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      含低熔點(diǎn)金屬的鎂合金與水反應(yīng)試驗(yàn)研究

      2021-05-26 06:29:38王曉婉杜邦登陳德敏
      輕金屬 2021年4期
      關(guān)鍵詞:柱狀晶熔點(diǎn)純水

      劉 軍,王曉婉,杜邦登,汪 偉,陳德敏

      (1.中石化江漢油田石油工程技術(shù)研究院,湖北 武漢 430035;2.中國(guó)科學(xué)院金屬研究所 師昌緒先進(jìn)材料創(chuàng)新中心,遼寧 沈陽(yáng) 110016;3.航天工程大學(xué),北京101400)

      對(duì)于低豐度、低滲透的非常規(guī)油氣田,我國(guó)主要采用水力壓裂技術(shù)進(jìn)行開(kāi)采[1-6]。該技術(shù)通過(guò)可溶橋塞和壓裂球封堵施工管注,并向井內(nèi)注入高壓(70 MPa)液體將頁(yè)巖層壓裂來(lái)增加油井產(chǎn)能。使用可溶工具不但降低了施工難度,而且降低了施工周期和成本。目前,可溶工具在國(guó)內(nèi)多個(gè)油田已獲得了一定應(yīng)用。但對(duì)于井水溫度低和氯根離子濃度低的油井,可溶工具的應(yīng)用效果卻非常不理想。主要原因是可溶合金在這種井況下溶解緩慢,甚至不溶解,從而限制了可溶鎂合金的應(yīng)用。

      眾所周知,普通鎂合金在高礦化度氯離子(濃度大于20,000 ppm)井水中溶解較緩慢,在低礦化度下溶解則更慢。為了加快合金溶解,人們?cè)阪V合金中添加了少量Cu、Ni和Fe等金屬。這些金屬及其化合物可與鎂基體形成數(shù)量多且電位差很大(接近1 V)的腐蝕電偶[8-9],故添加這些金屬的鎂合金在含有氯離子井水中的溶解能力顯著提高[8-11]。研究結(jié)果表明可溶鎂合金的溶解速率,與井水溫度、氯離子濃度,其它合金元素的含量有關(guān)。通常合金內(nèi)Cu、Ni和Fe金屬含量越高,合金溶解越快[9]。為了滿足可溶鎂合金力學(xué)性能,合金內(nèi)還需添加一定含量的鎂合金強(qiáng)化元素,如:Al和Zn。它們通過(guò)固溶及形成析出相來(lái)強(qiáng)化合金[12-13]。但Al和Zn等卻提高了合金表面氧化膜的穩(wěn)定性,抑制合金溶解[14-16]。與Al相似,新鮮Mg可與水反應(yīng)。但Mg表面氧化膜阻斷了Mg與水接觸,導(dǎo)致Mg及其合金并不與水反應(yīng)。低熔點(diǎn)金屬(Ga、In、Sn)對(duì)Al表面氧化膜有明顯破壞作用。添加低熔點(diǎn)金屬的Al合金可與水持續(xù)反應(yīng)也已得到實(shí)驗(yàn)證實(shí)[17]。但對(duì)于添加低熔點(diǎn)金屬的Mg合金能否與水還是未知,這是值得研究的課題。

      為了研究鎂合金與水反應(yīng),本工作制備了含不同成分低熔點(diǎn)金屬(Ga、In、Sn)的鎂合金,對(duì)合金微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,測(cè)試了Mg與水反應(yīng)速率,探討了Mg合金與水反應(yīng)的原因。

      1 試驗(yàn)過(guò)程

      采用常壓鑄造制備了8種含低熔點(diǎn)金屬的合金:Mg-6Ga、Mg-6Sn、Mg-6In、Mg-3Cu-2In、Mg-3.8Ga-1.5In-0.7Sn、Mg-4.3Ga-1.7In、Mg-3.5Ga-2.5In和Mg-3Ga-3In,如表1所示。合金熔煉溫度為780 ℃,澆鑄溫度為740 ℃。采用金屬模澆鑄,澆鑄前模具預(yù)熱至300 ℃。鑄錠尺寸為直徑45 mm,長(zhǎng)度80 mm。從鑄錠上切取尺寸約為4 cm×4 cm×2 cm多個(gè)樣品用于測(cè)試分析。采用日本理學(xué)(Rigaku)D/max 2400 X射線衍射儀對(duì)合金樣品進(jìn)行物相分析。輻射源為Cu Kα射線,波長(zhǎng)λKα=0.154056 nm,工作電壓20 kV,工作電流10 mA。利用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM,FEI Inspect F50)觀察合金腐蝕表面和反應(yīng)產(chǎn)物形貌,借助能譜儀(EDX,Quanta 600)測(cè)試物相成分。用排水法測(cè)量合金與水于不同水溫的反應(yīng)速率及腐蝕率。

      表1 試驗(yàn)合金的化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)

      2 結(jié)果與分析討論

      圖1為1#~7#合金的XRD衍射譜。從圖1可以看出,1#~7#合金均含α-Mg相。由于In在Mg中固溶大,在3#合金中未觀察到Mg和In化合物。在2#和4#合金中分別發(fā)現(xiàn)了Mg2Sn和Mg2Cu相,而在1#、5#至7#合金中均發(fā)現(xiàn)了Mg5Ga2相。

      圖1 1#至7#Mg合金的XRD衍射譜

      圖2為部分試驗(yàn)合金的SEM形貌像。4#合金晶粒為等軸狀,在晶界上連續(xù)分布著一層白色物質(zhì),厚度在2 μm左右,該物質(zhì)為Mg2Cu相。圖2顯示6#、7#、8#合金呈柱狀晶結(jié)構(gòu)。在柱狀晶之間分布很多尺寸在5 μm左右的白色顆粒物質(zhì)。能譜分析顯示這些顆粒為Mg5Ga2相。用能譜測(cè)試6#合金成分發(fā)現(xiàn)(表2),Mg5Ga2相內(nèi)含有In,其含量與α-Mg基體內(nèi)的In含量接近。而柱狀晶界的In含量明顯高于柱狀晶內(nèi)的In含量,說(shuō)明柱狀晶界富集高含量In金屬。

      圖2 4#、6#、7#及8#合金典型的SEM形貌像

      表2 6#合金不同部位的成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)

      對(duì)上述合金與純水反應(yīng)進(jìn)行觀察,發(fā)現(xiàn)從室溫至70 ℃范圍1#、2#、3#、4#合金均不與水反應(yīng)。5#合金在70 ℃與水僅微弱反應(yīng),但反應(yīng)于幾分鐘后終止(圖3a)。含有Ga和In的6#、7#和8# 3種合金在50 ℃、70 ℃與水接觸后即反應(yīng),但在反應(yīng)初期的幾分鐘內(nèi)相對(duì)較慢(圖3b和3c)。隨著時(shí)間延長(zhǎng),合金與水反應(yīng)逐漸加快,而后反應(yīng)平穩(wěn)。3種合金與水持續(xù)反應(yīng),直至合金全部消耗。

      圖3 單位質(zhì)量的合金與不同水溫的水反應(yīng)所產(chǎn)生的氫氣量

      通過(guò)測(cè)試合金與水的反應(yīng)曲線計(jì)算合金反應(yīng)溶解速率和腐蝕率,結(jié)果如表3所示。在水溫50 ℃,3種合金溶解速率在150~400 mg/(cm2·h)范圍,腐蝕率為87%;在水溫70 ℃,3種合金溶解速率在470~650 mg/(cm2·h),腐蝕率為83%。水溫越高,合金腐蝕速率越大,腐蝕越完全。對(duì)3種合金腐蝕產(chǎn)物進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)腐蝕產(chǎn)物主要為Mg(OH)2,但未觀察到Mg5Ga2(圖4)。

      圖4 8#合金腐蝕產(chǎn)物的XRD衍射譜

      表3 6#、7#、8#合金于不同水溫的溶解速率

      Mg合金作為保護(hù)陽(yáng)極材料時(shí)通常添加少量In以提高合金活性。已發(fā)表研究結(jié)果表明In能降低Mg合金基體電位。隨著In含量增加,α-Mg基體的電位呈減小趨勢(shì)[18]。Mg合金主要以腐蝕電偶機(jī)理腐蝕。影響Mg合金腐蝕的因素包括:溫度、合金中第二相的電位、腐蝕介質(zhì)導(dǎo)電性及表面氧化膜穩(wěn)定性等。純水導(dǎo)電性差,對(duì)氧化膜腐蝕作用有限。因此,即使4#合金晶界上存在大量較α-Mg基體高的Mg2Cu相,該合金也不能在純水中腐蝕。6#、7#和8# 3種合金晶界上分布著大量Mg5Ga2相。Mg5Ga2相較α-Mg基體的電位僅高約0.05 V[19],在腐蝕體系中,Mg5Ga2相為腐蝕電偶陰極,而α-Mg為陽(yáng)極。雖然Mg-Ga-In系合金中Mg5Ga2與α-Mg基體的電位差遠(yuǎn)低于4#合金中Mg2Cu相與α-Mg的電位差(0.65 V)[9],但前者卻能在純水中腐蝕,說(shuō)明腐蝕電偶已不是Mg-Ga-In系合金在純水中的腐蝕機(jī)理,應(yīng)該存在其它機(jī)制控制Mg-Ga-In系合金于純水中的腐蝕。

      In在Mg晶格內(nèi)固溶度很大(室溫下接近30%),在柱狀晶之間富積大量In。Ga在Mg晶格內(nèi)固溶度很小,除了部分Ga固溶于Mg晶格及生成Mg5Ga2外,其余Ga分布于柱狀晶之間。在水環(huán)境中Mg5Ga2與In接觸,Ga可從Mg5Ga2中析出[17],腐蝕產(chǎn)物中未觀察到Mg5Ga2,這為Ga從Mg5Ga2中析出提供了間接依據(jù)。因此,在柱狀晶之間將分布不同化學(xué)劑量比的Ga和In原子。在適當(dāng)水溫,部分Ga和In之間可反應(yīng)生成熔點(diǎn)較低的Ga-In液態(tài)相,如:當(dāng)w(In)=14.2%時(shí),Ga和In可生產(chǎn)熔點(diǎn)為15 ℃的Ga-In共晶[20]。因?yàn)镚a-In相熔點(diǎn)低,與其接觸的Mg原子將向Ga-In相內(nèi)擴(kuò)散,即Ga-In相為Mg原子提供了擴(kuò)散通道。當(dāng)合金與水接觸,Ga-In相內(nèi)Mg原子將立即與水反應(yīng),并生成Mg(OH)3和H2,與此同時(shí)釋放大量熱量。這必將導(dǎo)致反應(yīng)區(qū)域周圍合金氧化膜的破壞。Ga從Mg5Ga2中析出需一定時(shí)間,故合金與水反應(yīng)初期較慢。合金與水反應(yīng)所產(chǎn)生的熱量有助于周圍Ga與In的反應(yīng),將促使更多Mg原子向Ga-In相內(nèi)擴(kuò)散,進(jìn)一步加快合金的腐蝕速率,這也是合金與水相遇初期反應(yīng)較慢,而后逐漸變快的原因。利用Mg原子向Ga-In相擴(kuò)散這種方式,合金可持續(xù)與水反應(yīng),直至合金完全腐蝕。隨著水溫升高,更多柱狀晶之間的Ga與In原子反應(yīng)并生成Ga-In相。另外,水溫高有利于Mg原子向Ga-In相內(nèi)擴(kuò)散,故合金腐蝕變快,腐蝕率提高。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)對(duì)于Mg-Ga-In系合金,在w(In)<1.5%條件下合金不能在純水中持續(xù)反應(yīng)。其原因是合金內(nèi)In含量低,柱狀晶之間所富積的In少,從而不利于Ga從Mg5Ga2中析出,使得Ga和In之間難以反應(yīng)生成熔點(diǎn)較低的Ga-In低熔點(diǎn)相。值得強(qiáng)調(diào)的是,雖然Mg-Ga-In系合金可在純水中的腐蝕,但該合金并不能直接作為結(jié)構(gòu)合金使用,因?yàn)楹辖饍?nèi)缺少?gòu)?qiáng)化合金元素,合金屈服強(qiáng)度低。通過(guò)添加Al、Zn等可強(qiáng)化該合金,但這些元素對(duì)該合金在純水中會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響仍然未知,未來(lái)須進(jìn)一步開(kāi)展這方面的研究工作。

      3 結(jié) 論

      (1)試驗(yàn)合金Mg-6Ga、Mg-3.8Ga-1.5In-0.7Sn、Mg-4.3Ga-1.7In、Mg-3.5Ga-2.5In、Mg-3Ga-3In 均包含Mg5Ga2相和α-Mg相。Mg5Ga2顆粒分布于柱狀晶之間;除Ga外,柱狀晶之間富集大量In原子。

      (2)w(In)>1.5%的 Mg-4.3Ga-1.7In、Mg-3.5Ga-2.5In、Mg-3Ga-3In合金能在純水中持續(xù)腐蝕,水溫影響合金腐蝕速率和腐蝕率。

      (3)Mg-Ga-In合金不依靠腐蝕電偶機(jī)理在純水中腐蝕。Ga和In之間反應(yīng)生成低熔點(diǎn)Ga-In液態(tài)相為Mg原子提供了擴(kuò)散通道,從而Mg原子與水接觸并持續(xù)與水反應(yīng)。

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