃模型下,母線端部BUS1和操作隔離開關(guān)的VFTO的極值是遠遠高于單次電弧擊穿模型下的。此種原因可能是單次電弧擊穿模型只考慮了一次擊穿,而后不會根據(jù)隔離開關(guān)觸頭兩側(cè)的電壓判斷是否還會發(fā)生擊穿,而重燃模型會根據(jù)判據(jù)實時分析目前是否會發(fā)生重擊穿,因此存在多次擊穿可能。多次擊穿導(dǎo)致電弧電壓的急劇變化,進而導(dǎo)致電流、電阻的劇烈變化。由此造成了兩種電弧模型在各觀測點的VFTO的波形變化趨勢存在著顯著異。

      (a)變壓器側(cè)隔離開關(guān)上波形

      表2 兩種電弧模型在各觀測點VFTO的極值

      圖7為在兩種電弧模型下觀測點的電弧電壓、電流波形。由此可以發(fā)現(xiàn),在重燃模型下觀測點的電流波形變化較為劇烈,在單次電弧擊穿模型下觀測點電流衰減較慢。如圖7所示,在重燃模型下觀測點的電流存在多次過零,而在單次電弧擊穿模型下觀測點的電流沒有過零。兩種電弧模型下,觀測點的電弧電壓差異也較大。在單次電弧擊穿模型下,觀測點的電弧電壓隨著間隙的擊穿電壓很快為零。而在重燃模型下,觀測點的電弧電壓因為重擊穿的影響,會發(fā)生劇烈波動。

      (a)電弧電流

      5 結(jié)束語

      設(shè)計了一種單次電弧擊穿模型,且在該模型的基礎(chǔ)上聯(lián)合重燃理論,設(shè)計了電弧重燃模型。通過仿真分析,可以得出:本文設(shè)計的單次電弧擊穿模型是適用的;電弧重燃模型在各觀測點的VFTO波形與單次擊穿模型存在顯著差異,只考慮單次擊穿無法準(zhǔn)確模擬電弧全過程。通過閱讀相關(guān)文獻可以發(fā)現(xiàn),其他學(xué)者在研究VFTO時采用分段電弧模型,與本文設(shè)計的電弧模型相比,往往很少考慮電弧的熄弧階段,故無法準(zhǔn)確模擬電弧的放電全過程,而本文設(shè)計的電弧模型,則綜合考慮了電弧放電的全過程。

      隨著對電弧機理認(rèn)識的加深,建立的模型就能更加符合電弧的實際狀態(tài)。電弧是一個很復(fù)雜的過程,電弧內(nèi)部因素對電弧有著重要的影響。日后更多考慮電弧內(nèi)部因素的相關(guān)模型將會建立,可以更加準(zhǔn)確地模擬電弧。

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